Hei Leute, Ich will eine MOSFET-Treiberschaltung an meinen uC anhängen, um statt TTL, wahlweise einen 5V oder 12V active high output zu haben. Dabei stellte ich fest, dass bei Schaltungen, die ich mir angeschaut habe immer ein Vorwiderstand vor den MOSFET-Gate-Eingängen war. Ich habe mir gedacht, vielleicht ist das wegen der Kapazität der MOSFET's, so dass der Widerstand zur Verminderung der hohen Anfangsströme wäre, bin mir aber überhaupt nicht sicher. Und welcher Grund auch immer, wie BERECHNET man diese Vorwiderstände dann? Ist hier einer der einem Anti-E-Techniker das erklären kann??? Wäre echt nett. VG van Tronje
Hallo, der Gatewiderstand begrenzt einmal den Gatestrom, vor allem aber unterbindet er hochfrequente Schwingungen, zu denen MOSFETs höherer Leistung im Analogbetrieb und während der Umschaltphase neigen. Berechnen ist schwierig. Man kann aus der benötigten Gateladung ungefähr errechnen, wie lange es dauert, bis das Gate umgeladen ist. Das bestimmt dann die Schaltzeit und damit die Umschaltverluste. Je kleiner der Widerstand, desto geringer die Schaltzeit und Umschaltverluste und desto größer die Schwingneigung. Wie niedrig der Gatewiderstand sein darf, ohne dass des MOSFET zu HF-Schwingungen neigt, hängt ganz wesentlich vom Layout der Schaltung ab. Jörg
genau, BERECHNET gibts net... eher "passend" zur schaltung... typisch: 50 : langsame sachen, analoge ansteuerung .. 5 : ohm bei 100khz switcher
Nicht ganz richtig, weil der Widerstand durchaus (über)lebensnotwendig für den treibenden Ausgang sein kann. Konkret sind die (4)42X-Treiber mit Überströmen recht leicht zu killen... Eine allgemeine (sichere) Formel für den Gate-R ist daher: Rgate = max. Treiberspannung / max. Treiberstrom was z.B. für einen 1A-Treiber bei 12V 12 Ohm ergibt. Gruß Johannes
Wie oben schon beschrieben worden ist kommt es auf die Anwendung an welchen Widerstand du verwenden sollst. Wichtig ist auch der FET den du verwendest. Einen IRFZ640 z.B. kann man ohne weiteres direkt an einem Port eines Atmega anschließen, wobei es sich dann natürlich empfielt noch einen 10R Widerstand reinzuhängen. Wenn du richtig große FET's verwendest empfielt sich vielleicht ein fertiger Treiber IC. Als Beispiel der IR2101
Danke für die Antworten, werde mal meine Widerstände nach euren Vorschlägen dimensionieren. Also wenn ich euch richtig verstanden habe, dann wird die Schaltzeit, bei höherem R auch grösser, aber ich spare Leistung, so dass ich dem MOSFET grad noch den benötigten Strom lassen werde. Vielen Dank Leute nochmal.
klarstellung: je kleiner der gate widerstd, desto schneller schaltet der mosfet, aber: desto mehr belastest du den treiber (soweit er die x ampere überhaupt kann :-) , sonst wird natürlich gar nix schneller und je kleiner der r, desto mehr hf schwing...
Hallo, bedenke aber auch, dass je länger die Umschaltzeit deines FETs ist, desto mehr Wärmeverluste hast du in diesem. Kommt dann natürlich auf die zu schaltende Leistung an. FETs sind im Allgemeinen nicht für den analogen Regelbetrieb geeignet, daher sollte man immer möglichst schnell schalten (bzw. takten). Gruß
@ Stefan und Co. Also mein Ausgang soll maximal 12V X 50mA leisten und bis 10'000 Hz schalten können. Bin ich da also mit nem MOSFET gut beraten?
??? 12V X 50mA ??? MOSFET ??? LOL :) Warum kompliziert wenn es auch einfach geht :) Nimm ein ULN2803 für acht Ausgänge oder nimm einfach einen popeligen Transistor (z.B. BC547, BC368, usw...).
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschaltenBitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.