hi robert,
nagut, wenn ihr meint die diode packt das, dann werd ichs erstmal so um
die 10MHz probieren.
problem und grund meiner frage war ja, dass mir eben genau die
messmittel, besonders die optischen, fehlen und ich mich mehr oder
weniger auf theorie und schaltungssimulator verlasse.
schutz gegen spikes von aussen sollte ein vorbildliches emv gerechtes
layout und gehäuse sein. schutz gegen überladung durch dumme modulation
eine umkodierung eingehender bytes in byte-chips. schutz gegen
überladung beim einschalten ein soft-start, der die diode als
allerletztes in betrieb nimmt.
interpretiere ich die datenblätter da eigentlich richtig, dass nie
nennleistung nicht die durchschnittliche leistung meint sondern
tatsächlich die peak-leistung? sind die dioden tatsächlich empfindlich
gegen leistungspeaks im nanosekundenbereich? liegt das an der hohen
leistungsdichte im aktiven bereich der diode?
mit dem laserschutz ist das natürlich so eine sache, insbesondere da
ich keinen optischen leistungsmesser zur verfügung habe und so die
ausgangsleistung allenfalls schätzen kann. ich werde die diode aber
ohnehin weit unterhalb der nennleistung betreiben, da auf der zu
überbrückenden strecke von bloss 400m schon ein 1mW laserpointer ein
sehr sattes signal brachte und um die diode zu schonen so gut es geht.
wenn das eingangssignal symmetrisch beim laser ankommt, genügt es wenn
ich es auf einen übertrager gebe, die sekundärseite direkt mit
gate/source eines jfets verbninde und den jfet dann in den strompfad
des stabilisierten stroms für den modulationshub lege?