Class D sehr leise

OP #2645338
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Hallo,
Ich bin gerade dabei einen class D Verstärker zu bauen. Das 
Dreiecksignal (200khz) erzeuge ich mir mit einem ne555 als pwm und lm358 
als integrator. Mit einem lm393 erzeuge ich mir dann die highside und 
lowside signale. Als Mosfettreiber nutze ich eine Komplementärendstufe 
aus bc337 und bc327. Die Ausgangsstufe ist eine Halbbrücke aus irf540n 
die auf eine schwimmende Masse schalten(wird später durch eine 
Vollbrücke ersetzt). Ich bekomme zwar ein relativ ordentliches 
Audiosignal heraus, aber es ist nicht viel lauter als das 
Eingangssignal(schätze mal 0,5W). Ub beträgt im Moment 16V aber auch bei 
24V wirds nicht lauter. Woran kann das liegen? Wenn ihr einen Schaltplan 
braucht sagt bescheid :).
Gast #2645353
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Wie groß ist die Amplitude des von dir erzeugten Dreiecksignals?
Schon mal mit dem Oszilloskop angesehen?
Meine Vermutung: dein Dreiecksignal ist übersteuert.
Wenn nicht, kannst du dein NF-Eingangssignal vor dem Komparator 
verstärken?
Arbeiten die MOSFETs so wie du es erwartest?
Gast #2646030
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> So hier ist der Schaltplan.

Einen MOSFET an 15V muss man mit 27V einschalten, nicht mit 12V, das ist 
sicher schuld daran, daß es so leise klingt, aber es ist total 
erschreckend, daß dir derartige Grundlagenkenntnisse fehlen.

Das Einschalten zu beschleunigen, aber das Abschalten langsam zu machen 
ist das Gegenteil von dem was nötig wäre um gleichzeitiges Leiten der 
MOSFET mit Kurzschluss zu verhindern.
Die Hysterese der Komparatoren verzerrt dir dein Signal.
Die fehlende Gegenkopplung lassen wir man ganz aussen vor.
Ein Lautsprecher ist induktiv, insofern ist die fehlende eingezeichnete 
Spule nicht ganz so tragisch, aber frage dich mal, warum in 
kommerziellen Verstärkern so eine drin ist.
Dein Integrator ist - na sagen wir unkonventionell.
OP #2646057
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Danke für die Hinweise. Ich habe bis jetzt nur Verstärker mit bipolar 
Transistoren gebaut. Ich bringe mir das alles selber bei(bin erst 16), 
vielleicht kannst du mir ja ne gute Seite empfehlen wo ich mich weiter 
belesen kann. Für die Totzeit muss die Diode anders herum rein? Den 
Tiefpass am Ausgang und die gegenkopplung wollte ich erst einbauen, wenn 
das Ding einigermassen Töne von sich gibt. Ich dachte die Mosfets 
vertragen nur eine maximale Gate-Source Spannung von 20V. Um auf 27V zu 
kommen brauche ich eine Bootstrap Schaltung oder? Die Hysterese nehme 
ich raus.
#2648377
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Max W. schrieb:
> Ich dachte die Mosfets
> vertragen nur eine maximale Gate-Source Spannung von 20V.

Dann überlege dir mal welche Gate Source Spannung du an Q3 hast wenn Q4 
gesperrt ist und Q3 durchgeschaltet werden soll. Source von Q3 soll ja 
bei vollem Durchschalten auf fast 15V gezogen werden, die Spannung soll 
doch über RL abfallen und nicht über Q3 oder?
Gast #2648462
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OP #2648963
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Ich entwerfe lieber selber einen, will ja auch was dabei lernen. Ich 
habe mich jetzt mal an MaWin's letztem Link orientiert. Dort ist zur 
Totzeiteinstellung ein "Adjustable DC-Offset" eingezeichnet wie kann ich 
den in der Praxis realisieren? Ich habe es mit einem Spannungsteiler 
versucht aber da passiert nichts. Ich simuliere meine Version gerade in 
Ti-TINA.
@Udo:
Stimmt das ist ja nur die Hälfte war mir garnicht bewusst, danke.

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