Gast
#304401
hallo ich habe eine ir-diode (850nm) an einem pull up von 300 ohm an 3volt. ebenso einen ir transistor (850nm ohne basis) an einem pull up von 1M an 3volt neben dran. nun möchte ich die intensitär der ir reflexion (der finger vor dem transistor und der diode) messen am collector. die änderung ist aber nur zwischen 0.12 (finger weit weg) und 0.16 volt (finger ganz nah). gibt es ev eine bessere schaltung ume einen grösseren bereich zu erhalten? vielen dank