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Aliexpress - Fakerisikoerfahrungen bei Bauteilen?
schrieb im Beitrag #4393530: > Würde jetzt gern vermehrt passive Bauteile bestellen, z.B. FETs irfb4110 Naja, das ist ein Fake ja schon Bedingung.
schrieb im Beitrag #4393530: >> Würde jetzt gern vermehrt passive Bauteile bestellen, z.B. FETs irfb4110 > > Naja, das ist ein Fake ja schon Bedingung. Sorry, kapier ich net, was möchtest du mir damit sagen?
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Mit Mosfet 60V 80A schalten
Drei IRFB4110 werden doch zusammen 40A packen, oder?
Was ist an dem so gut? Wenn ich die Datenblätter richtig lese, ist der RDSon schlechter als beim IRFB4110. Was macht den von Dir genannten besser?
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Parallelschaltung MOSFETS im Wechselrichter - warum ?
D.H. T. schrieb im Beitrag #6485045: > Der geheime MOSFET lautet IRFB4110, dort steht im Datenblatt unter > "Absolute Maximum Ratings": Continuous Drain Current, VGS @ 10V = 120A, > was meines Wissens eine Dauerlast von max. 120A ermöglicht Ja, dauerhaft, sofern dein
Gehäuse auf 25°C gehalten wird. Genau daran > wird es scheitern. Da irrst du dich leider beim IRFB4110, das Datenblatt macht etwas Hoffnung: https://www.infineon.com/dgdl/irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b mfG Thomas
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Heizelement einer Akkunebelmaschine mit 48v schalten
://www.reichelt.at/at/de/mosfet-n-kanal-100-v-180-a-rds-on-0-0037-ohm-to-220ab-irfb-4110-p90303.html? Als Diode ginge eigentlich vieles, auch Netzgleichrichter - von der geringen Schaltfrequenz her. Aber die hier wäre halbwegs günstig und auch noch sehr effizient, noch dazu isoliertes
Dankeschön dann werde ich den IRFB 4110 nehmen. Zudem bräuchte ich dann noch eine Diode zu meinem Heizelement falls eine Induktion auftreten sollte? Benötige ich noch einen Widerstand zwischen Source und Drain? Sollte der Mosfet
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Seriöser Händler für IRFB4110
Fritz G. schrieb im Beitrag #7854701: > IRFB4110 zu vernünftigen Versandkosten liefern kann. Ich will damit 10A > bei max 58V schalten. Für nur 10A so einen dicken? Und für 58V müsste es ja auch kein 100V Typ sein.
> Reichelt aus? Es gab auch bei R. schon Wunder. https://www.tme.eu/de/katalog/?queryPhrase=IRFB4110
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Super-Zener-Diode: Differenzieller Widerstand
Super-Zener-Dioden mit zwei gleichen Z-Dioden und zwei unterschiedlichen MOSFETs aufgebaut. Einmal N-Kanal IRFB 4110 und einmal P-Kanal IRF 5210. Der Grund für die Auswahl war einfach, was da ist. Die Zener-Diode wurde natürlich immer zwischen Drain und Gate geschaltet. Getestet wurde mit einem Vorwiderstand
Spannungsbegrenzung liegt bei beiden FETs in etwa gleich (6,3 V), allerdings bleiben bei 50V über 2,/ Ohm am IRFB 4110 nur schlappe 6,5 V (bei kaltem FET), beim IRF 5210 aber satte 7,2 V. Vom RdsOn sind beide Werte meilenweit entfernt. Deshalb meine Frage: Von welchem Parameter des FETs hängt der differentielle
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Zwei MOSFETs parallel, Strom durch Wärmeleitpaste?
Hallo, habe mir einen PWM DC Motor Controller gebaut, den ich jetzt mit stärkeren MOSFETs(IRFB4110) neu aufbauen möchte. Habe einen 2 Quadrantensteller der aus 2 MOSFETs besteht. Um Rds zu verringern schalte ich jeweils einen zweiten MOSFET parallel. Jeweils zwei MOSFETs sind auf einen Kühlkörper
scheinen mir 120A etwas sportlich >1ms http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/227583/IRF/IRFB4110QPBF.html Füüüher hat man statt TO-220 eine Sicherung eingebaut. :-)
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Step-Up Transistor laufend defekt
x 2 = 4,2W. <1% gesammt, aber 4,2W die man am Halbleiter wegkühlen muss. Mit einem zweiten IRFB4110 als synch Gleichrichter sind das ca. 0,05W. Da braucht es nicht mal einen KK.
Wie gesagt, Überstrom glaube ich nicht. Der IRFB4110 hat kein Problem damit, ein 10..12A Solarmodul immer wieder komplett kurzzuschließen. Zu heiß wird das Ding ja wohl hoffentlich nicht werden, das sollte de TE ausschließen können. Ich glaube