Hallo Leute,
ich bin auf der Suche nach einem High Side N-FET Treiber für ein
Netzteil.
Alle Treiber die ich bisher gefunden habe, brauchen, um die High Side
Ladungspumpe zu laden einen "Low Side" Schaltvorgang, den ich nicht habe
- da ich nur einen High Side FET besitze.
Gibt es solche Treiber überhaupt? Hab u.A. bei IR gesucht, aber nichts
gefunden (oder falsch gesucht).
Meine Parameter wären:
Schaltfrequenz min. 100kHz max. (theoretisch) 500kHz
Spannungsfestigkeit >=80V (kann aber auch < 200V bleiben)
und sollte nach möglichkeit einen FET mit max. 60nC in der genannten
Frequenz treiben können - also ungefähr in max 30ns(?).
Besonderheit wäre, das eigentlich auch 100% "On" machbar sein müsste!
Das ganze soll einen P-FET erstezten. Dieser hat leider zu hohe
verluste. Und da die max. Größe leider vorgeschrieben ist, kann ich z.B.
keine zwei P-FETs benutzen oder N-FETs mit Trafo-Treiber, oder N-Fet
Treiber mit externen galv. DC/DC wandler. Ein disktreter Aufbau mit
Ladungspunme fällt weg wegen der 100% "On" - es ist zum Mäusemelken :-(
Meine Hoffnung wäre ein High Side FET Treiber mit Ladungspumpe die eine
eigene Generator besitz um diese zu laden (also nicht über die PWM
Taktung). Gibt es soetwas überhaupt?
Und ja, ich habe div. App Notes von Treibern gesehen, die perm. On über
eine NE555 Ladungspumpe machen (was ich auch schon einige male
realisiert habe) - passt nur leider aus Platzgründen nicht :-(
Danke für eure Hilfe!
Klingt nach diskretem Aufbau. DC/DC Wandler für High-side Spannung,
Digitaler isolierter Koppler und Treiberstufe. Damit hast du dann aber
alle Möglichkeiten.
Grüsse
Welche Spannungen hast/brauchst du (PWM / High-Side Gate, Versorgung)?
IRF, Micrel, Linear Technology, TI, ST, irgendwo wird schon was zu
finden sein ("high side driver integrated charge pump")
Gefunden habe ich jetzt in der Tat welche, die sind aber eher für
statischen Betrieb gedacht - aber nicht um sie zu PWMen. Also eher High
Side Schalter.
Joe F. schrieb:> Welche Spannungen hast/brauchst du (PWM / High-Side Gate, Versorgung)?
Mein PWM Signal hat 3,3V bzw 5V Logik und für das Gate habe ich noch
einmal 10-15V. Alles Std.
Moos Fett schrieb:> Das ganze soll einen P-FET erstezten. Dieser hat leider zu hohe> verluste.
Und was soll der N-FET daran ändern?
Ermittle, was das für Verluste sind und setze da an.
Anbei ein bewährte Treiberschaltung (250kHz).
Moos Fett schrieb:> Spannungsfestigkeit >=80V (kann aber auch < 200V bleiben)Peter D. schrieb:> Und was soll der N-FET daran ändern?> Ermittle, was das für Verluste sind und setze da an.
Es soll ein P-FET der aktuell 0,025 Ohm hat gegen einen N-FET mit 0,005
Ohm getauscht werden, was rechnerisch die verluste drittelt. Noch dazu
haben die P-FETs < 100nC Gate Kapa im seltensten fall einen RDson von <
0,05 Ohm, anders als bei den N-FETs (kleinere gate Kapa wäre lieber).
Noch dazu sind die P-FETs in der leistungsklasse mind. 200% teuere als
die N-FETs - das ist aber eher nebensächlich.
Die Frage nach der Spannung, die du schalten möchtest steht noch aus.
Denn danach bemisst sich die Spannung, die die Charge-Pump des
Gate-Treibers erzeugen muss...
Achso, das meinst du mit "Spannungsfestigkeit"? 80V..200V zu schaltende
Spannung also?
Joe F. schrieb:> Achso, das meinst du mit "Spannungsfestigkeit"? 80V..200V zu schaltende> Spannung also?
Jup. Wobei eher 50 - 70V Versorgungsspannung (+Charge Pump) anstehen und
der Rest "Derating" ist. Zuätzliche 12V mit Massebezug wären auch da.
Moos Fett schrieb:> Alle Treiber die ich bisher gefunden habe, brauchen, um die High Side> Ladungspumpe zu laden einen "Low Side" Schaltvorgang, den ich nicht habe> - da ich nur einen High Side FET besitze.
Sicher dass du keinen "Low Side" Schaltvorgang hast?
Keine "Low-Side Schottky", die immer dann "Schaltet", wenn der High-Side
FET offen ist?
Zeig mal den Schaltplan oder sag wenigstens, welche
Schaltregler-Topologie es ist.
Moos Fett schrieb:> Es soll ein P-FET der aktuell 0,025 Ohm hat gegen einen N-FET mit 0,005> Ohm getauscht werden, was rechnerisch die verluste drittelt.
Sicher, daß die ohmschen Verluste dominieren?
Moos Fett schrieb:> Noch dazu sind die P-FETs in der leistungsklasse
Welche denn überhaupt?
Eine Treiberstufe für 1A ist was völlig anderes, als eine für 1000A.
Nicht immer so mit den wichtigsten Eckdaten knausern.
Bis zu 60V Eingangsspannung, 24V/6A (~150W) Ausgang.
Zeta ist Vorgabe, da so ein "Sterben" des Halbleiters die Ausgangsseite
nicht beeinflusst (Kurzschluss oder Gar Vin = Vout bei z.B. Step Down) -
Sepic hat eine Diode im Ausgang, die bei der Applikation locker 4-7W
Verlust erzeugt hätte. Flyback, Push/Pull,... war nicht gewünscht wegen
magnetischer Einflüsse :-/
Tja, in der Tat nicht so einfach, ohne externe Chargepump.
Mit 99% ON auszukommen wäre keine Option?
100% ON macht doch bei diesem Regler eh keinen Sinn...
Moos Fett schrieb:>> Es soll ein P-FET der aktuell 0,025 Ohm hat gegen einen N-FET mit 0,005> Ohm getauscht werden, was rechnerisch die verluste drittelt. Noch dazu> haben die P-FETs < 100nC Gate Kapa im seltensten fall einen RDson von <> 0,05 Ohm, anders als bei den N-FETs (kleinere gate Kapa wäre lieber).> Noch dazu sind die P-FETs in der leistungsklasse mind. 200% teuere als> die N-FETs - das ist aber eher nebensächlich.
Kernige Anforderungen. Selbst bei N-FETs bleibt da nicht viel übrig:
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BSC070N10NS3-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304327b89750012824712c6c6f2f
Und die AN-978 - Seite 18 Figure 16 wirst du wohl auch kennen:
http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf
Tja, der liebe Platzbedarf. Dann noch viel Erfolg...
