Version 4
SHEET 1 880 680
WIRE -80 96 -80 64
WIRE 112 96 -80 96
WIRE 128 96 112 96
WIRE 240 96 224 96
WIRE 272 96 240 96
WIRE 432 96 352 96
WIRE 560 96 560 64
WIRE 560 96 432 96
WIRE 112 176 112 96
WIRE 208 176 208 144
WIRE 432 176 432 96
WIRE 48 224 16 224
WIRE 368 224 240 224
WIRE -80 304 -80 96
WIRE 16 304 16 224
WIRE 80 304 16 304
WIRE 112 304 112 272
WIRE 112 304 80 304
WIRE 240 304 240 224
WIRE 240 304 112 304
WIRE 256 304 240 304
WIRE 336 304 320 304
WIRE 432 304 432 272
WIRE 432 304 400 304
WIRE 560 304 560 96
WIRE 112 352 112 304
WIRE 208 352 208 176
WIRE 432 352 432 304
WIRE 432 352 208 352
WIRE -80 448 -80 384
WIRE 112 448 112 432
WIRE 112 448 -80 448
WIRE 432 448 432 432
WIRE 432 448 112 448
WIRE 560 448 560 384
WIRE 560 448 432 448
WIRE -80 496 -80 448
FLAG -80 496 0
FLAG -80 64 U1
FLAG 560 64 U2
FLAG 80 304 Ub
FLAG 208 176 Ug
FLAG 240 96 source
SYMBOL pnp 368 176 R0
WINDOW 3 59 68 Left 2
SYMATTR Value BC557C
SYMATTR InstName Q2
SYMBOL voltage -80 288 R0
WINDOW 3 -139 336 Left 2
WINDOW 123 0 0 Left 2
WINDOW 39 38 55 Left 2
SYMATTR Value PULSE(0 17 0.1 0.1 0.1 4 5 1)
SYMATTR SpiceLine Rser=1
SYMATTR InstName V1
SYMBOL pmos 128 144 R270
WINDOW 0 103 31 VRight 2
WINDOW 3 69 -42 VRight 2
SYMATTR InstName M1
SYMATTR Value FDR840P
SYMBOL pnp 48 176 R0
WINDOW 3 65 68 Left 2
SYMATTR Value BC557C
SYMATTR InstName Q1
SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 96 336 R0
SYMATTR InstName R1
SYMATTR Value 4700
SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 416 336 R0
SYMATTR InstName R2
SYMATTR Value 22K
SYMBOL res 544 288 R0
SYMATTR InstName R3
SYMATTR Value 10
SYMBOL zener 400 288 R90
WINDOW 0 -4 32 VBottom 2
WINDOW 3 33 42 VTop 2
SYMATTR InstName D1
SYMATTR Value BZX84C6V2L
SYMBOL diode 256 320 R270
WINDOW 0 32 32 VTop 2
WINDOW 3 0 6 VBottom 2
SYMATTR InstName D2
SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 368 80 R90
WINDOW 0 5 56 VBottom 2
WINDOW 3 27 56 VTop 2
SYMATTR InstName R4
SYMATTR Value 0.5
TEXT -224 648 Left 2 !.tran 5
TEXT -40 488 Left 2 ;Nota: Q1 und Q2 werden invers betrieben!
TEXT -40 512 Left 2 ;D1und D2 stellen die BE-Z-Diode dar.
TEXT -88 536 Left 2 ;Durch R4 schafft die Regelung die höchstmögliche Ugs.
TEXT -88 560 Left 2 ;Die im Transistor vorhandene BE-Z-Diode schützt das Gate.
TEXT 64 0 Left 2 ;Simu zur Ugs Spannungsbegrenzung