MOSFET-Übersicht

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Im Forum wird immer wieder gefragt, welchen Mosfet-Transistor man für ein Projekt einsetzen sollte. Und wo man die herbekommt. Deshalb soll hier eine Übersicht mit gängigen Mosfet-Transistoren entstehen, wo auch die Bezugsquellen angegeben sind. Bezugsquellen sollten nach Möglichkeit solche sein, die auch für den privaten Bastler in Frage kommen.

Der Thread zum Thema: http://www.mikrocontroller.net/forum/read-1-318189.html

siehe auch : Transistor-Übersicht Dioden-Übersicht Standardbauelemente

P-Kanal

Bezeichnung Package Hersteller UGS/V UDS/V ID/A P/W RDS,on/mOhm Bemerkung Lieferant ca. Preis
BS250 TO-92 Siliconix 4.0 60 0.12 0.35 10000 - Rei 0.25
BSH205 SOT23 Phi 1.0 12 0.75 0.4 500 kleine Gate-Charge (3.8nC) csd (a.A.) 0.30
BSS84 TO-97, SOT23 Phi 3.0 50 0.13 0.35 10000 - Con, Rei 0.07
BSS110 TO-97, SOT23 Phi 3.0 50 0.17 0.35 10000 - ? ?
PMV65XP SOT23 Phi -1.4V..-12 (max. +12V) -20 -3.9 (-2.8A @ Ugs=-4.5V) ? 76 Extrem hoher Strom für Bauform, Qgd=0.65nC Spoerle, RS 0.10 (bei 3000er-Rolle)
IRF4905S D2Pack irf 4.0 55 64 3.8 20 - Con 2.60
IRF4905 TO-220AB irf 4.0 55 74 3.8 20 - Rei 1.30
IRF5210S D2Pack irf 10 100 40 ? 60 - Rei 1.25
IRF7104 SO-8 irf 3.0 20 2.3 2.0 250 - Rei 0.32
FDC604P SuperSOT-6 Fairchild 1.5 20 5.5 0.8/1.6 33 - csd (a.A.) 0.70
NDS0610 SOT-23 Fairchild 1.8 60 0.12 0.36 10000 - csd 0.07
IRF5305 TO-220AB irf 3.0 55 31 110 60 - Rei 0.59
NDS352P SOT23 Fairchild 4.5 20 0.85 0.5 500 - Con 0.76
BSP 171 SOT-223 Siemens 1.4 60 1.7 1.8 350 - Rei 0.51

(Tabelle mit Click im Kopfbereich sortierbar; a.A. = Auf Anfrage)

N-Kanal

Bezeichnung Package Hersteller UGS(th)/V UDS/V ID/A P/W RDS,on/mOhm Bemerkung Lieferant ca. Preis
IRF 530 TO-220 irf 2,9 100 16 94 160 Rei 0.44
IRL3103 TO-220AB irf 1.0 30 64 94 12 Qg=33nC (!) Seg 0.95
IRF730A TO-220AB irf 2.0 400 5.5 74 1000 Qg=22nC (!) Rei 0.54
IRFP064 TO-247AC irf 2.0 60 70 300 9 Qg=190 nC Rei 1.65
IRF3205 TO-220AB irf 2.0 55 390 200 8 Rei 1.10
IRL3803 TO-220AB irf 1.0 30 140 200 6 Rei 1.20
IRF540 TO-220AB irf 10 100 28 150 77 Rei,Kes 0.52
IRF7401 SO-8 irf 2.7 20 8.7 2.0 22 Rei 0.56
IRF7403 SO-8 irf 4.5 30 8.5 2.5 22 Rei 0.42
IRF7413 SO-8 irf 3.0 30 13.0 2.5 11 Rei,Kes 0.65
BUZ11 TO-220 ST 5.0 50 33.0 90.0 30 Rei 0.41
BS170 TO-92 gs 2.0 60 0.3 0.83 5000 Rei 0.13
BSN20 SOT-23 gs 1.8 50 0.18 0.35 6000 Rei 0.07
IRFP2907 TO-247AC irf 4.0 75 209 470 4.5 Rei 4.60
2N7000 TO-92 ON 3.0 60 0.2 0.35 5000 Rei,Kes 0.13
BF245 (JFET) TO-92 Phi 0.0 30 0.0065 0.3 - selbstleitend Rei 0.15
BS107 TO-92 ON, Phi 3.0 200 0.25 0.35 6400/14000 - Rei 0.18
BS108 TO-92 ON, Phi 2.0 200 0.25 0.35 8000 - Rei 0.14
BUK100 TO-220 Phi 3.0 50 13.5 40 125 Overload-Protection, ESD-Protection Rei 1.40
IRL3705N TO-220 irf 2.0 30 140 200 6.0 Qg=98nC Rei 1.45
BUZ72A TO-220 Infineon 4.0 100 9.0 40 250 - Rei 0.45
IRLZ34N TO-220 irf 2.5 55 30 68 35.0 - Rei 0.42
IRF1404 TO-220AB irf 4.0 40 202 333 4 - Rei 1.65
IRL1004 TO-220 irf 2.7 40 130 200 6.5 - Rei 2.45
IRL530 TO220, D2Pack irf -2.25 100 15.0 88 160 Rei 0.51
IRF830 TO220AB irf 2.0-4.5 500 5.0 74 1400 Rei,Kes 0.57
IRF840 TO220AB irf 2.0-4.0 500 8.0 850 Rei 0.57
FDC645N SuperSOT-6 Fairchild 1.5 30 5.5 0.8/1.6 30 - csd (a.A.), Far 0.7
BSP297 SOT-223 Siemens/Infineon 0.8-2.4 200 0.65 1.8 6000 200V UDS, SMT und LL (seltene Kombi) Far, Schu, RS 0.56
IRF7455 SO-8 irf 4.5 30 15 2.5 7.5 Kes 1,04
SI4442DY SO-8 vis 2.5 30 22 2.5 5/4.5V Kes 1,64

Rei, (Tabelle mit Click im Kopfbereich sortierbar, a.A.=Auf Anfrage)

FET-Paare

Bezeichnung Package Hersteller UGS/V UDS/V ID/A P/W RDSon/mOhm Bemerkung Lieferant ca. Preis
irf7389 SO-8 irf 3.0 30 7.3/-5.3 2.0 29/58 p+n Rei 0.56
IRF7501 micro8 irf 2,7 20 2,4 ? 135/4,5V 2*n Kes,Con 1,64
IRF7506 micro8 irf 4,5 30 1,7 ? 270/10V 2*p Kes,Con 0,56
IRF7316 SO-8 irf 4,5 30 4,9 ? 58 2*p Rei 0,49
IRF7313 SO-8 irf 4,5 30 6,5 ? 46/4,5V 2*n Kes,Con 0,66

Mosfet-Treiber

Bitte - falls möglich - auch bei den MOSFET-Treibern einen möglichen Händler nennen!

Bezeichnung Bemerkung Lieferant / Datenblatt
IR2101 High & Low-Side Driver, 130/270mA Con
IR2104 Half Bridge Driver, 130/270mA Con
IR2110 High & Low-Side Driver, 2A Rei Con
IR2111 Half Bridge Driver 200/430mA Rei Con
IR2112 High & Low-Side Driver, 200/420mA Rei Con
IR2113 High & Low-Side Driver, 2A Rei Con
IR2117 Single Channel Driver, 200/420mA (High-Side) Rei Con
IR2121 Low Side Driver, 1A/2A Rei Con
IR2125 Single Channel Driver, 1A/2A (High-Side, Current-Limiting) Rei Con
IR2130 3-Phase Bridge Driver 200/420mA Rei Con
IR2151 Self Oscillating Half Bridge Driver Rei Con
IR2153 Self Oscillating Half Bridge Driver Rei Con
IR2155 Self Oscillating Half Bridge Driver Rei Con
IR2181 High & Low-Side Driver, 1.4A/1.8A Rei Con
IR2183 Half Bridge Driver, 1.4A/1.8A, Ton/Toff=180ns/220ns Rei Con (günstiger als Reichelt)
IR2184 Half Bridge Driver, 1.4A/1.8A, Ton/Toff=680ns/270ns Rei Con (günstiger als Reichelt)
IR2136 3 Phase Driver, DIP28 SOIC28, 120/250mA, Ton/Toff=400ns/380ns Con
ICL7667 Dual Power MOSFET Driver (VCC = 4.5V-15V, 7 Ohm) Rei
HIP4080 Full Bridge Driver & PWM Generator 80V 2,5A DIP20 SOIC20 http://www.intersil.com/data/an/an9324.pdf veraltet->4080A
HIP4080A Full Bridge Driver 80V 2,5A DIP20 SOIC20 http://www.intersil.com/data/fn/fn3/fn3658/
HIP4081 Full Bridge Driver 80V 2,5A DIP20 SOIC20 http://www.intersil.com/data/tb/tb321.pdf veraltet->4081A http://www.intersil.com/data/fn/fn3/fn3178/fn3178.pdf
HIP4081A Full Bridge Driver 80V 2,5A DIP20 SOIC20 http://www.intersil.com/data/fn/fn3/fn3659/
HIP4082 Full Bridge Driver 80V 1,2A DIP16 SOIC16 http://www.intersil.com/data/fn/fn3676.pdf http://www.intersil.com/data/an/an9611.pdf
HIP4083 3 Phase High side N-channel MOSFET driver 80V 0.3A DIP16 SOIC16 http://www.intersil.com/data/fn/fn4223.pdf
HIP4084 4 Phase Driver 80V 0.5A DIP28 SOIC28
HIP4086 3 Phase Driver 80V 0.5A DIP24 SOIC24
VNH3ASP30-E Automotive Fully Integrated H-Bridge Motor Driver (30A, 41V, STMicroelectronics) Distributor#Spoerle, ca. 320 EUR/100 Stk., ohne MwSt URL: Datasheet VNH3ASP30-E

IR21xx Familie Vergleich: http://www.irf.com/product-info/auto/autogdic.html

Anmerkungen

  • UGS - minimale Spannung, zur vollständige Durchschaltung bei maximalem Strom braucht es höhere Spannungen.
  • Logic Level - FET schaltet bei festen Schwellen (z.B. TTL Logic Pegel) hinreichend durch. Bei 5 Volt sind sie oft nahezu voll durchgeschaltet. Nicht Logic-Level kompatible Typen brauchen hierfür typisch 10 V.
  • N-Kanal mit niedrigem RDS,On sind technologisch einfacher herzustellen, als P-Kanal. Deshalb gibt es bei P-Channel keine so große Auswahl und oft werden Schaltungs-Designs angestrebt, wo ausschließlich N-Kanal verwendet werden. Es gibt spezielle Treiberbausteine, die über eine Ladungspumpe für entsprechend hohe Gatespannung auch für die High-Side N-Fets sorgen ("Bootstrap Circuits").
  • Bei der Dimensionierung ist zu beachten, dass die Stromangabe i.A. für 25°C gilt. Geht man davon aus, dass der MOSFET mit max. zulässigem Strom betrieben wird und mit passend dimensioniertem Kühlkörper ausgestattet ist, so beträgt die Sperrschichttemperatur bis zu max. 150°C, folglich gilt z.B. für den IRF540 nicht mehr 28A, sondern nur noch ca. 12-15A.
  • Restströme sind auch stark von der Temperatur abhängig. Bei höherer Temperatur nehmen die Restströme stark zu. So können durchaus 100 uA zwischen Source und Drain auch im gesperrten Zustand fließen (bei 70-100 Grad). Bei 25 Grad ist dieser Reststrom meist bei 1uA spezifiziert. Real sind es meist weniger.
  • Die Gate-Charge-Werte (s. Datenblatt) bestimmen, wie schnell das Gate beim schalten umgeladen werden kann. Auch wenn Mosfets stromlos den durchgeschalteteten Zustand halten können, braucht man während des Umschaltvorganges einen Strom, der das Gate umlädt (ähnlich wie ein Kondensator). Je höher dieser Strom, um so schneller ist der Umschaltvorgang und um so geringer die Verlustleistung während dieser Phase. Leistungsmosfets können bei höheren Frequenzen (>1KHz) oft nur mit höheren Gateströmen von 100mA-2A sinnvoll geschaltet werden. Man kann das Gate also nicht direkt an einen Digitalpin anschließen. Manche Mosfets haben eine sehr geringe Total Gate Charge (z.B. 4-10). Diese können in gewissen Grenzen recht gut direkt an digitalen (Prozessor)-Ausgängen betrieben werden.

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