JFET Transistoren auch bei hohen Eingangsimpedanzen

Mir ist noch eine andere Forumulierung meiner Frage eingefallen: Warum 
verwendet man keine Buried-Chanel MOSFETs statt JFETs? Zumindest solange 
der Obverflächenkanal noch nicht da ist, ist das doch genau das gleiche 
wie ein JFET aber mit dem Vorteil höherem Gate-Widerstandes.

Vielen Dank für die Antwort!
Falk Brunner schrieb:
> @ Rauschen im Walde (Gast)
>
>>immer. Was mich aber wundert: Warum ist dieser Gate-Strom bei MOSFETs
>>kleiner?
>
> Weil eine dünne Siloiziumoxidschicht weniger LEckstrom hat als ein
> PN-Übergang in Sperrichtung.
Ja genau, deshalb auch meine Forumulierung "Warum ist nicht auch bei 
J-FET unter der Gate-Elektrode ein richtiger Isolator?"
Dann hättte man im Prinzip einen Buried-Chanel MOSFET (da ist dann z.B. 
ein N-Kanal vorhanden, denn man durch eine Verarmungseinschnürung 
steuern kann). Ich sehe da einfach nicht die Abgrenzung JFET<->MOSFET.
>
>>Hintergrund der Frage ist: Ich habe gelesen, dass JFETs super
>>Transistoren seien, weil sie (im Vergleich zum MOSFET) keine Streuung an
>>Oberflächen und andere Oberflächenverursachte Effekte haben.
>
> Was für Streuung?
Sze S. 398 Abschnitt "Noise Behaviour" (von JFETs). Streuung an der 
Oberfläche nehme ich an. Oder vielleicht auch an Veränderungen im Oxid.
>
>> Außerdem
>>leiten sie durch Majoritätsladungsträger.
>
> N-Kanal MOSFETs auch.

Kai Klaas schrieb:

> Weil die beiden FETs völlig unterschiedlich arbeiten: Beim JFET, also
> Sperrschicht-FET, schnürt die Gatespannung den Kanal ab, beim MOSFET,
> also Isolationsschicht-FET, reichert die Gatespannung den Kanal an.
Es gibt MOSFETs sowohl als Anreicherungs- als auch Verarmungstypen.

Die JFETS gab es schon lange vor den MOSFETS. Sie lassen sich relativ 
leicht in einem üblichen Bipolarprozess integrieren. MOSFETS sind 
schwieriger herzustellen. Es hat eine Weile gedauert, bis die dünnen 
Gate-Oxide beherrschbar waren.
Das Gute am JFET besteht darin, das der Strom tief im Halbleiterinneren 
fließt, wo es nur wenige Gitterfehler gibt. Beim MOSFET fließt der Strom 
(bei Kleinsignaltypen) eher an der Halbleiteroberfläche, welche prktisch 
nur aus Gitterfehlern besteht. Deshalb gibt es dort mehr Rauschen als 
beim JFET.

> Warum ist dieser Gate-Strom bei MOSFETs kleiner?

Kommt auch auf die Temperatur an.

Achte drauf, wie der Gate-Strom (bzw. bei OpAmps der Eingangsstrom) bei 
steigender Tempetatur ansteigt.

Da können die Verhältnisse schnell anders aussehen.