Artikel der Woche: IGBT

Ein IGBT kann im ersten Ansatz wie eine Kombination aus Feldeffekt-Transistor und Bipolarem Transistor betrachtet werden, bei der ein N-Kanal FET einen PNP Bipolartransistor ansteuert. Daher ist der IGBT bezüglich der Ansteuereigenschaften wie der FET als spannungsgesteuertes Bauelement zu betrachten.

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