Hallo, ich habe mal eine kleine frage zu Transistorschaltungen. mir ist aufgefallen das manchmal n channel typen im high side bereich einer schaltung eingesetzt werden. warum macht man das, und was hat es für einen vorteil. ich meine, wenn ich mit einem p channel typen mit 5 volt einen 60v high side zweig schalten will, hann nutze ich einen pull up und einen oc driver da die 5 v immer noch zu negativ wären - der transistor würde immer leiten, aber ist bei einem n channel typen nicht genau das gleiche problem, nur anders herum? zumal die last dann ja auf der source seite untergebracht wäre.... dank euch, maddin
>ich meine, wenn ich mit einem p channel typen mit 5 volt einen 60v high >side zweig schalten will, hann nutze ich einen pull up und einen oc >driver da die 5 v immer noch zu negativ wären - der transistor würde >immer leiten, aber ist bei einem n channel typen nicht genau das gleiche >problem, nur anders herum? Kann das mal jemand übersetzen?
> mir ist aufgefallen das manchmal n channel typen im high side bereich > einer schaltung eingesetzt werden. Nicht nur manchmal. Bei MOSFET-H-Brücken kommen eigentlich durchweg N-Kanal-FETs zum Einsatz. Man muss dann nur eine entsprechende potenzialfreie Versorgungsspannung für die High-Side-FETs zur Verfügung stellen, was im einfachsten Fall mit einer Bootstrap-Schaltung gemacht wird (die allerdings darauf angewiesen ist, dass der jeweilige Low-Side-FET auch ab und zu durchgeschaltet wird). Im statischen Betrieb gehts dann nur mit aufwändigeren Schaltungen (Ladungspumpen und bei höheren Schaltleistungen induktive Wandler).
BTW: Schau Dir z.B. mal die Bausteine L6201..3 von ST an. Die haben auch nur n-Kanal-FETs drin und für die beiden High-Side-FETs jeweils eine Bootstrap-Schaltung, die mittels externer Diode und Kondensator die auf Source bezogene Betriebsspannung erzeugt.
moin moin, >Nicht nur manchmal. Bei MOSFET-H-Brücken kommen eigentlich durchweg >N-Kanal-FETs zum Einsatz. Bitte nicht solche globalen Aussagen. Ich habe hier jede Menge H-Brücken im Einsatz die mit P- und N-FETs bei 12V Betriebsspannung arbeiten. Das ganze ist genauer eine Frage der Typenreinheit. Für Spannungen > ca. 15V ist es einfache nur N-Kanal zu nehmen, da dort die Auswahl größer ist. Die 15V ergeben sich so als Grenzspannung für TreiberICs wie ICL7667 oder LTC1693. Auch die GS-Spannung der FETs ist < 20V, wobei bei >10V oft keine Parameteränderungen zu sehen sind. Mit Gruß Pieter
ich meine auch mal irgentwo gelesen zu haben, das p channel typen einen aufwändigeren herstellungsprozess genießen, deswegen teurer sind,aber ich denke das dürfte sich mittlerweile gelegt haben, oder!? ist es denn nicht einfacher für die High side p channel typen einzusetzen um sich den aufwand mit ladungspumpen usw.. zu sparen!? was ist mit typenreinheit gemeint? es gibt doch auch p-channel typen für höhere spannungs bereiche (zb irf9540)....100v 19A ist doch schonmal was, und der innenwid liegt bei 0,2ohm... ich fragte mich nur, warum man diesen umweg über die n channel variante geht... kalr zu zeiten der buz11 war das evtl was anderes - oder? maddin
das prob ist die dotierung von den P-dingern.. die müssen von der fläche her irgendwo zwischen faktor 2 und 3 grösser sein um das gleiche zu können wie ein N-Typ... und fläche ihn Si kostet halt.... je nachdem was du jetzt machen willst kanns als besser sein N-Kanäler zu nehmen und eine etwas kompliziertere treiber-stufe zu verwenden... z.b wenn du mehr strom haben willst... ausserdem wird N einfach häufiger eingesetzt(die ganzen Lowside-schalter z.b)=> sowieso billiger.... 73
> ist es denn nicht einfacher für die High side p channel typen > einzusetzen um sich den aufwand mit ladungspumpen usw.. zu sparen!? Im Prinzip schon, aber wie Pieter schon angedeutet hat (Sorry für meine globale Aussage...): Nur in einem recht kleinen Spannungsbereich. Eine komplementär-FET-Stufe lässt sich nunmal ohne Zusatzbeschaltung nur im Bereich ihrer maximalen Gatespannung betreiben. Viele Hersteller bringen aber nicht extra für 0-15V extra H-Brücken mit p-FETs raus. Die haben meistens (siehe mein obiges Beispiel L620X, bis 48V) einen größeren Spannungsbereich und sind somit auch universeller einsetzbar. Und für die meisten Anwendungen im Bereich kleiner Leistungen ist die Bootstrap-Schaltung völlig ausreichend, so dass man da auch problemlos die einfacher herstellbaren n-Kanal-FETs einbauen kann. Bei größeren Schaltleistungen liegen dann einerseits die Spannungen eh so hoch, dass p-FETs keinen Sinn machen und die Gateladung ist ebenfalls so groß, dass man über eine vernünftige Spannungsversorgung für die High-Side-Treiber nicht rumkommt, um ausreichende Schaltströme zu haben (kurze Schaltzeiten, Verringerung der Schaltverluste).
> warum macht man das, und was hat es für einen vorteil.
N-Kanal-Mosfets haben die besseren technischen Daten, in vielerlei
Hinsicht.
Wenn man also hohe Ströme, große Spannungen oder mit hohen Frequenzen
schalten möchte, oder eine Kombination davon, sind N-Kanal-Fets deutlich
besser. Soviel besser, dass sich der Aufwand für den Treiber lohnt.
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.