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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik p-kanal mosfet (typischer Wert für Widerstand zw. S und G


Autor: Axel (Gast)
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Hallo,

von was oder von wem hängt die Größe des Widerstandes zwischen Source 
und Gate ab.
Der eingesetzt Mosfet ist der : IRMLM6402

Die Spannung die in der Schaltung auftreten kann liegt zwischen 6,8 und 
9Volt.


Grüße
Axel

Autor: Falk Brunner (falk)
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@ Axel (Gast)

>von was oder von wem hängt die Größe des Widerstandes zwischen Source
>und Gate ab.
>Der eingesetzt Mosfet ist der : IRMLM6402

Von der Gate-Source Spannung.

>Die Spannung die in der Schaltung auftreten kann liegt zwischen 6,8 und
>9Volt.

Und? Was sagt das über die Gate Source Spannung aus?

MfG
Falk

Autor: Bensch (Gast)
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> von was oder von wem hängt die Größe des Widerstandes..

von der restlichen Beschaltung des Gates und deinen Anforderungen

Autor: Axel (Gast)
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Hallo Falk,

da ich in dem Gebiet noch nicht soooo fit bin hab ich gehofft hier eine 
passende Nachricht zu erhalten......
Der Mosfet soll eine Last trennen. Er hängt im positiven Stromzweig. Das 
Gate erhält entweder +UB von dem Akku, oder wird auf Masse 
runtergezogen..

Grüße

Autor: Falk Brunner (falk)
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Link auf Datenblatt?

Autor: Axel (Gast)
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www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlml6402.pdf

Autor: Falk Brunner (falk)
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Seite 3, Fig. 1

Bei 5V Gate-Source Spannung hat der etwa 50mOhm RDS_ON.

MFG
Falk

Autor: Axel (Gast)
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ok...und das heißt für mich....?

Grüße

Autor: Falk Brunner (falk)
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@ Axel (Gast)

>ok...und das heißt für mich....?

???
Das war doch deine Frage.

MFG
Falk

Autor: Winfried (Gast)
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Vermutlich meinst du den Widerstand zwischen Drain-Source. Der liegt 
dann bei 50 mOhm, wenn das Gate 5 Volt niedriger vom Potenzial ist, als 
Source.

Autor: Axel (Gast)
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S|   |D
+UB ----------     ----------
         |   G|----
         |    |
         -    |
    R?  | |   |
        | |   |
         -    |
         |    |
         |----
         |

Autor: Atmega8 Atmega8 (atmega8) Benutzerseite
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Ich weiß zwar nicht wirklich wo dein Problem liegt, aber versuch dir 
trotzdem zu helfen.

Für deinen P-Kanal Mosfet:

             S|   |D
+UB ----------     ----------
         |   G|----          |
         |    |              |
         |    |            __|__
     off o   /O Schalter  |    |
            /             |    | Last
     on  o /              |    |
         |                |____|
         |                  |
         |                  |
        _|_                _|_

Wenn du Gate mit Source verbindest leitet dein Mosfet nicht.
Wenn du Gate mit Ground verbindest leitet dein Mosfet.

Rdson wurde ja schon angegeben.

Manch einer macht vor das Gate noch einen 10 Ohm Widerstand, bei einem 
einzelnen Mosfet brauchst du das aber nicht unbedingt.

Je höher der Spannungsunterschied zwischen Gate und Source, desto 
geringer dein Drain-Source Widerstand.

> Die Spannung die in der Schaltung auftreten kann liegt zwischen 6,8
> und 9Volt.
An deinem Gate kannst du maximal -12V anlegen, also zerstörst du dein 
Gate bei 9V nicht.
Deine Last sollte mindestens 4 Ohm betragen und du solltest eine kleine 
Kupferfläche lassen um den Mosfet zu kühlen.

Hast du den IRMLM6402 gekauft oder irgendwo abgelötet?

Autor: Axel (Gast)
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ode:


                                          IRLML6402 (MOSFET)
     .--------o----------------------o-------+^+---o
     |        |                      |       |||
     |       .-.                     |       ===
     |       | |                     |       |
     |   100k| |                     |       |
     |       '-'                     |       |
     |        |                      |  _  |
    ---       o---.                  o-|___|-o
     -        |   |                  | 100k  |
10x  |       .-.  |                  |       |
1,2V |       | |  |     ICL7665S     |       |
NiMH |   820k| |  |   .----------.   |       |
    ---      '-'  '---|HYST1   V+|---'       |
     -        |       |          |           |
     |        o---o---|SET2  OUT1|-----------'
     |        |   |   |          |
     |       .-.  '---|SET1   GND|---.
     |       | |      '----------'   |
     |   130k| |                     |
     |       '-'                     |
     |        |                      |
     '--------o----------------------o-------------o

so sieht das ganze aus....

Autor: Axel (Gast)
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Was für eine Funktion hat der 100k Widerstand der zwischen V+ und dem 
Gate liegt?

Grüße

Autor: Winfried (Gast)
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Ich würd sagen, klarer Fall von ungeschickt gefragt ;-)

Das spricht mal wieder dafür, die Hintergründe zu formulieren, warum man 
etwas fragt bzw. kurzen Einblick in das zu geben, was man vor hat.

Der Widerstand hält das Gate auf einem definierten Potenzial, sperrt den 
Mosfet also, wenn der Ausgang Out1 hochohmig ist. Vermutlich ein 
Open-Collector Ausgang, der nur nach Masse zieht und sonst offen ist.

Autor: Axel (Gast)
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Hallo Winfried....

merci für deine Antwort.
Heißt das somit, dass der Widerstand beliebig sein kann?

Grüße

Autor: Gast (Gast)
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Da das IC auch einen Widerstand zwischen durchgeschaltetem Ausgang und 
Masse hat, sollte der eingebaute Widerstand nicht beliebig klein sein. 
Sehr oft ist 10 kOhm ein guter Wert für einen Pull-up- bzw. 
Pull-Down-Widerstand.

Autor: Winfried (Gast)
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Um Strom im eingeschalteten Zustand zu sparen, kannst du bis etwa 1MOhm 
hoch gehen. Darüber kann es störanfällig werden.

Bedenken sollte man auch, dass je höher der Widerstand ist, um so länger 
dauert der Abschaltvorgang, was dann zu einer erhöhten Verlustleistung 
am Transistor im Ausschaltmoment führen kann. Bei hohen Strömen könnte 
das tödlich sein.

Autor: Atmega8 Atmega8 (atmega8) Benutzerseite
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Am besten du schaust in das Datenblatt, da müsste alles drin stehen.
http://www.intersil.com/data/fn/fn3182.pdf

Zu deinem Widerstand:
Wenn du das Ganze mit Batterien betreiben möchtest solltest du besser 
einen größeren Widerstand ( 1M Ohm ) nehmen, dann ist dein Verlust an 
diesem nicht so groß.

Autor: Atmega8 Atmega8 (atmega8) Benutzerseite
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Ich hab gerade errechnet dass dein Mosfet im schlechtesten Fall 1/3 
Sekunde zum abschalten braucht. (mit 633pF Gate Kapazität, ab 2.5V 
schaltet er gut genug durch, bei 6.8V +UB)

Wenn du 100K Ohm nimmst ist das 10 mal schneller. (0.03s)
In der Zeit erwärmt sich dein Mosfet dann nicht so sehr.

Autor: Axel (Gast)
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Ihr Jungs seit echt SUPER!! Fettes Kompliment!

@Atmega, wäre es dir möglich die Vorgehensweise zu posten wie du das 
ganze berechnet hast.
Das wäre genial.

Viele Grüße

Autor: Atmega8 Atmega8 (atmega8) Benutzerseite
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Steht alles im Tafelwerk!

Ich bin von der größten Gate-Kapazität ausgegangen, die war im 
Datenblatt mit 633pF angegeben. (Input Capacitance bei Vgs=0V)

Hab allerdings einen Fehler gemacht:
Ich denke die "Output Capacitance" = 145pF wär wohl besser gewesen und 
Pico ist 10^-12, ich hab 10^-9 genommen.

Dann ist die Zeit bis der Kondensator geschlossen ist (kritischer 
Bereich liegt zwischen -1V und -2.5V GS-Spannung) ungefähr:

ln(1V/6.8V) * -[1M Ohm*145^(-12)] =
0.000278 Sekunden Entladezeit bei einem 1M Ohm Widerstand.

Das ist die Zeit bis der Gate-Kondensator(145pF) eine Spannung von nur 
noch 1.0V hat, von anfänglichen 6.8V die sich über einem 1M Ohm 
Widerstand entladen.

Bei 9.6V Anfangsspannung sind es dann 0.00033 Sekunden.
Kannst also einen 1M Ohm nehmen.


Ich hab mich da diesmal hoffentlich nicht vertan.

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