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H-Bridge Current Spikes
Aktuell stellen sich mir folgende Fragen: 1) Wieso schalten die CSD8853 deutlich schneller als die IRF7351. Laut Datenblatt ist das für mich nicht so ersichtlich. Wohl aber in Messung und Simulation. Außerdem ist es so, dass beim erreichen des Miller-Plateau beim IRF noch ca. 75% der Drainspannung anliegen
rise- und falltimes 1,8 Ohm als Gate Widerstand angegeben: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRF7351-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b Man sollte sich zumindest an den Werten orientieren
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Include Mosfet Models in LT Spice - einer geht, einer nicht
vergleichen. Von der Herstellerseite habe ich mir die Modelle heruntergeladen. CSD88537ND (TI) irf7351pbf Ich füge die Modelle über den .include Befehl ein. Die Files liegen im selben Ordner wie die Simulationsdaten. Über ctrl+klick ändere ich den präfix auf X und trage den Name des Devices ein
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CNC-Fräse gebaut [fertig] mit Mechanik, Motorsteuerung, GRBL und mehr
Mein Schaltplan entspricht ziemlich genau dem Vorschlag aus dem Datenblatt. Ich nutze IRF7351 als Externe-FETs und zusätzlich 3A 60V Shottkydioden parallel zu den parasitären Dioden der FETs. Was mir auch auffiel ist das die Treiber bei zu niedrig eingestelltem Strom nicht sauber lief