Transistor: Was pasiert wenn Basis nicht genug Strom bekommt

[tim (Gast)]

Hallo,

Was passiert eigentlich wenn ein Transistor nicht genug Basisstrom 
ziehen kann (aufgrund eines entsprechenden Basiswiederstandes) um Ice 
sauber zu schalten?

[A.K. (Gast)]

Schwer zu verallgemeinern, ohne die Randbedingungen zu kennen. Klar ist: 
Uce steigt an. Der Rest ergibt sich aus P=U*I. Wird ihm dabei zu warm, 
löst sich das Problem und er leitet endlich wieder ganz (und endgültig).

[Peter D. (peda)]

Bei Analogschaltungen wird der entsprechende Analogwert ausgegeben.

Bei Digitalschaltungen bedeutet das in der Regel den Hitzetot.


Peter

[Jörg R. (Firma: Rehrmann Elektronik) (j_r)]

@tim:

> Was passiert eigentlich wenn ein Transistor nicht genug Basisstrom
> ziehen kann (aufgrund eines entsprechenden Basiswiederstandes) um Ice
> sauber zu schalten?

Der Transistor geht dann in die Sättigung, d.h., er arbeitet als 
Konstantstromquelle (Ic=ß*Ib). An dem Lastwiderstand RL stellt sich dann 
eine Spannung U=Ic*RL ein.

Jörg

[Winfried (Gast)]

Sättigung bedeutet, soweit mir bekannt, dass ein Transistor voll 
durchgesteuert ist.

http://de.wikipedia.org/wiki/S%C3%A4ttigung_%28Elektronik%29

[Jörg R. (Firma: Rehrmann Elektronik) (j_r)]

@Winfried:
> Sättigung bedeutet, soweit mir bekannt, dass ein Transistor voll
> durchgesteuert ist.

Das ist wohl eine gängige Betrachtungsweise. Oft wird aber auch das 
Verhalten eines Transistors im Ausgangskennlinienfeld als Sättigung 
bezeichnet, wenn der Kollektorstrom bei weiterem Anstieg von UCE nicht 
weiter ansteigt. Mag aber sein, dass das eher bei FETs üblich ist.

Jörg

> http://de.wikipedia.org/wiki/S%C3%A4ttigung_%28Elektronik%29

[Dan Is (Gast)]

>Mag aber sein, dass das eher bei FETs üblich ist.

Ja, so hab ich das zumindest mal gelernt. Sättigungsbereich beim 
Bipoloar-Transistor bedeutet, dass die Basis mit Ladungsträgern 
überschwemmt ist, also voll durchgesteuert. Was ganz anderes bedeutet 
der Sättigungsbereich beim FET, nämlich die Unabhängigkeit des 
Drainstroms von der Drain-Source-Spannung. Um solche Missverständnisse 
zu vermeiden wird der Sätt.ber. beim FET im Tietze/Schenk 
Abschnürbereich genannt.