Dann will ich mal ausholen:
Wenn der Transistor so verschaltet ist, wie dargestellt, entsteht eine
Diode (Katode rechts, Anode links) mit einer Sperrspannung bzw.
Durchbruchsspannung von ca. 30 - 40 V (für den benutzten Transistor),
einer Flußspannung von ca. 0,9 V und einer Sperrverzögerungszeit von ca.
50 - 100 ns. Für eine handelsübliche Diode wären das die Kennwerte von
gestern. Jede Diode (z.B. 1N4148, und die wird schon seit fast 40 Jahren
unverändert hergestellt) ist da besser und billiger. (kalter Kaffee!)
Die dargestellte Lösung wird in integrierter Schaltkreisen eingesetzt,
weil dort die Implementierung von Transistorstrukturen einfacher ist als
die von Dioden (zumindest dann, wenn Dioden und Transistoren
gleichzeitig reinmüssen).
Diskret aufbauen, wie hier, würde man das nicht, sondern immer eine
Diode nehmen, weil deren Daten besser sind und der Preis knapp über Null
liegt.
Der Schaltungszeichner wollte also mal als Selbstdarsteller tätig sein
und den Betrachter verwirren und dumm dastehen lassen, was ihm ja auch
mal wieder gelungen ist (Folklore!).
Die Diode dient als dazu, daß der Impuls den Kondensator lädt. Wenn der
Impuls wieder Null Volt hat, sperrt die Diode und der Ko kann sich nicht
über den Generatorinnenwiderstand entladen, sondern nur über den
parallelen R.
Klaro?
Unbenannt.PNG
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