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Blinkrelais für Torantrieb
gelöst, wenn ich nach dem Mosfet einen Spannungsfolger hinzu schalte? Im Datenblatt des Mosfets IRFB4127PBF finde ich eine Abbildung, dass bei einem Gate-to-Source Voltage von 5V theoretisch 0,2A vorhanden sein sollten (siehe beigefügt Abbildung). Das ist zwar für diese Glühbirne auch zu wenig, aber
SteffPriko schrieb im Beitrag #3525072: > Im Datenblatt des Mosfets IRFB4127PBF finde ich eine Abbildung, dass bei > einem Gate-to-Source Voltage von 5V theoretisch 0,2A vorhanden sein > sollten (siehe beigefügt Abbildung). > Das ist zwar für diese Glühbirne auch zu wenig
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DIY Erodiermaschine Spannung bei Duty Cycle OFF Time ca +3V anstatt 0V?
auf ein defektes Bauteil schließen? Irgendwo muß die Spannung ja herkommen ? Die Hexfets IRFB4127 Q3-6 werden mit den Spannungen angesteuert, hier kann ich die Durchschaltspannung im Datenblatt nicht erkennen, müsste eigendlich VGS (Gate-to-Source Voltage) sein aber da ist +-20V angegeben?
Kann es sein, daß du einen der beiden Transistoren verpolt oder verwechselt hast? > Die Hexfets IRFB4127 Q3-6 werden mit den Spannungen angesteuert, hier > kann ich die Durchschaltspannung im Datenblatt nicht erkennen, > müsste eigendlich VGS (Gate-to-Source Voltage) sein aber da ist +-20V > angegeben
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Mosfet Halbbrücke hat starke Überspannungen am unteren FET
Gatetreiber direkt an den Mosfets) - andere Gatetreiber - andere Mosfets (IRFB4410, IRF530N, IRFB3607, IRFB4127) - andere Tastköpfe - Tektronix Oszi anstatt dem Agilent mit passendem 100MHz Differenztastkopf. - niedrigere Verriegelungszeit - rein ohmsche Last (50W Lastwiderstand, hier wird das Schwingen
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R 1k lässt HF Rechteckspannung von IC 555 nicht durch DIY Erodiermaschine
Buchse, positiv rot in Widerstandsmessbuchse) mit eingelöteten Hexfets durchgeführt: Hexfet IRFB4127 (N-MOSFET) positive Meßspitze an Drain neg an Gate -> OL ; neg an Drain pos an Gate -> 12,8 Megaohm Dann war die Diodenmessfunktion dran: pos an Drain neg an Source -> OL