Hallo,

könnt ihr mir sagen (schreiben) ob man die Freilaufdiode bei einer
Relaisansteuerung weg lassen kann.
Ich hab mal gehört das man statt dem PNP nen FET hernehmen kann.
Stimmt das, und wenn ja welcher FET-Typ ist dabür geignet.

Danke

Nie!
Auch wenn der FET eine parasitäre Diode enthält, muß die Diode vorhanden
sein.
Sie schliesst das Relais beim Ausschalten kurz. Die Diode des FET tut
das nicht.

>Freilaufdiode bei einer Relaisansteuerung weg lassen kann.
NEIN.


>enn ja welcher FET-Typ
jeder, der Spannungs- und Stromwerte erfüllt, die deine Last erfordert.
Also identisch eines Biploartranstors.

>könnt ihr mir sagen (schreiben) ob man die Freilaufdiode bei einer
>Relaisansteuerung weg lassen kann.

Kann man nicht.

>Ich hab mal gehört das man statt dem PNP nen FET hernehmen kann.

BC546 ist ein NPN.

>Stimmt das, und wenn ja welcher FET-Typ ist dabür geignet.

BS170 möglicherweise.

Man kann sie natürlich weg lassen, hängt halt ganz von der gewünschten
Lebensdauer deiner Schaltung ab.
Kurz und bündig: Bau sie ein, 2 Cent mehr machen den Bock auch nimmer
fett.

Hallo,

1. ist der verbaute Transistor ein NPN.

2. kann man einen Fet verwenden, der den benötigten Strom liefern, und
die
   angelegte Spannung auch sperren kann. (Ansteuerung anders als beim
bipo).

3. welcher Typ geeignet ist mußt Du wissen (aussuchen nach obigen
Kriterien).

4. ist gerade ein Relais die typische "induktive" Last, -die  wenn der
   Stromfluß abgeschaltet wird, eine geg. hohe Spannung generiert, die
es zu
   unterdrücken gilt.

...eigentlich alles gesagt.

guude
ts

alles klar. Danke für die Antworten.

stimmt gedacht ist ja auch ein bc338 pnp.
muss ich noch im schaltplan ändern.

>stimmt gedacht ist ja auch ein bc338 pnp.

Das ist auch ein NPN. Gute Nacht ;)

naja, mit entsprechend spannungsfesten Transistoren geht es schon.
Lohnt sich aber nicht.

Man kann, zumindest beim Einsatz von MOSFETs, beim Schalten induktiver
Lasten auf die Freilaufdiode prinzipiell verzichten, wenn man genau
weiß, was man tut. Beim Ausschalten der induktiven Last ohne
Freilaufdiode entstehen hohe Spannungen, die den MOSFET zum
Lawinendurchbruch bringen. Dieser Lawinendurchbruch passiert auch bei
(Z-)Dioden mit höherer Sperrspannung, ist reversibel und bei den
Z-Dioden sogar gewollt.

Da die dabei im MOSFET verbratene Leistung sehr hoch
(Durchbruchspannung * Strom) werden und schon bei mittelgroßen MOSFETs
bis in die kW gehen kann, darf dieser Zustand nur für kurze Zeit
anhalten, sonst verabschiedet sich das Bauteil auf Grund thermischer
Überlastung. Die Energie als über die Zeit integrierte Leistung darf
also gewisse Grenzen nicht überschreiten.

In den Datenblättern von MOSFETs ist deswegen oft die maximale
"Avalanche Energy" unter verschiedenen Bedingungen angegeben. Solange
diese nicht überschritten wird, leitet der MOSFET im Sperrbetrieb den
Spulenstrom ohne Beschädigung ab. Er muss aber fast die komplette in
der Spule gespeicherte Energie aufnehmen, die sich aus dem Spulenstrom
und der Induktivität errechnen lässt.

Diesen Lawinendurchbruch lässt man in manchen Anwendungen zu, wo es um
das sehr schnelle Abschalten iduktiver Lasten geht. Ohne Freilaufdiode
stemmt sich dem Spulenstrom die volle Durchbruchspannung entgegen, so
dass er sehr schnell abklingt. Mit Freilaufdiode ist diese
Gegenspannung nur gleich der Durchlassspannung der Diode (ca. 0,7 V)
plus dem Spannungsabfall am ohmschen Widerstand der Spule selber, so
dass der Strom noch eine Weile weiterfließen kann, und das Abschalten
entsprechend langsamer vonstatten geht.

Den MOSFET wie beschrieben zu betreiben ist aber die absolute
Ausnahme. Da ein Relais kein sonderlich schnelles Bauteil ist und mit
ihm meist keine Anwendungen realisiert werden, wo es auf kürzeste
Schaltzeiten ankommt, wird hier praktisch immer eine Freilaufdiode
eingesetzt, in den allermeisten anderen Anwendung ebenfalls.

Für den, der sich näher für das Thema interessiert:

  http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1005.pdf