MOS-FET als Schalter

OP #2515861
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Hallo,
ich möchte einen MOS-FET IRF520 als Schalter verwenden. Und zwar so, 
dass Strom fließt, wenn GND geschlossen wird.

Hab mal eine kleine Skizze gemacht und möchte von euch bitte wissen, ob 
ich das richtig verstanden habe.

Wenn also SOURCE auf GND gelegt wird dann fließt der Strom durch GATE 
und DRAIN. Richtig so?

Lg
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Gast #2515884
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> Richtig so?

Nein, natürlich nicht, wie man schon am Schaltzeichen
erkennen kann, in dem Gate und Drain offenbar nicht
durch einen Strich verbunden sind, sondern durch eine
Löcke getrennt sind.

Zudem braucht ein IRF520 ca. 10 Volt um eingeschaltet
zu sein, wie man in dessen Datenblatt an der Beschriftung
RDSon VGS = 10 V erkennen kann.

Das wird mit einer CR Batterie also sowieso nichts.

Der Aufwand, aus ca. 3V einen NMOSFET in der Spannungszuleitung
mit 10V einzuschalten, ist erheblich, man braucht einen
Oszillator und eine Ladungspumpe als Spannungsvervielfacher die
eine Spannung auf die Source-Spannung draufsetzt.

Wenn man sowieso schon einen Schalter an Masse hat, baut man
einfach:

   +--------------+
 + |              | +
Batterie       Verbraucher
 - |        /      | -
   +------o/ o----+
Gast #2515976
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Dann versuche es mit einem P-Kanal MOSFET wie IRF9530
und einem 10kOhm Widerstand vom Gate nach Source:

         S       D
 +---+----IRF9530-------------+
 |   |       |    /           | +
12V  +--10k--+--o/ o--+  Verbraucher
 |                    |       | -
 +--------------------+-------+

allerdings kann ein empfindlicher MOSFET im KFZ-Bordnetz
zu Problemen führen, und da du ihn wohl sowieso kaufen musst
kannst du auch gleich einen Autotauglichen PROFET kaufen,
wie BTS432.
Blöderweise schaltet der umgekehrt, Schalter nach Masse
heisst aus.
OP #2517261
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Danke für deine Antwort.
Stimmt, ein Widerstand erscheint logisch, damit die Sorce-Gate Spannung 
bei offenem Schalter auf 0V gezogen wird.

Aber wieso ein p-Mosfet? Ist es nicht so, dass ein n-Mosfet bei 
positiver Source-Gate Spannung und ein p-Mosfet bei negativer schaltet?

Eigentlich hab ich schon einen n-Mosfet und zwar diesen: STD35NF06LT4

Inwiefern sind die empfindlich? Empfindlich auf ein elektrisches Feld 
oder Erschütterungen?

Der BTS432 kommt dann leider nicht in Frage. Die externe Beschaltung 
kann nicht geändert werden.

Lg
#2517283
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@  Athlon N/a (athlon)

>Aber wieso ein p-Mosfet?

Weil der hier besser geeignet ist.

> Ist es nicht so, dass ein n-Mosfet bei
>positiver Source-Gate Spannung und ein p-Mosfet bei negativer schaltet?

Ja. Wenn der P-Kanal aber "kopfüber" an VCC hängt, ist das Gate 
negativer als die Source. Wenn man Vcc schalten will, ist ein P-Kanal 
einfacher nutzbar.

>Eigentlich hab ich schon einen n-Mosfet und zwar diesen: STD35NF06LT4

Hmm.

>Inwiefern sind die empfindlich? Empfindlich auf ein elektrisches Feld

Ja, mit ESD (elektrostatischer Entladung) am Gate killst du so ein Ding 
sehr schnell. Eine Z-Diode mit 12-15V zwischen Gate und Source kann das
Schlimmste verhindern.

>oder Erschütterungen?

Nein.

MFG
Falk
OP #2517318
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Kannst du, oder sonst jemand, bitte erklären warum hier ein p-FET besser 
geeignet ist? Ich weiß, dass der p-FET durch eine Überzahl an Löchern 
"leitet" und dadurch einen größeren Widerstand bietet. Aber warum ist 
dieser hier besser geeignet?
Inwiefern ist dieser einfacher nutzbar?

Ich hab grad gesehen Max. Gate-Source Spannung ist 16 V :/. Dann werd 
ichs mal mit eine Z-Diode probiern.

Danke!

Lg
#2517326
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@  Athlon N/a (athlon)

>"leitet" und dadurch einen größeren Widerstand bietet. Aber warum ist
>dieser hier besser geeignet?

Weil die Ansteuerung einfacher ist. Man kann das Gate einfach auf GND 
ziehen, fertig. Ein N-Kanal braucht hier eine Spannung von VCC+10V, die 
müsste man relativ aufwändig erzeugen.

MfG
Falk

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