Thema: Pagewrite, max. Schreibzyklen Nach dem Studium der Datenblätter stellen sich mir einige Fragen zu den Auswirkungen eines internen EEPROMzugriffs im AVR. Auch in der Application note AVR101 (high endurance eeprom) wird nichts dazu gesagt. Bei externen EEPROMs ist es so, das man explizit eine PAGE löscht und dann die Page komplett neu schreibt. Wie erfolgt dies beim AVR? Der Zugriff auf den EEPROM ist über die Register EEAR und EEDR nur byteweise möglich. Erfolgt nach jedem einzelnen Byteschreibzugriff ein internes Löschen der jeweiligen Page oder wie ist dies geregelt? Der interne EEPROM ist mit 100k Zyklen spezifiziert. Organisation des EEPROM in 8 Byte Pages. Wenn ich alle Bytes einer Page ändere und nacheinander neu schreibe, wird dann implizit jedes Byte 8mal geschrieben und meine mögliche Zyklenzahl sinkt auf 100k/8 = 12,5k oder bleiben dann trotzdem je Byte 100k Zyklen garantiert?
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