frage zu mosfet als ausgangstreiber max Strom?

Hans G. schrieb:

> treiben kann?
>
Schalten kann.



> ist -18A drain-source current?
>

Ja, und Peek 72A.

> Und welche aufgabe hat ein Widerstand zwischen Gate und Source

Damit der MOSFET besser, schneller sperren kann. Allerdings sollte die 
Ansteuerung schon genügend niederohmig erfolgen.

> bzw. auch
> einer,
> der vor das Gate geschaltet wird.

Damit der Gate-Strom nicht zu hoch wird.

> Wie berechnet man die?

Erst einmal das Datenblatt studieren. Und danach versuchen die 
Grenzwerte einzuhalten.

Hilfreich ist auch ein Simulator wie LTspice. Allerdings ist es oft 
nicht einfach das passende Modell für das Device zu erhalten.

In einigen Datenbätter, zB. von TI, wird eine vollständige 
Dimensionierung von Schaltnetzgeräten durchgeführt. Dort werden dann die 
üblichen Schritte zur Schaltungsdimensionierung durchgeführt.

Habe etwas gefunden:
http://www.ti.com/lit/an/slua560c/slua560c.pdf

9 Select FETs QE and QF
10 Input Capacitance (CIN)


mfg Klaus

Hans G. schrieb:

> ich frage mich gerade, welcher der maximale Strom ist, den ich mit dem
> http://www.farnell.com/datasheets/1339274.pdf
> treiben kann?

Nicht treiben, schalten.

> ist -18A drain-source current?

18A DC schafft der MOSFET - theoretisch. Daß das Datenblatt eine Fußnote 
(1) referenziert, hast du gesehen? Die Fußnote besagt, daß du 18A 
durchjagen darfst, wenn du sicher stellst daß der MOSFET-Kristall nicht 
wärmer wird als 150°C. Und das wirst du nicht schaffen, nicht mit 
sinnvollem Kühlaufwand. Die 18A sind eine reine Marketing-Zahl.

> Und welche aufgabe hat ein Widerstand zwischen Gate und Source bzw.
> auch einer, der vor das Gate geschaltet wird.

Der zwischen Gate und Source ist ein Angstwiderstand. Der soll 
sicherstellen daß der MOSFET abgeschaltet bleibt wenn die Schaltung die 
ihn ansteuert, abgeklemmt wird oder ausfällt. Der Serienwiderstand soll 
den MOSFET gezielt langsamer schalten lassen um EMI zu reduzieren.

Axel S. schrieb:
> 18A DC schafft der MOSFET - theoretisch. Daß das Datenblatt eine Fußnote
> (1) referenziert, hast du gesehen? Die Fußnote besagt, daß du 18A
> durchjagen darfst, wenn du sicher stellst daß der MOSFET-Kristall nicht
> wärmer wird als 150°C. Und das wirst du nicht schaffen, nicht mit
> sinnvollem Kühlaufwand. Die 18A sind eine reine Marketing-Zahl.

Mit (18A)² * 2.6 mOhm = 842 mW erhöht sich die Temperatur des Si-Chips 
selbst bei ungünstiger Wärmeabfuhr auf dem PCB nur um 125°C/W * 842 mW = 
101°C ggü. der Umgebung. Das ist also schon machbar.

Di P. schrieb:
> Axel S. schrieb:
>> 18A DC schafft der MOSFET - theoretisch. Daß das Datenblatt eine Fußnote
>> (1) referenziert, hast du gesehen? Die Fußnote besagt, daß du 18A
>> durchjagen darfst, wenn du sicher stellst daß der MOSFET-Kristall nicht
>> wärmer wird als 150°C. Und das wirst du nicht schaffen, nicht mit
>> sinnvollem Kühlaufwand. Die 18A sind eine reine Marketing-Zahl.
>
> Mit (18A)² * 2.6 mOhm = 842 mW erhöht sich die Temperatur des Si-Chips
> selbst bei ungünstiger Wärmeabfuhr auf dem PCB nur um 125°C/W * 842 mW =
> 101°C ggü. der Umgebung. Das ist also schon machbar.

Wenn man statt mit dem typischen Wert von R_ds_on mal mit dem 
garantierten Wert von 3.2mR rechnet, dann ist es gut 1W und dann muß man 
die Platine schon permanent auf 20°C halten um den FET nicht zu 
überhitzen. Genau so - Kühlkörper konstant auf 20°C (manchmal auch 25°C) 
- sind diese Marketingzahlen gerechnet.

Nur daß man halt so ein Quadratzoll Leiterplattenfläche, das mit 1W 
heizt, nicht permanent auf 20°C halten kann. OK, für diesen FET sind die 
Zahlen nicht ganz so aus der Luft gegriffen wie für andere Beispiele die 
ich schon gesehen habe. Denn wenn man ein Quadratzoll Kupferfläche 
anbindet, dann kommt man bis ~80°C Platinentemperatur. Das sollte für 
die meisten Anwendungen machbar sein.

Das Quadratzoll Kupfer sollte allerdings nicht irgendwo in einem 
Gehaeuse versteckt, sondern offen sein. Besser ist es 2 Fet fuer halben 
Widerstand parallel zu schalten, dann faellt nur noch die Haelfte der 
Leistung an.