N-Kanal MOSFET
maschinell erzeugt
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Spannunngsübertragung mit Luftspulen
Ohm), wird der IRF830, obwohl der Strom (60mA) gleich bleibt, sehr heiß. Wenn ich eine Diode (D1 gestrichelt) zum IRF830 parallel schalte, steigt der Strom stark an (über 200mA) und der Transistor wird noch heißer. Laut
Das ist keine Kunst ;-) >Sobald ich die Spule >einsetzte (1950 Wdg ~ 110 Ohm), wird der IRF830, obwohl der Strom (60mA) >gleich bleibt, sehr heiß. ;-) >Wenn ich eine Diode (D1 gestrichelt) zum >IRF830 parallel schalte, steigt der Strom stark an (über 200mA) und der >Transistor wird
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Röhren verstärker
2 Frage wo ist der Unterschied Zwischen einem irf 830 und einem irf 830 vis! Sorry bin mit dem Handy im forum für die Recht schreibung
Marc-Mike schrieb im Beitrag #5823494: > Zwischen einem irf 830 und einem irf 830 vis! das vis steht für Vishay (Siliconix), den Hersteller?
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Unterschied IRF 830 Y98K ML und IRF 830 Y95T HL
Ich habe mein kaputten Deckenfluter geöffnet und dabei festgestellt, dass die beiden Mosfets: IRF 830 Y95T HL IRF 830 Y98K ML beide zwischen alle Pins keinen Widerstand besitzen, also ein Durchgang haben. Nun wollte ich diese beiden ersetzen, in der Hoffnung, dass lediglich die Leistungselektronik
Hallo, Julian schrieb im Beitrag #3260009: > IRF 830 Y95T HL > IRF 830 Y98K ML und > ich nicht weiß, worin genau der Unterschied zwischen diesen Mosfets > besteht? Ich vermute ja, dass der eine ein p- und der andere ein n-kanal > Mosfet ist
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N-Channel Power Mosfet
gesehen das ich mich vertan habe. Asche auf mein Haupt ! Es ist ein P-Channel... Würde ein IRF830STM reichen ? (jetzt ein P-Mos =) ) Hm, Id müsste 10A sein, ich finde jetzt kein Datasheet zu dem IRF830STM!? Aber ein IRF830S hat nur 4,5A =*( ich bin jetzt nicht so erfahren und finde irgendwie
also wenn der IRF830S nur 4,5A abkann, dann ist dies natürlich kein Ersatz (es sei denn, Du weißt genau, daß der ursprüngliche T in der Schaltung bereits reichlich überdimensioniert war). Beim großen C sind die Dinger
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Probleme bei StepUp Wandler Dimensionierung
95,25 % Spannungsteiler: R1 = 6,8 kOhm R2 = 1,088 MOhm Als Schalttransistor habe ich einen IRF 830 gewählt. Die Spule ist eine dicke Ringkerndrossel. Soweit so gut. Spannung passt auch. Jedoch habe ich bei einem Versuchsaufbau die 25 mA Last mit einem 8,2 kOhm Widerstand simulieren wollen. Dabei
vorerst mal alles klar. Bleibt nur noch die Frage offen mit welcher Sättigungsspannung Usat von IRF 830 ich rechnen soll, das leuchtet mir nicht so ganz ein.
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Probleme mit Spannungsunterschieden beim Schalten
durchschalten will, dann braucht man eine Gatespannung ÜBER der Versorgungsspannung. Bei deinem IRF830 muss Vgs 10V sein damit Rds 1.5Ohm wird. Wenn dann 1A fließt wird Vds 1.5V und Vgd also 8.5V. LG, Sebastian
dass die Zehnerdiode eine Durchbruchsspannung zulässt, wo der Fet eigentlich sperren würde. Bei dem irf 830 allerdings erst bei 600 Volt. Habe ich etwas vergessen?
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Richtiger Transistor für 24V schalten per TTL?
Anforderung: 24V schalten, 4-5A liefern, und per TTL schaltbar sein. ich bin bei Farnell jetzt auf den IRF830PBF http://ch.farnell.com/vishay-formerly-international-rectifier/irf830pbf/mosfet-n-to-220-500v-4-5a/dp/8648549 Das das Ding hoffnungslos überdimensioniert ist(glaub ich) sei erstmal dahingestellt
>24V schalten, 4-5A liefern, und per TTL schaltbar sein. >ich bin bei Farnell jetzt auf den IRF830PBF >http://ch.farnell.com/vishay-formerly-internationa... >Das das Ding hoffnungslos überdimensioniert ist(glaub ich) sei erstmal >dahingestellt, dafür ist er relativ günstig: >Uds 500v (die