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* MJH11020 / MJH11020G   -  NPN Darlington, 200 V, 15 A, 150 W, TO-247 / TO-218
* MJH11019 / MJH11019G   -  PNP Komplementaertyp (gleiche Familie)
*
* Kein Herstellermodell verfuegbar (onsemi bietet fuer diese Familie kein
* SPICE-Modell an). Dieses Modell wurde aus dem Datenblatt
* MJH11017/D Rev. 11 (onsemi, 10/2024) angepasst.
*
* Struktur: diskreter Nachbau der monolithischen Darlington-Struktur
* (Fig. 9 im Datenblatt): Treiber + Endtransistor, zwei Basis-Emitter-
* Shuntwiderstaende. Die Widerstandswerte gibt das Datenblatt NICHT an,
* R1/R2 sind fuer diese Bauform uebliche Werte.
*
* Pinfolge des Subcircuits: C B E  (wie beim LTspice-npn/pnp-Symbol)
* Pinbelegung Bauteil: 1 = Basis, 2 = Collector (Kuehlfahne), 3 = Emitter
*
* Abgleich (nachgerechnet, TJ = 25 C, VCE = 5 V):
*   IC = 10 A : hFE = 2490   (DB: min 400, max 15000)      VBE(on) = 2.24 V (DB: max 2.8 V)
*   IC = 15 A : hFE = 1480   (DB: min 100)                 VBE     = 2.80 V
*   IC =  1 A : hFE = 2840   -  Maximum der hFE-Kurve bei ca. 2...3 A (Fig. 6)
*   Cob(VCB = 10 V) = 338 pF (DB: max 400 pF)  /  PNP 574 pF (DB: max 600 pF)
*
* NICHT modelliert / nur grob abgeschaetzt:
*   - Durchbruch (VCEO = 200 V, VEB = 5 V) wird nicht begrenzt
*   - Schaltzeiten (td/tr/ts/tf) und TR/TF sind Schaetzwerte
*   - Second Breakdown / SOA, Selbsterwaermung
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.SUBCKT MJH11020 C B E
* --- Treiberstufe
Q1   C  B  1  QMJH11020_DRV
* --- Endstufe
Q2   C  1  E  QMJH11020_OUT
* --- interne Basis-Emitter-Shuntwiderstaende (Werte typisch, nicht spezifiziert)
R1   B  1  5k
R2   1  E  40
* --- optionale Antiparalleldiode C-E (im Datenblatt nicht spezifiziert):
* D1  E  C  DMJH11020
.ENDS MJH11020

.MODEL QMJH11020_DRV NPN
+ IS=3E-15  BF=180  NF=1.0  VAF=150  IKF=0.6  ISE=6E-13 NE=2.0
+ BR=6      NR=1.0  VAR=15  IKR=0.3  ISC=1E-12 NC=2.0
+ RB=8      IRB=0.02 RBM=1.5 RE=0.25 RC=1.0
+ CJE=250P  VJE=0.75 MJE=0.4
+ CJC=120P  VJC=0.75 MJC=0.45 FC=0.5
+ TF=1.5N   XTF=3   VTF=15   ITF=0.6  TR=800N
+ XTB=1.5   EG=1.11 XTI=3

.MODEL QMJH11020_OUT NPN
+ IS=5E-12  BF=70   NF=1.0  VAF=400  IKF=5.0  ISE=1E-10 NE=2.0
+ BR=4      NR=1.0  VAR=20  IKR=1.0  ISC=1E-10 NC=2.0
+ RB=0.7    IRB=0.5 RBM=0.15 RE=0.022 RC=0.05
+ CJE=3N    VJE=0.75 MJE=0.4
+ CJC=1.0N  VJC=0.75 MJC=0.45 FC=0.5
+ TF=12N    XTF=4   VTF=15   ITF=5.0  TR=3U
+ XTB=1.5   EG=1.11 XTI=3

.MODEL DMJH11020 D(IS=5E-9 RS=0.03 N=1.5 CJO=800P TT=1U BV=250)

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* Komplementaertyp MJH11019 (PNP, 200 V, 15 A) - gleiche Struktur
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.SUBCKT MJH11019 C B E
Q1   C  B  1  QMJH11019_DRV
Q2   C  1  E  QMJH11019_OUT
R1   B  1  5k
R2   1  E  40
.ENDS MJH11019

.MODEL QMJH11019_DRV PNP
+ IS=3E-15  BF=160  NF=1.0  VAF=120  IKF=0.6  ISE=6E-13 NE=2.0
+ BR=5      NR=1.0  VAR=15  IKR=0.3  ISC=1E-12 NC=2.0
+ RB=9      IRB=0.02 RBM=1.8 RE=0.25 RC=1.2
+ CJE=300P  VJE=0.75 MJE=0.4
+ CJC=200P  VJC=0.75 MJC=0.45 FC=0.5
+ TF=1.8N   XTF=3   VTF=15   ITF=0.6  TR=500N
+ XTB=1.5   EG=1.11 XTI=3

.MODEL QMJH11019_OUT PNP
+ IS=5E-12  BF=60   NF=1.0  VAF=350  IKF=5.0  ISE=1E-10 NE=2.0
+ BR=4      NR=1.0  VAR=20  IKR=1.0  ISC=1E-10 NC=2.0
+ RB=0.8    IRB=0.5 RBM=0.18 RE=0.024 RC=0.06
+ CJE=3.5N  VJE=0.75 MJE=0.4
+ CJC=1.7N  VJC=0.75 MJC=0.45 FC=0.5
+ TF=14N    XTF=4   VTF=15   ITF=5.0  TR=2U
+ XTB=1.5   EG=1.11 XTI=3

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* Testnetzliste zum Nachpruefen der Stromverstaerkung (auskommentiert):
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* .include MJH11020.lib
* XQ1 c b 0 MJH11020
* VCE c 0 5
* IB  0 b 4m
* .op
* .print op I(VCE)      -> ca. 10 A  ->  hFE = 10 A / 4 mA = 2500
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