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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik MOSFET Vds Breakdown


Autor: Εrnst B✶ (ernst)
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Hallo zusammen,
Kurze Frage die ich aus dem Datenblatt nicht direkt beantworten konnte:

Wenn ich bei einem Mosfet die Drain-Source breakdown voltage
 übrschreite (z.B. wg. Induktivität in der Drain-Leitung), ist der dann 
kaputt oder wird der nur leitend bis der Stromfluss wieder auf 0 
absinkt?

Nachdem die max. Drain-Source Spannung nicht in den Absolute-Maximum 
Ratings aufgeführt ist, wäre meine erste Vermutung, dass der FET nicht 
gleich in Rauch aufgeht...

Weiss jemand genaueres?

/Ernst

Autor: ernst (Gast)
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nennt sich vorwärts-durchbruch bzw avalanche .
der mosfet macht da "auf zenerdiode", er begrenzt die spannung selbst.
wieviel strom er dabei verkraftet -> datenblatt
avalanche sollte aber vermieden werden, da der arme fet irgendwann die 
lust verliert...und du nen neuen brauchst...

Autor: Εrnst B✶ (ernst)
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Danke, da wird gleich einiges klar.

Laut Datenblatt kann der (IRL3803) ja 71A als Avalance Current ab bei 
einem einzelnen Peak, ansonsten 20mJ repititiv, limit wg. Junction 
Temperatur...

d.H. solange der FET kalt bleibt, ist alles im grünen Bereich ;)

Bei nem Schaltregler sollte man dass dann wohl beachten (allein wg. 
Wirkungsgrad), aber wenns nur um die Induktivität in dem Kabel 
Drain->Last beim Abschalten geht wird der Fet das schon packen.

Schade dass LTSpice dieses Verhalten mit den Standard-FET-Modellen nicht 
simuliert, hier läuft auch ein 20 Volt-FET mit 40V ohne Probleme...


/Ernst

Autor: Jörg Rehrmann (Firma: Rehrmann Elektronik) (j_r)
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@Ernst Bachmann:

> Laut Datenblatt kann der (IRL3803) ja 71A als Avalance Current ab bei
> einem einzelnen Peak, ansonsten 20mJ repititiv, limit wg. Junction
> Temperatur...
>
> d.H. solange der FET kalt bleibt, ist alles im grünen Bereich ;)

so kann man das auch nicht sagen. Wenn die absorbierte Impulsenergie zu 
hoch ist, kann der MOSFET auch schon im kalten Zustand sterben.

> Bei nem Schaltregler sollte man dass dann wohl beachten (allein wg.
> Wirkungsgrad)

Mit dem Wirkungsgrad, z.B. eines Sperrwandlers, hat das nur insofern zu 
tun, als man die Spannungsspitzen nicht gegen Masse (Drain -> Source) 
sondern gegen die Betriebsspannung abfangen sollte.
Bei Wandlern kleiner Leistung findet man hin und wieder tatsächlich 
Schaltungen, bei denen der MOSFET selbst die Spannungsspitzen der 
Streuinduktivität abfängt.

>, aber wenns nur um die Induktivität in dem Kabel
> Drain->Last beim Abschalten geht wird der Fet das schon packen.

Das kann man nicht pauschal sagen. Bei größeren Strömen und hohen 
Schaltfrequenzen kann das ein echtes Problem werden.

Jörg

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