Hm, es gibt Silizium-Carbid (SiC) JFETs, die mit hohen DS-Spannungen
auskommen, aber du willst ja eine hohe Steuerspannung verarbeiten.
Interessante Aufgabenstellung!
Willst du den vollen Bereich 0 ... -30 V durchfahren oder befindest du
dich im Arbeitspunkt von -30 V und muss nur um wenige Volt wackeln? Dann
könnte man ja fast jeden Beliebigen JFET nehmen (BF245, J310) nehmen und
die Source mit ner Z-Diode bei z.B. -28 V "aufhängen".
Wenn ich mir aber dieses Datenblatt anschaue:
https://frank.pocnet.net/sheets/030/e/EM34.pdf
Dann tut sich selbst bei einer Vb=250V und Vg=-17V nichts mehr am
Leuchtfächer.
Du könntest also einen OPV mit J-FET-Eingang (z.B. TL072, Vsup_max=36V)
nehmen, dessen positive Versorgungsschiene auf Kathodenpotenzial (Pin 8
der Röhre) hängt und der aus drei 9V-Batterien gespeist wird und als
Impedanzwandler die Gitterspannung puffert. Danach hast du einen
niederohmigen Ausgang, mit dem du alles gewünschte anstellen kannst.
Den Eingang des OPVs mit einem hochohmigen Widerstand (bei 7 nA max.
Biasstrom bewirken 1 Megohm gerade mal 7 mV Offset, also absolut
unkritisch für Röhrenschaltungen) und evtl. Low-Leakage TVS-Dioden
schützen.