Um meine Schaltung verpolungssicher zu machen (5 uCs an einer Spannungsquelle ...), würde ich eine Diode direkt nach dem Stromanschluss an der Platine einbauen. Kann ich auch mehrere Dioden parallel nutzen, um die Belastbarkeit zu erhöhen?
Maxim wrote: > [...] Kann ich auch mehrere Dioden > parallel nutzen, um die Belastbarkeit zu erhöhen? Warum willst du das?? Eine Wald- und Wiesendiode a la 1N4148 (EDIT: 1N400x) hält das schon durch.
Jaein, praktisch sind die Durchlassspannung über den paralellen Dioden unterschiedlich , so daß auch die Lastverteilung unterschiedlich ist. Deshlab kannst du nicht davon ausgehen, daß die doppelte Diodenzahl auch die doppelte Leistung abkann. Besser ist es, gleich eine passende Diode nehmen.
Hey eine 4148 kann 200mA.... Aber 5 µC + Gemüse zieht ggf mehr... also ich würde 2 oder 3 Schottkydioden parallel nehmen ....
@ Maxim (Gast) >Stromanschluss an der Platine einbauen. Kann ich auch mehrere Dioden >parallel nutzen, um die Belastbarkeit zu erhöhen? Nicht wirklich, da sich der Strom auf grund der Toleranzen der Flussspannung nicht gleichmässig aufteilt. Nimm ne grosse Diode und gut. MFG Falk
The Devil wrote: > Warum willst du das?? Eine Wald- und Wiesendiode a la 1N4148 hält das > schon durch. Ich glaube nicht, daß die fünf uc`s völlig Unbeschaltet betrieben werden. Jenachdem, was da dran hängt, wirds mit 500mW, die die Diode maximal verbraten kann, sehr bald sehr knapp.
Wenn du die Diode(n) unbedingt aus dem Bestand nehmen willst und keine passende hast, kannst du notfalls auch mit parallel geschalteten kleineren identischen Dioden arbeiten, vorausgesetzt jede davon kriegt einen eigenen Serienwiderstand verpasst, an dem im Betrieb mindestens 300mV drauf gehen. Und du solltest genug davon verwenden, dass die bei gleichmässiger Lastaufteilung nicht in die Nähe ihrer Leistungsgrenze kommen.
Mir stehen hier irgendwie die Haare zu Berge, wenn ich was von parallel geschalteten Dioden lese... Hat das schon mal einer der befürwortenden Spezialisten mal ausprobiert???? Wäre mal anzuraten...
um den Eingang verpolungssicher zu machen, würde ich einen Brückengleirichter verwenden. Dann ist es wurscht, wie die Spannung angelegt wird. Wenn du den Spannungsabfall ausgleichen willst, kannst du zb. bei deinem Spannungsregler ( 7805, LM317...... ) in die GND bzw ADJ leitung eine 1N4148 einbauen. die hebt dir die Spannung dann um die 0,7V an. oder du leistest dir den Luxus und baust Germanium Dioden ein. Dann sind das nur 0,3V lg Peter
stefan wrote: > Mir stehen hier irgendwie die Haare zu Berge, wenn ich was von parallel > geschalteten Dioden lese... Wenn du mit Ausgleichswiderständen dafür sorgst, dass sich die Asymmetrie in Grenzen hält, dann geht das. Das gilt gleichermassen für Dioden wie für Leistungstransistoren. Wenn du mal einen Blick auf Schaltungen von Labornetzteilen der 5-10A Klasse wirfst, wirst du diese Variante bei den Längstransistoren recht oft finden.
@ Peter S* (sandmannnn) >um den Eingang verpolungssicher zu machen, würde ich einen >Brückengleirichter >verwenden. Dann ist es wurscht, wie die Spannung angelegt wird. Schön, dann hast du aber immer eine Masse, die 1,4V über einer aussen angeschlossenen Masse liegt. Nicht wirklich doll. Ne einfach Diode tuts. >Wenn du den Spannungsabfall ausgleichen willst, kannst du zb. bei deinem >Spannungsregler ( 7805, LM317...... ) in die GND bzw ADJ leitung eine >1N4148 einbauen. die hebt dir die Spannung dann um die 0,7V an. AUA! >oder du leistest dir den Luxus und baust Germanium Dioden ein. >Dann sind das nur 0,3V Aus welcher staubigen Bastelkiste soll er die denn zaubern? Schottky ist das Mittel der Wahl und Zeit. MFG Falk
>>Wenn du den Spannungsabfall ausgleichen willst, kannst du zb. bei deinem >>Spannungsregler ( 7805, LM317...... ) in die GND bzw ADJ leitung eine >>1N4148 einbauen. die hebt dir die Spannung dann um die 0,7V an. >AUA! Wieso aua?
Falk Brunner wrote: > >>oder du leistest dir den Luxus und baust Germanium Dioden ein. >>Dann sind das nur 0,3V > > Aus welcher staubigen Bastelkiste soll er die denn zaubern? Schottky ist > das Mittel der Wahl und Zeit. > > MFG > Falk :-) g da hab isch wohl ein Smiley vergessen ;-) ich versteh das Thema sowieso nit. es gibt ja auch verpolungssichere Steckverbindungen oder sonnst was. ( für mich is das krampf )
@ Analognichtversteher (Gast)
>Wieso aua?
Weil es ein sinnloser Würg-Around ist.
MfG
Falk
Hehe, solange ihr euch hier rumgestritten habt, bin ich schon längst auf die FET-Methode aufmerksam geworden (danke an Hein für den Link: Beitrag "Re: Verpolungsschutz mit kleinem Spannungsabfahl"). Ich habe auch schon so einen MOSFET aus einem alten Drucker ausgelötet. Mal sehen, was sich da tut. Nebenbei muss ich mich mit den Details beim Aufbau eines FET beschäftigen ... @Avr Nix: Warum ist in der Schaltung ein Widerstand am Gate? Der zieht doch eh keinen Strom im Betrieb?!
Folgendes: Bei einer Spannung von 5V zwischen Gate und Source lässt der FET zwischen Drain und Source nur ca. 0.6A durch, was zu wenig für meine Schaltung wäre. Außerdem wird er heiß. Laut dem Datenblatt (Grafik auf Seite 3) müssten es das doch ca. 1,2A sein, oder? Dann würde der FET für meine Anwendung nämlich ausreichen. Datenblatt: http://www.ortodoxism.ro/datasheets/toshiba/3014.pdf
Interessant ist u.a. der Wert RDSon im Datenblatt. Der beträgt stolze 5,6 Ohm bei 1,5A, was eindeutig zu viel ist. Such am besten einen Fet mit besseren Werten. Habe ansonsten nur gute Erfahrungen mit dieser Schaltung gemacht.
Für solche Fälle setzen wir seit einiger Zeit die von Hein vorgeschlagene Variante mit den MOSFETs ein. Wenn man dazu auch anständige FETs mit niedrigem Rdson nimmt, wird der Spannungsverlust minimal.
Warum schaltet der FET (N-Kanal) so früher durch: http://www.cipoint.homepage.t-online.de/FET1.png ... also so: http://www.cipoint.homepage.t-online.de/FET2.png Der Strom zwischen Drain und Source ist doch von der Spannung zwischen Gate und Source abhängig und die sollte bei der zweiten Anordnung höher sein. Woran liegt es?
> Warum schaltet der FET (N-Kanal) so früher durch: Macht er nicht. Ein N-Kanal-Mosfet schaltet bei positiver Gate-Source-Spannung den Drain-Source-Kanal durch. Bei Deiner ersten Schaltung ist das Gate mit dem Widerstand auf Source-Potential gelegt, der Mosfet sperrt erst einmal. Allerdings kommt nun eine "fiese" Eigenschaft Deiner (falschen) Schaltung: Da der Mosfet verkehrt herum geschaltet ist, fliest ein Strom über R1 in den Source des Mosfets rein, durch die Substratdiode im Mosfet und wieder aus dem Drain des Mosfets nach Masse weg. Und nun die zweite, fiese Eigenschaft der ersten Schaltung: Der Strom der durch R1 fließt, erzeugt an diesem einen Spannungsabfall. Dieser Spannungabfall "drückt" den Source des Mosfets nach Masse plus ein Dioden-Spannungsabfall. Dadurch wird das Gate positiver als das Source und der Drain-Source-Kanal fängt an zu leiten, der Mosfet schaltet also voll durch. Einmal eingeschaltet, bleibt er es, da die Schaltung einen Selbsthaltungseffekt hat: Solange Strom durch R1 fliesst ist das Gate positiver als Source und der Mosfet leitet. > Woran liegt es? Falsche Schaltung! Was willst Du überhaupt machen?
>Was willst Du überhaupt machen? Einen Verpolungsschutz nach: http://www.mikrocontroller.net/attachment/14045/Verpolungsschutz.png Der Beitrag dazu: Beitrag "Re: Verpolungsschutz mit kleinem Spannungsabfahl"
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