Im Forum und im Wiki
-
Thread
GaN-FETs: Wer kennt sich aus?
Okay, dann bedarf es aber wirklich "Finetuning" um mit den Totzeiten zu spielen. Der Treiber (LM5113) hat nämlich keine verhinderung der gleichzeitigen Aktivierung von Hi und Lo. Reichst ggf. nur eine Diode in der Lowside? Oder ganz doof gefragt, wie groß müssten die Dioden bemessen sein? Aktuell
-
Thread
SOI oder BiCMOS - Wie bekommt man das raus?
bekommt man raus, was für eine Technologie hinter einem IC Steckt? Mich interessiert besonders der LM5113. Ist das ein SOI oder ein BiCMOS? Kann man das irgendwie aus dem Datenblatt entnehmen?
-
Thread
Mini LLC Wandler - mit Gate Treiber als Halbbrücke möglich?
Stimmt, denn habe ich ganz vergessen ;) Der ist ein Assembly aus, ich meine 2x EPC2016 und einem LM5113 Die. https://www.systemplus.fr/reverse-costing-reports/texas-instruments-lmg5200-gan-power-stage/. TI und EPC haben/hatten da eine strategische Partnerschaft. Bei den hochspannungstypen die TI in den
-
Thread
False Turn On bei Synchron Buck mit eGaN FETs
Ich hoffe ein pdf reicht und ist ok?! (da steht zwar nur pngs verwenden..) @blubb: Ich verwende LM5113 (Isink=5.8A Isource=1,25A @ 7V und 10nF Last). Die Propagation Delayzeiten von dem Ding sind super: 10-15ns. Rpulldown=0,25 Ohm, Rpullup=2-3 Ohm Bisher habe ich als Gatebeschaltung nur einen
Ich verwende den LM5114!!! Ich hatte zuletzt den LM5113 genannt, sry, das war falsch! Ja, das Whitepaper hatte ich schonmal gesehen. Danke