Frage zu Mosfet

jein

also kommt drauf an was dein uc an kapazitiverlast abkann und welche 
kapazität dein gate darstellt. die größe des r hängt von der gewünschten 
schaltgeschwindigkeit ab.

was ich aber auf jedenfall machen würde ich nen pull down/up fürs gate 
um ihm ne vrugslage zu geben.

mfg marcel

Was für eine Sprache sprecht Ihr?

guude
ts

Manchmal legt man in Serie zum Gate einen Widerstand in der
Größenordnung einige 10 bis einige 100 Ohm, um EMV-Probleme zu
vermeiden. Damit wird die Flankensteilheit verringert, weil der FET
langsamer schaltet (der Gatewiderstand bildet mit den meist recht
hohen Kapazitäten der Gate/Source-Kapazität sowie der Millerkapazität
einen Tiefpass). Dies führt allerdings zu erhöhten Schaltverlusten,
vor allem bei hohen Schaltfrequenzen.

Bisweilen sieht man auch Widerstände im Bereich einige Kiloohm
zwischen Gate und Source. Diese haben die Aufgabe, das Gate stets auf
einen definierten Pegel zu legen, auch wenn die Ansteuerung
deaktiviert bzw. hochohmig ist. Beispielsweise wenn ein Transistor zur
Ansteuerung eines P-Kanal-MOSFETs verwendet wird.

Hi,

ansteuern tue ich ein IRLZ34N mit einem Atmega 16.

Was genau meinst du mit der Schaltfrequenz ?

mfg Yannic

>Was genau meinst du mit der Schaltfrequenz ?

Denk mal an PWM, da wird sehr schnell ein- und ausgeschaltet.

Wenn Du nur ab und zu schalten willst, kannst Du den µ-Ausgang direkt
mit dem Gate verbinden.

Hi,

danke für die Info,

kann man das so pauschal sagen, wenn nur einmal kurz ein und wieder 
ausgeschaltet werden soll, oder ist das ganze abhängig vom jeweiligen 
Fet ?

mfg Yannic