Transistor auf Funktionstüchtigkeit prüfen!?

[Ralf (Gast)]

Wie kann ich herausfinden, ob ein Transistor defekt ist bzw. nicht 
richtig arbeitet(z.B. nicht ganz durchschaltet)?
Ist es auch möglich ihn im eingebauten Zustand zu prüfen?

[Björn W. (bwieck)]

Ralf wrote:
> Wie kann ich herausfinden, ob ein Transistor defekt ist bzw. nicht
> richtig arbeitet(z.B. nicht ganz durchschaltet)?
> Ist es auch möglich ihn im eingebauten Zustand zu prüfen?

Teilweise möglich. Wenn der Transistor in Betrieb ist und
Du kannst von C nach E einen Spannungsabfall von 600 - 900 mV messen
dann sollte er durchgeschaltet sein.
Wenn die Spannung wesentlich kleiner ist, dann ist er Durchlegiert.
Wenn die Spannung größer 1V ist dann ist der Transistor nicht ganz 
durchgeschaltet.

Grüße
Björn

[der mechatroniker (Gast)]

Also ein richtig durchgeschalteter Bipolartransistor kommt auch schon 
mal auf 0.2 bis 0.3 Volt für VCE.

[Ralf (Gast)]

Gilt das auch für MOSFETs?

[Björn W. (bwieck)]

der mechatroniker wrote:
> Also ein richtig durchgeschalteter Bipolartransistor kommt auch schon
> mal auf 0.2 bis 0.3 Volt für VCE.

Germanium? Bei Si-Typen habe ich noch keine gesehen die unter 500 mV 
gegangen wären.

Grüße
Björn

[Björn W. (bwieck)]

Ralf wrote:
> Gilt das auch für MOSFETs?

Ähnlich. Bei MOSFET steht ja im Datenblatt drin was für ein RdsOn der
hat wenn er voll durchgeschaltet ist, den Spannungsabfall kannst Du dann 
über
U=R*I ausrechnen.


Was hast Du denn überhaupt für ein Problem ?
Schaltet dein FET nicht wie er soll?

Stichwort Gatekapazität

Grüße
Björn

[Ralf (Gast)]

Mich verwirren die Angaben im Datenblatt z.b.: 
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf2907z.pdf
Bei STATIC steht Vgs Min. 2V Max. 4V(Max Ratings +/-20V), aber da wird 
er doch wohl kaum voll durchgeschaltet sein. Was hat diese Angabe dann 
für eine Bedeutung?
Deswegen weiß ich nicht wie hoch die Spannung sein sollte um voll durch 
zu steuern, und wollte es mal prüfen!

[Mike (Gast)]

@Björn

VCE unter 500mV sollte jeder gute Kleinsignal SI-Transistor erreichen, 
wenn er in die Sättigung geht. Beispiel BC548:

http://www.ortodoxism.ro/datasheets/vishay/85113.pdf
VCEsat = 80mV typ by IC = 10mA, IB = 0.5mA

@Ralf
Ein allererster Test beinhaltet die Leitfähigkeitsmessung mittels 
Multimeter über jeweils 2 der 3 Anschlüsse. Am besten die Einstellung 
Diodenprüfung verwenden. Bei einem NPN-Transistor bilden BC und BE 
jeweils eine Diode in Durchlassrichtung, wenn an der Basis positive 
Spannung anliegt. Hier sollte also ein geringer Widerstand messbar sein. 
In allen anderen Fällen sollte der Transistor sperren. Stimmt da was 
nicht, ist der Transistor vermutlich defekt. Bei einem PNP muss das 
Multimeter natürlich genau umgekehrt gepolt werden.

Für eine genauere Prüfung muss die Stromverstärkung bestimmt werden. 
Viele Multimeter bieten das als Option. Wie gross die sein soll, steht 
im Datenblatt.

Gruss
Mike

[Kupfer Michi (Gast)]

>Bei Si-Typen habe ich noch keine gesehen die unter 500 mV
gegangen wären.

Wie immer hilft ein Blick ins DB:
BC547 VCEsat = 100mV bei IC=30mA
bei anderen Transistoren sieht auch nicht viel anders aus.

(ups, seh gerade wurde schon beantwortet)

[Björn W. (bwieck)]

Mike wrote:
> @Björn
>
> VCE unter 500mV sollte jeder gute Kleinsignal SI-Transistor erreichen,
> wenn er in die Sättigung geht. Beispiel BC548:
>
> http://www.ortodoxism.ro/datasheets/vishay/85113.pdf
> VCEsat = 80mV typ by IC = 10mA, IB = 0.5mA

Upps.. ja Stimmt natürlich, ich war in Gedanken bei der 
Kollektorschaltung...

Grüße
Björn