Hallo zusammen, Gibt es eine Faustformel, wie man den Gatevorwiderstand eines MOSFETs ermitteln kann. Habe desöfteren gelesen, dass dieser zwischen 10..100 Ohm betragen sollte. Und warum braucht man den Gatewiderstand überhaupt? Grüße, Timo
Das Gate eines Mosfets ist ja eine Kapazität. Wenn diese angesteuert werden soll muss diese Kapazität aufgeladen werden. Normalerweise ist sie entladen und stellt im Anfangsmoment einen Kurzschluss da! Der Widerstand würde den Strom bei diesem Kurzschluss begrenzen. Er berechnet sich nach dem ohmschwen Gesetz. Also z.B. R=Uansteuer/Iansteuermax
Ein Gate steht selten alleine im Raum, es gibt auch noch eine Rueckwirk kapazitaet Drain-Gate. Wenn nun der Drain mit 300V/us hochschiesst kommt aus dem Gate ein Strom raus. Nicht alles am Gate mag das. Je nach gewuenschter Geschwingigkeit wuerde ich 4.7-27 Ohm nehmen.
Damit kann man die ein und ausschaltzeiten des FET's beeinflussen umso EMV Probleme zu entschaerfen. Gruss Helmi
Faustformel gibt's wohl nicht, denn dafür sind wohl die Gründe für einen Gate-R zu vielfältig. In der Regel macht man den rein, um erstens der EMV Rechnung zu tragen (weil die Schaltflanken abgeflacht werden), und zweitens um harte Schaltstromspitzen etwas abzuschwächen und damit den Treiber zu schonen (vor allem bei höheren Gatekapazitäten bei "dicken" Mosfets). Was man beachten sollte, ist die damit vebundene R-C-Konstante, die sich damit bildet, und das Schaltsignal entsprechend verzögert - bei schnellen Schaltungen eher hinderlich.
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