Du mußt den Transistor niederohmiger ansteuern. Mit den 82 Ohm und der
Eingangskapazität des Transistors ergibt das eine zu hohe Zeitkonstante
bis zum vollen aufsteuern. Also am besten noch 2 Transistörchen als
Treiber mit vorsehen.
Martin J. schrieb:> wenn es auch der Treiber 1 tun würde?
Es ist der 2. von mir gemeint. Die Gatekapazität wird schneller
umgeladen und dadurch weniger Verluste im Mosfet, weil dieser schneller
ein- und ausgeschalten wird.
Martin J. schrieb:> für was wird die diode benötigt
Geringerer wirksamer Widerstand beim einschalten durch Parallelschaltung
von R1 und R2. Dadurch also schneller.
Alexander schrieb:> Und wie würde ein kompletter Schaltplan mit dem Treiber 2 aussehen?
Was gefällt Dir an dem Schaltplan nicht? Du nimmst den Mosfet, den Du
schon hast. Betriebsspannung, die Du schon hast. R4 an Pin 3 des NE555,
den Du schon hast...
@Alexander
nimm einen fertigen, integrieten mosfet treiber und gut. das selbstbau
zeug braucht man sich wirklich nicht antun - und du hast eine
fehlerquelle weniger!
Andi D. schrieb:> nimm einen fertigen, integrieten mosfet treiber und gut. das selbstbau> zeug braucht man sich wirklich nicht antun - und du hast eine> fehlerquelle weniger!
Nenn mir einen vernünftigen Grund, weshalb dieser Treiber nicht
ausreichend ist.
Das einzige, was man dazu wissen muss, ist das die Ausgangsspannung des
Treibers max. Ub - Ube ist, d.h. man sollte diesen Treiber in dieser
Applikation mit mindestens 12V ansteuern.
Ausserdem sollte man ausreichend dimensionierte Transistoren verwenden,
z.B. den ZDT6790 (bei Reichelt für 0,74€).
Wir benutzen diese Art von Treiber, um 200A IGBTs anzusteuern.
> Der Transistor sollte nach den Angaben, aber fast 200 A schaffen.
Nein.
Lern lesen.
120A.
Mehr geht nicht über die dürren Anschlussbeinchen von TO220.
Immer noch ausreichend, aber TO220 Winzgehäuse ist natürlich auch
winzig, um eventuelle Verluste abführen zu können, die müssen alle über
das halbe Quadratzentimeterchen Auflagefläche an einen hoffentlich
grossen Kühlkörper.
Hast du überhaupt einen Kühlkörper ? Du schreibst nichts davon in deinem
Beitrag. Ich hoffe du weisst wozu die Lasche mit dem Loch am Transistor
dran ist. Nicht zum Auffädeln am Selbstbedienungsregal.
> Der Transistor muss im diesem Fall, für mich, bis zu 40 A aushalten.
Unwanhrscheinlich.
> ein Motor mit 48 Volt und 2kW
Der Motor braucht ja schon bei Nennleistung 40A. Aber der Transistor
muss auch den Anlaufstrom und den Blockierstrom aushalten, und der wird
deutlich über 40A liegen, und damit ploppt beim ersten Losfahren der
Transistor sein Gehäuse auf.
Miss mal den Innenwiderstand des Motors, teile 48 durch Widerstand, und
schau ob das unter 120 bleibt. Wenn nein hast du sowieso schon verloren
und brauchst einen dickeren Transistor.
Wenn es noch passt, kommen zu den Leitverlusten (0.0033 Ohm mit 120A =
50 Watt, bei 40A immer noch 5 Watt) die Umschaltverluste hinzu.
Und da ist deine Schaltung nicht der Hit. R3 bremst das Umladen
gnadenlos aus, 3V reichen vorne und hinten nicht, P1 ist eher hochohmig
und damit störungsanfällig dimensioniert, C1 viel zu klein und damit
eine viel zu hohe PWM Frequenz.
Versorge die Schaltung mit 12V, lass R3 weg (0 Ohm), nimm für C2
mindestens 10nF (falls P2 mit 1MOhm bleibt) oder 100nF (P1 100k), und
eine Motor mit 40A ANLAUF/BLOCKIERstrom sollte problemlos steuerbar sein
(ohne den von den anderen hier vorgeschlagenen MOSFET-Treibern, denn der
NE555 kann auch immerhin 250mA liefern, das reicht bis zu 1MHz schon
aus).
Allerdings ist zu vermuten, daß du den Anlaufstrom "vergessen" hast.
Ich hab anscheinend vergessen paar Änderungen anzugeben.
Und zwar hab ich schon im Vorraus 300nF Kondensatoren eingebaut.
Ich verwende 4*Bleigelakkus, jeden davon liefert 12V/7Ah. Im Test hab
ich nur ein Akku verwendet. Natürlich ist bei mir der Anlaufstrom
groß(ca. 20A für etwa 1 Sekunde). Die 7A war der konstant Verbrauch,
also wenn er nur noch die Umdrehungen "halten" muss.
Wenn ich den Treiber 2 noch einbauen würde, müsste ich dann noch einen
Kühlkörper benützten?
Ich glaub des war jetzt alles.
noch ein Sache...
Der Innenwiderstand ist ca. 0.5-0.8 Ohmen.
Also lieg ich unter den 120.
"IRFB 3077 :: Leistungs-MOSFET N-Ch TO-220AB 75V 210A", warum sollte die
produktbeschreibung nicht stimmen, MaWin?
Alexander schrieb:> "IRFB 3077 :: Leistungs-MOSFET N-Ch TO-220AB 75V 210A", warum sollte die> produktbeschreibung nicht stimmen, MaWin?
Schau mal richtig ins Datenblatt. Dort dürfte die Beschränkung durch die
Bauform aufgeführt sein.
wegen der kleinen 1 neben den 210A
1 Calculated continuous current based on maximum allowable junction
temperature. Bond wire current limit is 120A. Note that current
limitations arising from heating of the device leads may occur with
some lead mounting arrangements
> warum sollte die produktbeschreibung nicht stimmen, MaWin?
Weil du jetzt wie alt bist
und immer noch nicht verstanden hast,
was Marketingbullshit und Reklameverarschung
ist ?
"Neuestes iPhone für nur 1 EUR [1]"
> müsste ich dann noch einen Kühlkörper benützten?
Ja.
> Natürlich ist bei mir der Anlaufstrom groß(ca. 20A für etwa 1 Sekunde).
Das ist ja nichtg mal der Nennstrom.
Also keineswegs dein Anlaufstrom.
Der liegt eher bei
> Der Innenwiderstand ist ca. 0.5-0.8 Ohmen.
96A, an einem 0.0033 Ohm MOSFET entstehen in diesen Sekunden
also 30 Watt Verlustleistung. Das geht ohne KK gar nicht,
aber er muß nicht so viel abführen können, nur wärmeträge sein,
denn die 5 Watt im Dauerbetrieb bei 2kW erfordern einen eher
kleinen Kühlkörper, 5K/W reicht locker.
>> Der Innenwiderstand ist ca. 0.5-0.8 Ohmen.
Wobei in diesem Wert evtl. noch paar zehntel Ohm Leitungswiderstand
stecken (Meßkabel). Die sollte man also noch abziehen, bevor man
weiterrechnet.
