Gibt es eigentlich Schieberegister mit (Leistungs-)PMOS Ausgang

Gibt es so etwas auch mit PUSH-PULL Ausgang und >300 mA ?

Christian: Recht interessant, quasi Latch-Schieberegister plus UDN2981 
eingebaut - aber es ist ein Darlington-Treiber, an dem, sofern ich das 
Datenblatt richtig verstehe, sogar etwa 1,9V abfallen. Für meine 3.7V 
Versorgungsspannung bleibt da zu wenig übrig. Deshalb suche ich eine 
P-FET-Variante.

> Deshalb suche ich eine P-FET-Variante.

Vergiss es.

Vertikale MOSFETs lassen sich nicht integrieren,
und laterale MOSFETs bringen nicht den benötigten
Strom.

Also kann es solche Chips nicht geben, Ausnahme
wären IC-Gehäuse mit 9 eingelöteten Einzelchips,
aber die willst du nicht bezahlen.

Schon der TD62M8600F (mit 8 einzelnen
Bipolartransistoren) ist unerschwinglich.

Hier wird schön erklärt, daß PMOSFETs eigene
Chips sind:

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/toshiba/4094.pdf

> Das waage ich in dieser allgemeinen Form zu bezweifeln.

Ich wage zu bezweifeln, daß du die Frage verstanden hast.

Es ging um Source-Treiber.

Bei denen liegen, im Gegensatz zu Sink-Treibern, die negativen 
Anschlüsse nicht alle auf GND Potential des Montageblechs des Chip-dies.

Hm, wusste ich nicht. Schade.

Gibt es denn einen mit lateralen PMOS-Ausgängen und sagen wir mal 30mA, 
aber auch insgesamt 8*30mA (der 74HC595 kann ja insgesamt nur 70mA)?

Gibt es vielleicht eine Variante mit pnp-Open-Collector-Ausgängen (nicht 
Darlington)?

> Auch die gibt es VOLLINTEGRIERT

Nur mit NPN Emitterfolgern.

L6203 wird ebenso wie LMD18200 ein Multi-Chip IC sein
(einzige andere Variante wäre SOI Silicon on Insulator,
Silicon on Sapphire),
bei beiden steht es zwar nicht explizit im Datenblatt,
aber LMD sagt das schon durch die Bezeichnung
(LM wäre single Chip, LMD ist Multi Chip bei National).

@ Falk Brunner:  3V bis 5V

IRF7401 ist N-Kanal. Aber auch sonst hab ich keine Tools für SMD. Ich 
'kann' nur THT und Lochraster. Mal einen SMD irgendwo reinfrickeln geht 
ja, aber gleich 8 mit 8 Beinen - hm, lieber nicht.

Schieberegister und großer Strom heißt auch viel Leistung in kleinem 
Gehäuse verbraten?

Da ich schon mehr kaputte Bauelemente gewechselt habe, die Verbindung 
nach AUßEN hatten als logische Schaltkreise innerhalb, würde ich aus 
Gründen der Wartungsfreundlichkeit und Transitorsterblichkeit nicht 
unbedingt solch ein Leistungs-Schieberegister ohne Not einsetzen wollen.

Nee, dient doch nur als Schalter; solange der Spannungsabfall klein ist, 
wird doch auch kaum Leistung verheizt. 8*100mA*0.1V wären beispielsweise 
nur 80mW.