Hi,
Ich möchte mit einem µC 12 V schalten (max. 1A), und habe mir dazu ein
paar N-MOSFTETs aus einem alten Mainboard ausgelötet. Nun bin ich mir
aber nicht ganz sicher ob die voll durchschalten.
Es handelt sich um entweder: FDD6606 oder um den APM2014N.
Der APM2014N hat ein RDs(on) von 12 mOhm @ VGs = 4.5V und 18 mOhm @ VGs
= 2.5V.
VGS(th) ist dabei bei 0.6V min 1.5V max angegeben.
Soweit ich mich jetzt hier schlau gemacht habe, sagt man bei VGS(th) *2
ist ein MOSFET durchgeschaltet. Kann man das so sagen, oder habe ich da
etwas falsch verstanden? Das wären in dem Fall ja 3V (max).
Der FDD6606 hat ein RDs(on) von 8 mOhm @ 4.5V und 6 mOhm @ 10V. Die
Werte sind ja eigenlich besser, aber VGS(th) liegt bei min. 1V, max 3V.
So wie ich das jetzt verstanden habe würden beide passen. Aber welcher
ist jetzt besser, bzw. kann ich so einen MOSFET auswählen, oder muss ich
etwas anderes beachten? Wann ein MOSFET ganz duchschaltet ist ja nicht
als parameter angegeben.
Fig.1 (FDD6606) verstehe ich so, dass wenn ich 3 V auf das Gate gebe,
der MOSFET relativ konstant bis zu 10 A durchlässt. Allerdings brauche
ich ja maximal nur 1 A. Ist das nun voll duchgeschaltet oder nicht?
Ich frag nur, weil ich entweder ein Attiny nehmen will, oder aber ein
MSP430. Und der TI macht ja nur bis 3V mit... (Dann wäre der APM2014N zu
nehmen, richtig?)
Herzlichen Dank für die Aufklärung.
Ohne Klimmzuege kannst Du die 12 Volt mit einem N-MOS nicht schalten. Du
kannst damit nur die Masse der Verbraucher schalten (Low-side). Um
High-Side zu schalten nimmst Du P-Mos Bauteile, oder einen IC, der eine
Ladungpumpe hat, so das die Gatespannung der N-Mos Bausteile grosser als
die 12 Volt ist.
Christian schrieb:> Ich möchte mit einem µC 12 V schalten
High-Side oder Low-side? Willst du tatsächlich gegen 12V schalten, oder
willst du gegen GND schalten?
Lothar Miller schrieb:> High-Side oder Low-side? Willst du tatsächlich gegen 12V schalten, oder> willst du gegen GND schalten?
Ist mir eigenlich egal, glaube ich... Also geplant wäre lowside, sonst
brauche ich eh einen Treiber so wie ich verstanden habe.
Gibt es einen trifitingen Grund das Eine oder das Andere zu wollen
(high-side oder low-side)?
Prinzipiell möchte ich ein China-GPS Modul (ab)-schalten, wenn die
Batteriespannung zu niedrig ist. Das hat einen 12V Eingang. Ich würde
dann die Masse schalten, soweit habe ich das verstanden. Die
Source-Drain Spannung bleibt dann doch 12V, oder habe ich da einen
Denkfehler?
Die Frage wäre weiterhin, ob der MC das duchrschalten kann (auch der
MSP?), also 3V langen würden?
Gruss Christian
Eine Lampe, einen Motor, oder sonst was Robustes mit
Masse zu schalten ist OK.
Aber ein GPS-Modul?
Wäre mir unangenehm: Da stöppselt man (statisch aufgeladen)
an der Antenne rum - und das Ding hat keinen niederohmigen
Erd-/Massebezug um beim ersten Kontakt mit dem Außenleiter
die Coulombs in die Erde zu schicken...
(Bin ich da übervorsichtig?)
Kurt schrieb:> (Bin ich da übervorsichtig?)
Nein!
(Aber meine Begründung ist anders(obwohl, das Modul kenne ich nicht,
also ohne Gewähr))
Wenn die 12V weiter anliegen, und der GND "abgeschaltet" wird, wollen
die Datenleitungen Richtung 12V gehen.
Und das wollen wir doch nicht.
Ulrich F. schrieb:> Nein!>> Wenn die 15V weiter anliegen, und der GND "abgeschaltet" wird, wollen> die Datenleitungen auf 12V gehen.
Ok, also will ich doch high-side schalten?
Es handelt sich um so ein TK103 China Dingens. Ich dachte da wird
drinnen eh noch mal mit nem DC/DC runtergeregelt und das wäre in sich
recht abgeschlossen?
Dann seh ich mich mal nach einer Treiberschaltung um, P-MOSFETs habe ich
auch.
Aber dennoch zurück zur Anfangsfrage, damit ich noch was lerne:
Angenommen ich will ne Glühbirne schalten: Steuern die Jungs jetzt bei
5V (3V) durch? Hab ich mir die richtigen Parameter angesehen, oder auf
was hätte ich prinzipiell noch achten müssen?
Wahrscheinlich frag ich auch noch mal, wenn ich eine Treiberstufe habe
(ob das so geht)... aber ich suche erstmal selber ;)
Christian
Christian schrieb:> Ulrich F. schrieb:>> Nein!>>>> Wenn die 15V weiter anliegen, und der GND "abgeschaltet" wird, wollen>> die Datenleitungen auf 12V gehen.>> Ok, also will ich doch high-side schalten?>> Es handelt sich um so ein TK103 China Dingens. Ich dachte da wird> drinnen eh noch mal mit nem DC/DC runtergeregelt und das wäre in sich> recht abgeschlossen?
Man mag einen Stepdown-Schaltregler als DC/DC bezeichnen. Aber faktisch
dürften 99% dieser Module mit 12V Spannungsversorgung eben nicht
galvanisch getrennt sein und werden dann den negativen Anschluß der
Versorgungsspannung als Bezugspunkt (aka GND) für die Kommunikations-
Signale benutzen. Es ist dann ausgesprochen ungeschickt, ihnen
ausgerechent GND wegschalten zu wollen. Kann das Modul keinen
Power-Down- oder Sleep-Modus? Das wäre allemal geschickter als die harte
Kappung der Versorgung.
> Aber dennoch zurück zur Anfangsfrage, damit ich noch was lerne:> Angenommen ich will ne Glühbirne schalten: Steuern die Jungs jetzt bei> 5V (3V) durch? Hab ich mir die richtigen Parameter angesehen, oder auf> was hätte ich prinzipiell noch achten müssen?
Mal abgesehen davon daß U_gs_th * 2 eine Pi-mal-Daumen Abschätzung ist,
liegst du durchaus richtig. Streng genommen wird man einen garantierten
R_DS_on bei der tatsächlich verfügbaren Steuerspannung sehen wollen.
Aber für Einzelstücke und Bastler-Ansprüche kann man sicher mit
Faustformeln und typischen Werten leben.
Axel Schwenke schrieb:> Kann das Modul keinen> Power-Down- oder Sleep-Modus? Das wäre allemal geschickter als die harte> Kappung der Versorgung.>
Das sehe ich eigenlich auch so. Hatte da auch schon mal nach gefragt, da
sich das Modul ja nicht vom GSM Netz abmelden kann (und man das
eigenlich auch nicht so machen soll) aber es gibt leider kein
Sleepmodus...
(mehr dazu hier: Beitrag "Strombegrenzung oder andere Vorschläge - Beginner")
> Aber für Einzelstücke und Bastler-Ansprüche kann man sicher mit> Faustformeln und typischen Werten leben.
Sehr gut. Damit hat sich eine Frage geklärt die sich sonst wohn noch
häufiger stellen würde.
Kurz zum Treiber: Sollte ich den P-MOSFET mit einem N-MOSFET oder mit
einem N-Transistor treiben?
Ansosnten Danke soweit :)
Und schönes Wochenende...
Christian schrieb:> Kurz zum Treiber: Sollte ich den P-MOSFET mit einem N-MOSFET oder mit> einem N-Transistor treiben?
Das ist gehupft wie gesprungen. Ein MOSFET spart gegenüber dem
Transistor noch etwas Strom (den Basisstrom). Aber da der Strom immer
dann fließt, wenn auch das Modul eingeschaltet ist, fällt er eher nicht
ins Gewicht.
