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PWM Endstufe für 12V 100W
den N-Kanal auch mit Drain an + legen, dann brauchst du aber einen High-side-driver wie z.B. den LTC1155, der die Gate-Spannung deutlich >5V über die Source-Spannung bringt.
Wenn du den LTC1155 benutzt brauchst du nur noch 'nen 100 Ohm-Widerstand zur Gate und kannst dan N-Kanal-MOSFET gegen + schalten. Der LTC kostet so um 7.50€ bei Reichelt und hat 2 Treiber drin (DIL 8). Weiß nicht was
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MOSFET-Treiber LTC1155
Moin, nach dem immer noch nicht gelöstem Drama mit dem IR2125 eine kurze Frage: Ist der LTC1155 PWM-geeignet von 0 bis 100% oder gibt es ähnliche Einschränkungen wie beim IR2125. Danke, Udo
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high side switch
Ach ja: der LTC1155 kann das auch, bin mir aber wegen der max. Spannung nicht sicher. Musst mal im Datenblatt schauen. Ist aber teurer als die DC/DC-Lösung, kostet 7,xx€ bei Reichelt.
auch nur der Hinweis auf einen DC/DC-Wandler oder einen Step-Up-Wandler bzw. Ladungspimpe ein. Der LTC1155 ist ein schöner Baustein, geht aber nur bis max. 18V und ist somit für deine Anwendung nicht geeignet. Da mich das Thema auch interessiert: Kennt jemand noch einen anderen Treiberbaustein *mit
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Peltier-Treiber
billig-Kondensatoren (Elkos) schnell die Ohren an! Als Highside-Driver für die N-Kanal-MOSFET's empfehle ich den LTC1155. Nicht ganz billig aber gut! Und Du willst wohl mit dem Teil nicht in Serie gehen oder?
ausprobieren. @Thilo - Ich entwickle erstmal einen Dummy und anschließend geht`s in Serie. Ich werde den LTC1155 aber trotzdem probieren. Mit dem kann ich zwei MOSFET´s mit einem Kanal antreiben. Danke für den Tip. Wichtig ist, dass ich die FET's gleichzeitig betreibe, um keine Kurzschlüsse zu verursachen
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MOSFET SCHMILZT
Setz' einen LTC1155 und einen 100 Ohm widerstand vor die Gate, dann wird er sauber und schnell durchgeschaltet. Auch bei höheren PWM-Frequenzen. Ein Blick ins Datenblatt schadet auch nicht, wieviel Strom der MOSFET bei
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klappt die Ansteuerung von Fets mit Mega8 so?
*OMG* gibt da aber nen LTC 1155 :-)
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Leistungstransistor für Zündspulen
durchgeschalteten Bereich und verbrät mächtig Leistung. Es gibt auch eigens dafür konzipierte ICs wie den LTC1155.
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Strombelastbarkeit von Pins an Hochstrom Bauelementen
des PWM mit Sicherheit (Frequenzen an Kapazitäten ergeben halt höhere Ströme!). Ich verwende den LTC1155 zum Treiben der highside-N-Kanal-FETs, ist zwar nicht ganz billig, dafür aber sicher.