Welchen FET soll ich nehmen?

Gast #92505
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Hallo

Das Thema wurde bestimmt schon x-mal hier durchgekaut, aber da liegt
auch das Problem. Genau auf meine Frage eine Antwort zu finden...
Ich suche einen FET (es kommt mir besonders auf den geringen
Innenwiderstand an)  mit dem man Spannungen und Ströme so in den
Bereichen 30V 3A schalten kann. Es wäre ausserdem praktisch, wenn er
sich mit TTL-Pegeln schalten lassen könnte, aber das muss nicht
unbedingt sein. Ich habe vor, folgende Schaltung aufzubauen:

            12..30 V
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Nun stellt sich die Frage, nehme ich selbstleitend oder selbstsperrend
(ich glaub die unterscheidet man so), Anreicherungs- oder
Verarmungstyp. Ich habe keine Ahnung, und deswegen hoffe ich, daß mir
jemand von euch weiterhelfen kann. Am liebsten wäre mir das
Schaltverhalten von einem ganz normalen NPN-Transistor (Also Spannung
ans Gate und zwischen Source und Drain kann ein Strom fliessen).
Ausserdem wäre es sehr praktisch wenn es ein Standart-Typ ist, den ich
dann auch bei Reichelt und Konsorten bestellen kann.
Dann schon mal vielen Dank im Voraus.

Ach ja, die Schaltung wird später in einem Pulswechselrichter
eingesetzt, soll heissen 3mal nebeneinander. Falls jemand dafür ein
fertiges Modul kennt, wäre das auch sehr praktisch (aber nix mit IGBT,
das wäre überdimensioniert).
Gast #92506
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hmm, aus meinem Ascii-Art ist nicht so richtig was geworden, mal sehen
vielleicht klappts ja jetzt:

    12..30 V
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Gast #92507
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also wenn es normale mosfets auch tun:
PKanal IRF4905...bei 3A hat der ne verlustleistung von 240mW. (55V)
NKanal BUZ 11 ...bei 3A hat der ne verlustleistung von 360mW. (55V)
beide relativ güstig und mit geringem innenwiderstand
Gast #92508
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Verarmungstyp ist das gleiche wie selbstleitend, und ein
selbstsperrender ist ein Anreicherungstyp. Es werden hauptsächlich
sebstsperrende eingesetzt, wie die beiden oben genannten.

Logic level sind die aber nicht. Der BUZ11 braucht bei 3A zwar keine so
hohe Spannung am Gate (ca. 6V) um in den ohmschen Bereich zu kommen,
aber 10V oder mehr wären optimal.

Wenn Du zwei n-Kanal-MOSFETs nehmen willst, brauchst Du für den
"oberen" der Transistoren eine positivere Hilfspannung um
durchzusteuern.

Die Verlustleistung ist abhängig von der Frequenz, häufig überwiegen
die Schaltverluste den statischen Verlusten über Rdson bei weitem.
Wenn es also um hohe Frequenzen geht, solltest Du auch auf die
Schaltzeiten achten und auf jeden Fall einen Treiber einsetzen.

MOSFETs sind tatsächlich spannungsgesteuert, im Gegensatz zu
Bipolartransistoren, welche stromgesteuert sind.
Gast #92512
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Na das war doch schon sehr informativ, vielen Dank an alle.

@wolli:

ich benötige zwei fets, da abwechselnd entweder die Versorgungsspannung
oder Ground auf den Ausgang geschaltet werden soll. Soll ne Endstufe für
einen kleinen Synchronmotor werden.

Gruss Felix
Gast #1049593
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Ich habe ein anderes Problem: Ich möchte mit einem Transistor (z.b. 
IGFET) aus einer 12V Spannungsquelle, nach der ein Vorwiderstand 
geschalten ist um die Spannung auf 8V zu reduzieren, diese 8V schalten 
(Strom ist sehr klein). Dazu kommt noch das im Aus-Zustand der 
Transistor leitend sein soll und der Steuereingang des Transistors an 
einem Pin (5V) des µC Atmega8 angeschlossen ist. Ich denke mal das ein 
selbstleitender n-Kanal Transistor helfen sollte. Kann ich den 
Transistor zwischen der Spannungsdifferenz 8V und 5V schalten oder hab 
ich einen Denkfehler?

Welchen Typ Transistor benötige ich?

Wo bekomme ich einen geeigneten Transitor zu kaufen?

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