Hallo, ich brauche mal eure Hilfe. Ich suche einen small signal N-Mosfett wie z.b. der 2SK3018 http://www.ortodoxism.ro/datasheets/rohm/2sk3018.pdf nur mit UGs>=30V. Sollte auch im SC-70 package sein. Strom fließt keiner <10mA. Ich will diesen als Level konverter benutzen, wie es z.b. auch in der IIC spec beschrieben ist. Also: Level der zu konvertieren D--FET--S Ausgang | G Zielspannung Mein Problem ist zur Zeit, das am Drain bis zu 30V anliegen können, der Fet aber nur max UGs kann. Ich habe auch noch als verständniss, das UGS=UGD ist, also passt das nicht. Oder ist das anders??? Für Hilfe wäre ich sehr dankbar :-) tschüss
Entweder ich habe nicht verstanden, was du vor hast oder du nicht, was ein Mosfet tut. Evtl. auch beides :-) Ich wüsste jedenfalls keine Anwendung, wo eine Gate-Source-Spannungs- festigkeit von 30 V erforderlich wäre. Alle mir bekannten Mosfets schalten spätestens ab einem UGS von ca. 10 V voll durch. Eine weitere Erhöhung der Spannung ändert nichts wesentliches am Verhalten des Transistors, außer dass er bei zu hohen Werten irgendwann den Geist aufgibt. Ich kenne auch keinen Mosfet mit einem maximalen UGS von über 20 V. Soll der Mosfet mit einer großen Spannung angesteuert werden (größer als das maximal erlaubte UGS), kann sie bspw. mit einer Z-Diode begrenzt werden. Ich habe dich so verstanden, dass due eine Eingangsspannung in eine Ausgangsspannung von 0 bis 30 V umsetzen möchtest. Ist das richtig? Wie hoch ist der Eingangspegel? Handelt es sich um ein Digitalsignal, d. h. eins mit nur zwei Spannungswerten oder ein analoges?
Hallo yalu, ja, scheint so :) habe ähnliches vor wie hier auf seite 43 beschrieben. http://www.nxp.com/acrobat_download/literature/9398/39340011.pdf es soll ein level konverter werden mit 30V auf 3.3V. -> Es liegen 30V über einen pull-up am drain an. Außerdem ist ein offener Schalter nach Masse geschaltet. Wenn die 30V anliegen, der Schalter also offen ist, werden die 30V automatisch nach 3.3V am Source gewandelt (gain-level). Ich denke nun, das an UGD nun 30V anliegen, aber mein Fet nur 20V kann. Klappt zwar, ist aber aus der spec. Deshalb suche ich was anderes.
Sowas gibt es nicht. Die meisten Standard FETs können 20V, einige auch 30V. Mehr als 30V GS habe ich noch nie gesehen.
Wenn ich das richtig verstehe willst du doch nur die Eingangsspannung auf 3.3V begrenzen, oder? Tut's eine Z-Diode denn nicht?
Hallo Chris, solange du die Seite mit der höheren Spannung auch wirklich ans Drain anschließt musst du dir wegen UGS keine Sorgen machen. UGS bleibt in deiner Schaltung zwischen 3,3V und 0V (bzw. -1,7V falls dein µC mit 5V IO arbeiten sollte). Zwischen Drain und Gate hält dein Fet höhere Spannungen aus als zwischen Source und Gate. Du musst nur auf ausreichendes UDS achten. Dein 2SK3018 ist mit 30V absolute max rating klar an der Grenze für deine Anwendung. Ich hätte an deiner Stelle einen BS170 eingesetzt (vor allem, weil der reichlich in meiner Bastelkiste vorhanden ist). Der verträgt am Drain bis zu 60V gegenüber der Source (und dem Gate). Allerdings sind die 3,3V am Gate etwas wenig um ihn aufzusteuern. Wenn du irgendwo in deiner Schaltung 5V übrig haben solltest, dann nimm die als Gatespannung. Damit kann jede Seite die andere sauber nach GND ziehen, aber keine Seite zieht die andere höher als ~3V. Wenn nicht such dir einen anderen FET mit kleinerer UGS-Schwellspannung und ausreichender UDS. schöne Grüße Achim
Hallo Achim, danke für deine Antwort. Ich habe halt den Zusammenhang zwischen UGS ubnd UGD nicht verstanden. Wenn du sagst, das UGD mehr verträgt als UGS, dann kann ich Nachts wieder etwas besser schlafen. :) Leider ist das nicht im Datenblatt gespect und Literatur habe ich auch nicht gefunden. Hast du ne Quelle, wo ich das nachlesen kann? danke cu
chris wrote: > Leider ist das nicht im Datenblatt gespect und Literatur habe ich auch nicht gefunden. In manchen Datenblättern steht es drin (z.B. BS170): Drain-Gate Voltage 60 V Es gilt eigentlich immer: Die Drain-Gate (bzw. Kollektor-Basis) Spannung ist mindestens genausogroß wie die Drain-Source (bzw. Kollektor-Emitter) Spannung.
allo Leute, vielen Dank für eure Infos. Habe wieder ein ganzes Stück gelernt. Der BS170 sieht in der tat verdammt gut aus. Leider ist er nicht pad kompatiebel und hat keine G-S protection diode drin, aber vielen Dank für den hinweis.
Hi Chris, die wesentlichen Antworten auf deine weitergehenden Fragen hast du ja schon von anderen bekommen. Noch eine Ergänzung: deine Erinnerung, dass UGS_max=UGD_max ist gilt tatsächlich für alle Transistoren, die wirklich symmetrisch aufgebaut sind (Drain und Source sind dort gleichwertig, das niedrigere Potential entscheidet, wer Drain und wer Source ist). Das ist z.B. bei integrierten MosFets in CMOS-Logik-ICs der Fall. Es gilt nicht bei diskreten Fets (bis hin zu Leistungs-Fets). Dort ist der Aufbau des Fets unsymmetrisch bezüglich Drain/Source. Die haben dann auch alle bauartbedingt die Diode mit drinnen, die Drain und Source bezüglich Polarität eindeutig festlegen. (ich weiß nicht, ob es das ist, was du mit Gate-Schutzdiode bezeichnest). Auf die Schnelle habe ich keine schönere Abbildung zur Hand, als das was wiki liefert... (Seite 3 des Links). http://www.semikron.com/internet/webcms/objects/applica_help/d/1_2_1.pdf schöne Grüße Achim
allo Leute, mit gate-source protection diode meine ich einfach eine ESD diode die das gate schütz. Die Drain source diode ist klar, die ist Bauartbedingt immer drin.
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