Hallo Leute, ich frage mich, warum bipolare Baureihen einen viel größeren Ausgangsstrom bei LOW haben. Kann mir das mal jemand kurz erläutern? Danke schonmal;)
Bipolare Baureihen von was haben einen höheren Strom als was?
Ohoh, sorry für die Frage...also verhindern die internen Pull up Widerstände gegen Vcc einen höheren Strom?
einen höheren Ausgangstrom bei LOW als bei HIGH am Augang. Speziell gehts um die LS Modelle;)
Achso, jetzt verstehe ich. Guck Dir mal die Ausgangsstufe so eines LS-Gatters im Datenblatt an. Z.B. auf Seite 2 in http://www.ti.com/lit/gpn/sn74ls10 Dann siehst Du, dass zwischen Vcc und dem oberen Transistor noch der Kollektorwiderstand sitzt, der den Strom bei High-Pegel begrenzt. Der untere Transistor ist mit seinem Emitter hingegen direkt gegen GND geschaltet.
Hmm ok, das hört sich ja eigentlich ganz plausibel an, nur warum nur die 0,4mA maximaler Ausgangssstrom? wie kommt es zu diesem sehr kleinen wert?
N oder P FET's sind nicht gleich.. Haben bei gleicher Chipfläche verschiedene Eigenschafften.. vor allem RDSon spielt die wichtigste Rolle.. Cheers Felix
@Felix: FET's sind da aber nicht drin;) gild die Erklärung mit den Widerständen der Transistoren trotzdem?
Die 0.4mA gelten aber nur für eine Ausgangsspannung von 3.4V Das ist auch fast die maximale Ausgangsspannung die ein LS-TTl Gatter kann weil im oberen zweig ein Darlington Transistor sitzt. Wenn der mit 5V an der Basis angesteuert wird kommt am 2. Emitter nur ca. 3.4V an wegen der beiden Basis-Emitter strecken und dem Spannungsabfall am Basisvorwiderstand. Wenn man jetzt den Ausgang höher belastet sinkt die Ausgangsspannung und der Strom steigt. So gesehen kann ein LS-Ausgang doch einen höheren Strom nur stimmt dann der High-Level für TTL nicht mehr. Deshalb die limitierung auf 0.4mA. Was ja auch zu den Eingangsströmen von LS-TTL passt wo ja auch ein höherer Strom aus dem Gatter fliesst bei Low als bei High. Der Maximale Strom dürfte in etwa den wert betragen der der Kollektorwiderstand vorgibt also rund ca. 30mA. Gruss Helmi @Lehrer (Gast) Man kann auch freundlich miteinander umgehen.
Wir reden von TTL. Betrachte einen TTL-ausgang als eine OpenCollector Logik mit integriertem Pullup. Dann ist klar, dass der Low-Strom viel groesser ist.
Man sollte vielleicht auch noch erwähnen, dass die Eingänge von TTL-Bausteinen bei Low einen höheren Eingangsstrom benötigen (Ein Emitter, der bei Low leitfähig wird, quasi eine einfache Basisschaltung, die besonders schnell arbeitet). Genau aus diesem Grund muss der Ausgang so konstruiert sein, dass er eben bei Low mehr Strom liefert.
Um das "warum" noch ein bisschen mehr zu beleuchten: der Widerstand muss da sein, weil es ja einen gewissen Bereich gibt, wo sowohl der obere als auch der untere Transistor leiten. Wäre der Widerstand also nicht da, gäbe es für einen Moment sozusagen Kurzschluss. Darum muss man diese Schwäche halt in Kauf nehmen. Macht aber nichts, weil der Eingangsstrom von TTL bei high auch viel niedriger ist ;)
Sorry, aber der Widerstand ist erforderlich, damit der obere überhaupt leiten kann (Ube muß > 0.6V sein) ... die 0.6V erreicht man sonst nie wenn Uce=0 sein soll und der Kollektor direkt an Vcc hängt. Den 'Kurzschluß' verhindert die Diode am Emitter bzw. sorgt dafür daß weder beim oberen noch beim unteren im Übergang das Ube gleichzeitig > 0.6V werden kann. Das der L-Ausgangstrom immer besser ist als der H-Ausgangsstrom liegt daran, das wir keine PNP Transistoren zur Verfügung haben, wir können also nicht wie in der CMOS-Technologie eine echte P/N Ausgangstufe bauen. Das spielt aber im Grunde keine Rolle, da nur die L-Level treibende Wirkung für die nachfolgenden TTL-Stufen haben. Probleme bekommt man erst wenn man mit dem H-Pegel das TTL-Grab verläßt und damit was treiben will ... aber dann nimmt man eben einen PNP oder einen Fet (N oder P) als erste Treiberstufe.
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