Hallo! Auch wenn der Betreff eine triviale Frage vermuten lässt ;-) Angenommen ich schalte eine LED mit dem 2N7002. Source an Masse und an Drain die LED und Vorwiderstand in Reihe. Jetzt würde mich bei der Wahl des Widerstands folgendes interresieren: Fällt über dem FET auch eine Spannung ab so wie bei einem Bipolaren Transistor? Müßte ich als den Widerstand entsprechend kleiner wählen? Meine Überlegung ist, dass sich ja zwischen den n-Dotierten Drain und Source ein n-Leitender Kanal bildet. Es gibt also keinen p-n-Übergang und demnach auch keine Diffusionsspannung... also kein Spannungsabfall über dem FET. Hab ich das jetzt so richtig oder bin ich auf dem Holzweg? danke für's lesen, sascha
FETs haben ja gerade den Vorteil, dass an ihnen eben fast keine Spannung abfällt und dadurch nur wenig Leistung verheizt wird (Neben dem Vorteil, dass sie fast leistungslos gesteuert werden). Gerade bei einer LED solltest du aber problemlos mit R_dson = 0R rechnen können.
@ sascha (Gast) >Fällt über dem FET auch eine Spannung ab so wie bei einem Bipolaren >Transistor? Sicher. Allerdings rechnet man hier weniger mit einer Sättigungsspannung, sonder eher mit dem RDS_ON (Widerstand der Drain Source Stecke im durchgeschalteten Zustand). > Müßte ich als den Widerstand entsprechend kleiner wählen? Minimal. >und demnach auch keine Diffusionsspannung... also kein Spannungsabfall >über dem FET. Ist dein FET supraleitend? MFG Falk
>Ist dein FET supraleitend? Das hab ich vergessen zu schreiben: Ich bin natürlich Raketenforscher und hab nur Supraleitende Bauteile... das macht es mit den LEDs so schwer, weil die Vorwiderstände auch supraleitend sind. ;-) Danke!
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.