n-kanal mosfet treiber diskret mit npn und pnp

Gast #712596
Lesenswert?

ich brauche nur kurz eine gedankenstütze, sonst bekomm ich's nicht auf 
die reihe..find's auf die schnelle nicht in den millionen von beiträgen.


ich hab hier bc847 npn und bc857 pnp transistoren, aber ich brings 
durcheinander..

der npn zum entladen des gates nach masse, also basisstrom fließt nach 
masse und nimmt die ladung vom gate mit..

sprich basis logisch an heisst mosfet aus.

der pnp an die versorgungsspannung, basistrom fliesst in den µc und 
damit wird das gate bestromt. logisch 0 ist fet an

richtig so, oder genau falsch?
#712626
Lesenswert?

den NPN nach oben und den PNP nach unten und davor ein 
Kleinsignalmosfet.

Folgender Grund: wenn man einen Bipolartransistor in die Sättigung 
treibt wird er langsam. Wenn man den NPN zwischen Versorgung (Emitter) 
und Gate (Collector) sowie den PNP mit seinem Emitter auf das Gate und 
Collector gegen  Masse klemmt dann erhält man eine schöne 
komplementärstufe. Die Basisanschlüsse der beiden Bipolaren verbindet 
man nun über einen Pullup mit der Versorgung.
                           +V           +V
                            |           |
                            _           |
                           | |          |
                           |_|          |
                            |           |
                            |         |/
                         |--------+---|NPN
        EIN/AUS    ------| n-ch   |   |\
                         |--      |     |
                            |     |     |-------->to Power N-CH Fet
                            |     |     |
                           GND    |   |/
                                  +---|PNP
                                      |\
                                        |
                                       GND
Gast #717833
Lesenswert?

Ich empfehle noch einen Widerstand jeweils vor dem Basisanschluß (z.b. 
1k) zu legen, denn sonst wird eine zu hohe VBE angelegt im Aktivzustand. 
Die Schaltung kann direkt ohne FET mit Pullup betrieben werden!
Persönliche Seite #718382
Lesenswert?

Wo liegt denn der unterschied ob ich die Komplementärstufe per µC oder 
FET ansteuere? "In die Sättigung" wird der Transistor ja sowieso 
getrieben (das hängt ja nur vom Basisvorwiderstand ab).

Bei der aufgezeichneten Schaltung raucht einer der Transistoren 
irgendwann ab, da du per FET fest GND rauf haust. Ganz abgesehen davon, 
dass in der Zeichnung glaube ich NPN und PNP vertauscht sind.

Oder blicke ich was nicht?
#718422
Lesenswert?

Beim Schaltplan von Reinhard sind die Emitter der beiden Transistoren 
als Schaltungsausgang verbunden. Also kann keine Sättigung auftreten, 
der Emitter geht einfach mit der Steuerspannung mit, darum heißt es auch 
Emitterfolger.
Die Ausgangsspannung geht von 0,7 bis +V -0,7V.

Was aber der Kleinsignalfet da soll (außer invertieren :-), verstehe ich 
nicht, die Basen können doch auch direkt (über einen Angstwiderstand) 
angesteuert werden.

Grpße,
Peter
Gast #718428
Lesenswert?

Marius Schmidt schrieb:
> Bei der aufgezeichneten Schaltung raucht einer der Transistoren
> irgendwann ab, da du per FET fest GND rauf haust. Ganz abgesehen
> davon, dass in der Zeichnung glaube ich NPN und PNP vertauscht sind.

Wenn du sie vertauschen würdest, dann würde der PNP abrauchen ;-)

So wie in der Schaltung gezeigt, werden die beiden Tranistoren in
Kollektro-, nicht in Emitterschaltung betrieben. Da sind keine
Basiswiderstände nicht erforderlich, sondern eher hinderlich.

@Marius Schmidt und Peter Roth:
Der kleine FET wird dann benötigt, wenn +V größer als VCC des µC ist,
was oft der Fall ist. Sonst kann man ihn weglassen.
Gast #718438
Lesenswert?

> Das mit den FET ist auch klar. Da könnte man aber auch einen PNP
> nehmen oder?

Einen NPN. Der würde aber im Gegensatz zum FET wieder in die Sättigung
gehen, was in der Schaltung ja gerade vermieden werden soll.
Gast #718891
Lesenswert?

die beiden BC368-Transistoren bilden eine Art Gegentaktendstufe. Bei 
einer LH-Flanke am C des unteren BC368 wird der obere Transistor 
angesteuert über den 1k-R an seiner Basis, und über dessen 
Stromverstärkung kann dieser das Gate  mit viel mehr Dampf hochziehen. 
Der 1k-R erscheint sozusagen viel niederohmiger (FET wird damit 
schneller durchgesteuert).
Ist auch eine typische Schaltung in Videoendstufen - der Widerstand wird 
relativ hochohmig gewählt, womit relativ geringe Verlustleistung erzielt 
wird (und trotzdem relativ schnell)
Gast #719142
Lesenswert?

Wenn ich die Schaltung von Reinhard mal nach seiner Beschreibung 
aufzeichne siehts wie im Bild aus. Also der NPN falschrum, daher sicher 
die Irritationen bei einigen.
Dreht man den NPN, also Kolektor an + und Emitter an Gate passts.
Mitunter kann ein Widerstand zum PowerFET Gate (10 - 47 Ohm) als 
Strombegrenzung nützlich sein.
Angehängte Dateien:
Gast #719279
Lesenswert?

>Dreht man den NPN, also Kolektor an + und Emitter an Gate passts.

Ja, nennt sich "Totem Pole" Schaltung.
Ist im Prinzip nichts anders als zwei gegeneinander geschaltete 
Emitterfolger, bitte dort nachlesen da es ein wichtiges 
Schaltungskonzept ist.
Die beiden Transistoren verriegeln sich quasi gegenseitig so das ausser 
beim Umschalten kein Strom fliesst.
Die Ausgangsspannung ist Vin +- V.BE.

Nur zur Sicherheit nochmal die richtige Schaltungsvariante, (ist ein 
Ausschnit aus einem Step Down Wandeler mit N-MOSFET)
Angehängte Dateien:
Gast #720582
Lesenswert?

>wie sieht die Schaltung weiter links aus??

... ähh, wollte ich eigentlich vermeiden da ich mit ihr noch nicht 100% 
zufrieden bin.

Wollte damit einfach mal eine High Side Ansteuerung für einen N-FET 
ausprobieren, läuft auch so im Einsatz, aber die Level Shifter 
Ansteuerung von Q4 würde ich beim nächsten mal ändern.
Angehängte Dateien:

Antwort schreiben

Bitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben.

oder

Mit Google-Account einloggen

Die Registrierung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.

Jetzt registrieren