die genannten probleme mit den etwas zu niedrigen gatespannungen wurden
ja schon genannt.
nen si4888dy wurde das noch ganz gut machen, mein favorit.. aber 30v d-s
ist ja eigentlich hierfür zu viel..
mein sammelsurium... so im laufe der zeit mitnotiert..
die spannung hinter der ~ ist so ganz ungefähr die minimal nötige gate
spannung.
=== mögliche transistoren mit sehr niedriger gate-treshold-voltage ===
20 V ; RUF025N02TL ; ~ 1,5 V ; 2,5 A ; 49 mOhm @ 2,5 V ; 5 nC ; Ciss =
370 pF
20 V ; SQ2310ES ; ~ 1,6 V ; 6 A ; 34 mOhm @ 2,5 V ; 4,5 nC ; Ciss = 387
pF
20 V ; SQA410EJ ; ~ 1,8 V ; 7,8 A ; 34 mOhm @ 2,5 V ; 5 nC ; Ciss = 388
pF
20 V ; XP161A1355PR ; ~ 2,0 V ; 4 A ; 70 mOhm @ 2,5 V ; Ciss = 390 pF
20 V ; AF2302 ; 3,6 A ; 95 mOhm @ 2,5 V ; 5,2 nC ; Ciss 450 pF ;
20 V ; PMPB20UN ; ~ 2,0 V ; 9,4 A ; 25 mOhm @ 2,5 V ; 4,7 nC ; Ciss =
460 pF
20 V ; NTGS3446T1 ; 5,1 A ; 36 mOhm @ 4,5 V ; 8 nC ; Ciss 510 pF ; 12-20
ns ;
20 V ; FDME410NZT ; ~ 1,8 V ; 6 A ; 31 mOhm @ 4,5 V ; 9,2 nC ; Ciss =
770 pF
20 V ; Si3460DDV ; ~ 1,8 V ; 7,4 A ; 32 mOhm @ 4,5 V ; 6,7 nC ; Ciss =
666 pF
20 V ; BSL202SN ; ~ 2,5 V ; 7,5 A ; 36 mOhm @ 4,5 V ; 1,8 nC ; Ciss =
863 pF
--- 20 V; TSM4806 ; ~ 1,8 V ; 24 A ; 20 mOhm @ 2,5 V ; 12,3 nC @ 4,5 V ;
Ciss 961 pF ; 13,1-8,3 ns ;
20 V ; BSL802SN ; ~ 1,6 V ; 7,5 A ; 22 mOhm @ 2,5 V ; 1,6 nC ; Ciss =
1013 pF
20 V ; BSR802N ; ~ 1,6 V ; 3,7 A ; 23 mOhm @ 2,5 V ; 1,4 nC ; Ciss =
1013 pF
ansonsten wäre auch ne voll integrierte schaltung auf nem fertigen
platinchen ganz ok, gern auch zwei parallel.
mein favorit hierfür die kleinen fast quadratischen sx1308..