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IGBT H-Brücke - weggeschossen
ZXGD3004 (bipolar!, kein temperaturabhängigen Kanalwiderstand, sauschnell), galvanische Trennung ADUM1233, bei Strömen 0...40A, Frequenzen bis 35KHz und 100ns DeadTime sehr gute Schalt- und EMV-Performance erziehlt. > Was meint ihr dazu, ist ein IGBT oder MOSFET besser geeignet? Wie ich weiter oben