Hallo liebe Gemeinde,
ich suche gerade nach einem Transistor, der von sich aus mit sehr
geringem Ron leitet und (idealerweise) bei angelegter positiver Gate
Spannung sehr hochohmig wird. JFets fallen wegen des hohen Ron wohl aus.
Und bei IG-Fets habe ich bislang nur negative Sperrspannungen gefunden.
Ich habe fuer ein aktuelles Projekt leider nur eine positive 3V Spannung
und sehr geringe Stroeme zur Verfuegung (energy harvesting), moechte
aber einen Ladekreis aktiv von der Energiequelle kurzzeitig trennen
koennen.
Habt Ihr da eine Idee oder ein passendes Bauteil fuer mich?
Mit Gruss
Mike
@ Mike (Gast)
>Ich habe fuer ein aktuelles Projekt leider nur eine positive 3V Spannung>und sehr geringe Stroeme zur Verfuegung (energy harvesting), moechte>aber einen Ladekreis aktiv von der Energiequelle kurzzeitig trennen>koennen.
Nimm ein paar CMOS-Gatter, die brauchen ein paar nA. Dahinter ein BS170
oder was auch immer, fertig.
MFG
Falk
> Habt Ihr da eine Idee
Elektronikdesign beschäftigt sich nicht damit,
wie man sich Bauteile wünschen kann, die den
ganzen Job ohne weiteres Nachdenken erledigen
würden,
sondern wie man mit vorhandenen bzw. beschaffbaren
Bauteilen die gewünschte Funktion dennoch
zusammenstellen kann.
Das ist wie bei Lego.
MaWin schrieb:>> Habt Ihr da eine Idee>> Elektronikdesign beschäftigt sich nicht damit,> wie man sich Bauteile wünschen kann, die den> ganzen Job ohne weiteres Nachdenken erledigen> würden,
Heerscharen von IC-Entwicklern kümmern sich darum, genau das zu
realisieren - Wünsche von Schaltungsentwicklern vorauszuahnen und schon
mal zu erfüllen.
Ob sie das zu aller Zufriedenheit schaffen, ist ein anderes Thema.
Hallo,
vielen Dank für die Antworten. Fets werden ja in die Kategorien
selbstleitend und selbstsperrend sowie in n- und p-Kanal unterteilt. Von
daher finde ich meine Frage schon bodenständig. Eine selbstleitende
Lösung mit negativer Steuerspannung gibt es ja, wenn auch recht
hochohmig. Da liegt es nahe, auch die inverse Transferfunktion zu
suchen.
Ja, das mit einem Gatter im Ansteuerzweig ginge prinzipiell. Ich möchte
aber, dass eine Schaltung im Ruhezustand und vollkommen leistungsfrei
einen Ladepfad durchschaltet. Ich muss als Randbedingung annehmen, dass
evtl. ein vollkommen "leerer" Akku am System hängt. Diese soll der
stabile Normzustand sein.
Erst, wenn eine Steuerelektronik im Laufe der Zeit einen bestimmten
Zustand erreicht, soll die Schaltung aus einem Sleepmodus genommen und
der Ladepfad aktiv getrennt werden. Dazu steht mir nur eine positive
Versorgungsspannung zur Verfügung, was sich auch nicht so einfach ändern
lässt. Zudem muss die Schaltleistung minimal sein. Ein Relais ist hier
nicht möglich. Daher meine Frage.
Sink der Systemzustand wieder unter eine bestimmte Grenze, so soll die
Elektronik deaktiviert und der Ladekreis wieder von sich geschlossen
werden. Ein passiver Baustein, der von sich aus niederohmig leitend
wäre, würde die Aufgabe einfach lösen. Ein astabiles Relais, wenn
leistungslos steuerbar, wäre ideal.
Mit Gruss
Mike
Mike schrieb:> Ja, das mit einem Gatter im Ansteuerzweig ginge prinzipiell. Ich möchte> aber, dass eine Schaltung im Ruhezustand und vollkommen leistungsfrei> einen Ladepfad durchschaltet.
MOSFET-Gates und CMOS-Gatter sind im Ruhezustand leistungsfrei.
> Ein astabiles Relais, wenn leistungslos steuerbar, wäre ideal.
Ich habe ziemliche Zweifel, ob es sowas physikalisch überhaupt geben
kann. Du kannst leistungslose Zustände kriegen, aber keine leistunglosen
Zustandsübergänge.
@Mike:
Selbstverständlich gibt es den I-FET auch als P-Kanal-Typ. Dazu schlug
ich gerade mal eine alte Vergleichstabelle auf. Und zwar sind die
P-Kanal-Typen wesentlich seltener, und ich vermute mal, deshalb auch
teuer. Möglicherweise auch nicht überall beschaffbar.
>Ja, das mit einem Gatter im Ansteuerzweig ginge prinzipiell. Ich möchte>aber, dass eine Schaltung im Ruhezustand und vollkommen leistungsfrei
Vollkommen leistungsfrei geht selten, wenn man Ruheströme mit
betrachtet. Aber CMOS-Gattter kann man praktisch als leistungsfrei
bezeichnen, solange die nicht gerade was umschalten müssen (und selbst
da ist es nur ein ganz kurzer Peak, wenn man die Umschaltung nicht zu
lange hinzieht).
>einen Ladepfad durchschaltet. Ich muss als Randbedingung annehmen, dass>evtl. ein vollkommen "leerer" Akku am System hängt. Diese soll der>stabile Normzustand sein.
Ein Akku wird sicherlich mehr Restströme haben als ein billiger CMOS-IC.
D.h., dein "vollkommen leerer" Akku sird schon durch seine eigene
Selbstentladung nicht ewig halten.
Mike schrieb:> Ich muss als Randbedingung annehmen, dass> evtl. ein vollkommen "leerer" Akku am System hängt.
So ein Akku ist bald Schrott. Wenn er sich nochmal erholt, dann hat er
zumindest einen Kapazitätsverlust. Eine Tiefentladung oder entladen
liegen lassen von Akkus, (egal welcher Bauart) sollte man vermeiden.
Hallo,
vielen dank für eure Antworten. Das mit dem "vollkommen leeren Akku" war
nur ein Beispiel. Es geht darum, dass ein System theoretisch aus einem
vollkommen entladenen Zustand alleine in der Lage sein soll, sich ueber
Umgebngsenergien zunaechst soweit zu laden, bis ein angeschlossener uC
Entscheidungen ueber die weitergehenden Betriebszustaende treffen kann.
Daher muss die notwendige Ladeschaltung, bevor der uC anspringt, solange
als stabiler Normalzustand existieren, bis ein bestimmter
Grundladezustand erreicht worden ist. Ob das nun über Akkus oder sehr
grosse Kapazitaeten erfolgt, ist zunaechst noch unerheblich.
Der uC soll dann entscheiden koennen, ob der Energiespeicher von der
Energiequelle getrennt werden kann, oder ob der Speicher fuer eine
bestimmte Aktion noch weiter geladen werden muss. Die Trennung des
Systems von der Energiequelle ist waehrend des Betriebs notwendig.
Daher suche ich einen Baustein, der von sich aus niederohmig leitet und
aktiv durch eine positive Spannung getrennt werden kann. Dazu kommt
weiter, dass die Energieversorgung nur eine sehr geringe Spannung von
0,5-0,7 V aufweist und erst durch einen DC-Wandler auf etwa 4 V
angehoben wird. Die Trennung soll direkt Zwischen Quelle und Wandler
erfolgen. Aus diesem Grund moechte ich moegliche Spannungsabfaelle
direkt hinter der Energiequelle moeglichst minimieren. Daher ein
niederohmiger FET.
Aus diesem Grund muss ich davon ausgehen, dass ich, bevor ich den z.B.
BS170 ueber ein Gatter schliessen kann (Gate auf high mit mind.
Schwellwertspannung), eine minimale Spannung und Ladungsmenge bereits
fuer die Gatter und den FET aufbringen kann. Diese Grundladung muss also
existieren, bevor ich den Ladekreis schliessen kann. Das waere aber im
unguenstigsten Fall (leerer Akku/Kapazitaet) nicht mehr moeglich.
Mit Gruss
Mike
