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100A Fet zum schalten von 100mA nutzen?Hat es eigentlich Nachteile wenn man total überdimensionierte Bauteile benutzt? Zum Beispiel eine fetten IRLF oder sowas zum schalten kleiner Lasten? Ist der niedrige RDSon in dem Szenario auch vorteilhaft dass weniger Energie verbraten wird? :
Verschoben durch Moderator
Ueberleg dir ob die Eingangskapazitaet einen Einfluss auf deine Schaltung hat. Vanye
Technisch ja. Ob die paar gesparten Milliwatt es ausmachen.... Große FETs sind langsamer, meist teurer und auch mechanisch größer. U.u. ist auch der Leckstrom zu groß für deine Anwendung. Wenn diese Faktoren keine Rolle spielen funktionieren die selbstverständlich als Transistor, auch völlig ohne Laststrom.
Nur sehr selten. In manchen Situationen kann es Vorteile geben, wenn z.B. der Widerstand seine Abwärme dank größerer Fläche besser los wird.
In einem Gerät nutze ich einen 24A-FET im TO-220, um den Meßteiler mit 1mA Querstrom an den Akku zu schalten. Das ist leicht überdimensioniert, aber diese FETs habe ich in Menge im Vorrat.
Wenn sich z.B. der µC selbsttätig vom Akku trennen soll, will man am Schalttransistor in dessen Versorgung möglichst wenig Spannungsverlust, also ist ein möglichst niedriger RDS(on) gefragt. Dass da über meinen 24A-FET nur 10..30 mA fließen, ist dem egal.
Die machen viel aus, wenn der µC bei Lastspitzen wegen Unterspannung abfliegt. Man kann immer Gründe gegen etwas finden, wenn man gründlich genug sucht. Ich benutze regelmässig IRFP460 mit passendem Adapter auf dem Brotbrettchen. Bislang haben weder 600 Vpp noch der verfügbare Strom des verwendeten Netzteils dem etwas tun können. (Vdss 500 V, Id(cont) 20 A, Rds(on) 0,27 Ω) Das er ohne speziellen Gatetreiber etwas langsam ist, störte ihn bislang auch nicht. Er hatts ja. ☺
Spielt die Größe des Bauteils keine Rolle? mfg Klaus
Gast
#8046556
Größer muss doch besser sein!
Die DDR baut den GRÖßTEN Mikrochip der Welt! Mikroelektronik aus der DDR, nicht klein zu kriegen!
Der 555 hatte gerade Geburtstag und ist 55 Jahre alt geworden. Herzlichen Glückwunsch🥳🎂 Das Video sollte wohl 5 Minuten und 55 Sekunden lang werden, hat nicht ganz geklappt. Weiter mit OT: https://heise.de/-11282093
😂😂😂
Der NE556 ist nächstes Jahr dran.
Besser nicht auf Id(ON) kucken, sondern auf Rds(ON) und Total Gate Charge.
Wenn langsam (selten) geschaltet, dann ist Rds(ON) am wichtigsten. Wenn schnell (oft), dann auch Total Gate Charge. :
Bearbeitet durch User
Es wird nicht weniger Energie verbraten, sondern nur woanders. 100mA sind 100mA, bei einer Spannung von 12V also 1,2W. Wenn du beispielsweise eine LED mit einem Strom von 100mA schaltest und der RDSon 10mΩ gegenüber 50mΩ beträgt, erhöht sich die Verlustleistung am Vorwiderstand der LED um 4mW.
"Schnell" und "oft" sind etwas merkwürdige Kriterien. Bei gleicher Schaltfrequenz schaltet eine Schaltung, die 10 Jahre in Betrieb ist verglichen mit einer, die 1 Jahr in Betrieb ist, 10 Mal so oft ;-) Damit die dynamischen Umschaltverluste durch linearen Betrieb klein bleiben, muss sowohl ein kleiner, als auch ein großer FET schnell geschaltet werden. Und mit der "Total Gate Charge" hat es nur in sofern etwas zu tun, als der Treiber für gleiche Umschaltzeit bei großer erforderlicher Ladung höhere Ströme liefern muss, also mehr Aufwand für die Ansteuerschaltung entsteht. Auf der anderen Seite verträgt ein großer FET mehr Verlustleistung, d.h. man kann ihn langsamer schalten und höhere Verlustleistung auf Grund der steigenden dynamische Verluste eher in Kauf nehmen. :
Bearbeitet durch User
Und im Datenblatt schauen, ob die Steuerspannung ausreicht um ein niedriges RDSon zu erhalten. Dicke MOSFETs benötigen für ihre niedrigen RDSon Werte meist höhere Ugs, die schalten dann z.B. mit einer 3,3V uC Ausgangsspannung nicht mehr richtig durch.
Gast
#8047121
Es gibt andere Anwendungen als LEDs, Abschalten von Baugruppen bzw. Spannungswandlern, ich habe das am 06.05.2026 angerissen. Sowas gab es neulich in einem anderen Thread, wo der Dussel einen FET mit bis zu 1 Ohm RDS(on) einsetzen wollte. Dein Beispiel, LED mit Vorwiderstand an 12V, schreit bei mir nach einem Bipolartransistor, für Wurstfinger hätte ich noch ein paar BC140 (TO-39) da.
Hier geht es weniger um Naturschutz und mehr um Wärmeableitung. Je kleiner Rds(ON), umso weniger Wärme von MOSFET abzuleiten. Ein IPT026N10N5 sollte reichen. 800 V / 400 A
Von welcher KI hast du dich denn da belügen lassen?
Das verwechselst du mit der Sowjetunion :-) Wenn die ne Wanze installierten, war da ein neuer Schrank und die Beleuchtung flackerte beim Sprechen.
Da wurde beim Ablesen vom Datenblatt (nicht nur) ein Fehler gemacht: Pulsed drain current I_D,pulse: 808 A
Angehängte Dateien:
Auch dort gilt, dass bei gegebenem Strom und gegebener Spannung eine konstante Leistung verbraten wird. Dem TO ging es um verbratene Energie, allerdings ohne ein Szenario zu beschreiben. Wenn man Spannungen genau messen möchte, trennt man Strompfad und Spannungsmesspfad. Falls du auf einen Betrag verweisen möchtest, verlinke ihn doch bitte, z.B. mit Hilfe der Funktion "Markierten Text zitieren". Antwort schreibenBitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben. |
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