Hallo Leute, ich möchte den Spannungsabfall über einen Mosfet messen. Der Spannungsabfall im leitenden Zustand wird dann nicht höher als 0,1 Volt sein. Kann ich das dann mit dem AD-Wandler des Atmega's machen, unter der Bedingung dass Drain 12V ist und Source dann quasi mal knapp 12V und mal 0V ist. Z.B. beim Atmega8 im Datenblatt gibt es: 2 x Digital GND, 2 x Digital VCC und (für den AD-Wandler) 1 x Analog GND, 1 x Analog VCC, AREF Hab schon einiges aufgezeichnet, aber ich glaub das haut nicht hin. :( Hat jemand ne andere Idee ?
Also der mega8 hat GND und Vcc für den µC und AGND und AVcc für den AD-Converter. GND zusammenlegen und AVcc, wie im Datenblatt beschrieben, über einen LC-Tiefpass an Vcc legen. Messen könntest du die 100mV mit OP als Verstärker, da der mega8 leider nicht differentiell mit Verstärkung messen kann. Das Problem wird sein, dass die Spannund "leicht" größer als 100mV werden kann wenn der MOSFET abgesteuert wird. Das solltest du schaltungstechnisch berücksichtigen.
Der AD Eingang darf matuerlich nie ueber die Versorgunsspannung von 5V oder so gehen. Dh, allenfall einen Spannungsteiler vorschalten. O.
Wie mach ich das mit dem OpAmp ? Bei einem OpAmp gibt es IN+ , IN- , "Out", VCC+ und VCC- (µA741) (Offsett N1 und Offset N2) 1. "Out" sollte 0 bis 5V sein, dann schließe ich VCC+ an 5V und VCC- an 0V 2. ich schließe "IN+" an Drain und "IN-" an Source Der Verstärkungsfaktor des OpAmp ist aber so sehr hoch, dass ich an "Out" gleich 5V zu liegen habe. Wie mach ich dass ich den Verstärkungsfaktor senke ? Mit einem Spannungsteiler ?
>allenfall einen Spannungsteiler vorschalten.
Ich schalte einen 8k2-Widerstand vor den ADC-Eingang (in Reihe), das
begrenzt den Strom und du brauchst keinen Spannungsteiler. Bei +15V
(angenommenes Maximum vom OP) würden max. 1.8mA (Kurzschluss) fließen,
das verkraftet der Eingang locker. Der negative Bereich wird durch die
Schutzdioden im µC geschützt.
Die Sache wäre entschieden einfacher, wenn der MOSFET gegen GND schalten würde. So aber wird die Sache ungleich schwieriger. Denn du kannst zwar beide Spannungen per Teiler in den Bereich 0-5V bringen, aber dann wird aus der Differenz von 100mA eine Messdifferenz von 41mV, also rund 8 LSBs, wodurch das arg ungenau wird. Musst du die Spannung wirklich messen, oder willst du nur wissen ob es mehr oder weniger als 100mV sind? In dem Fall bist du mit einem Komparator einfacher dran. Nimm einen Typ der am Eingang bis +V verdaut, den einen Eingang an Source, den anderen an 12V-100mA (Spannungsteiler), den Ausgang an den Controller.
Ich sag es mal so, wie verhindere ich dass der OpAmp das Signal triggert. Wenn ich zwischen In+ und In- 0,001 Volt bis 0,1 Volt Differenz habe, dann denke ich dass ich schon bei ganz geringem Unterschied (0,001V) 5V am Ausgang(out) zu liegen habe. Wie kann ich das so einstellen: bei 0,10 Volt am Ausgang(out) 5 Volt und bei 0,05 Volt am Ausgang(out) 2,5 Volt ... @ A.K. Ich will im Endeffekt den Strom messen, ich kenn ja den Widerstand(RDSon) des Mosfet's.
>ich kenn ja den Widerstand (RDSon) des Mosfet's.
Ich denke da wirst du Probleme kriegen. Da der RDSon sehr klein ist und
der MOSFET ja bei Belastung warm wird, wird sich auch der RDSon ändern.
Wie steht im jeweiligen Datenblatt. Das verfälscht die Messung natürlich
stark!
Differenzverstaerker Schaltung, 4 Widerstaende, aber bitte kein 741, der ist schrott. O.
Kann den OP07 empfehlen, sehr gute Temperaturstabilität ond extrem kleiner Offset. Bei Reichelt zu kriegen und preiswert.
@ Sonic
Stimmt, aber wenn ich 10V Gate-Source Spannung habe dann ist der RDSon
z.B. beim 13N03 immer konstant 13 mOhm (von 0A bis 50A
Drain-Source-Strom).
Die konstanten 10V Ugs mach ich mit einer 2. Spannungsquelle.
>> Ich muss nur noch wissen wie ich den Verstärkungsfaktor bei dem OpAmp
einstellen kann. <<
Wie kann ich das mit ein paar Widerständen hinbekommen ? Hast du ne
Ahnung ?
Mike wrote: >>> Ich muss nur noch wissen wie ich den Verstärkungsfaktor bei dem OpAmp einstellen kann. << > > Wie kann ich das mit ein paar Widerständen hinbekommen ? Hast du ne > Ahnung ? http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0210151.htm
Hm, aus dem Datenblatt entnehme ich: ca. 9mOhm @ 0°C ca. 13mOhm @ 80°C bei VGS=10V und ID=30A Das ändert sich schon ordentlich!
@ Oschi Danke! und Okay ich nehm nen anderen :) @ Sonic Ich werde den OP07 nehmen (26ct ist preiswert)
@ Sonic Ich werde den Mosfet am Alu-Gehäuse(<10K/Watt) befestigen. Wenn das ganze dann eine weile läuft (max. 1W Verlustleistung) hat es Betriebstemperatur und liegt bei 20 bis 30 Grad. Im Sommer (38°C im Schatten freu) wohl etwas höher, aber ich probiere das erstmal so.
Ja, wenn's die Schaltung erlaubt und es nicht auf ein paar 'zig mA hin oder her ankommt, bei 30A ja wohl nicht so tragisch. Falls doch könntest du 'ne Kompensation einbauen, ist halt etwas aufwändiger. Bin vielleicht berufsbedingt etwas pennibel und will alles genau machen ;-)
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