Gast
#4088262
Ich möchte die folgende Aufgabe lösen (Bild) Bei 1, muss die Tabelle vervollständigt werden. Der FET leitet doch dann, wenn die Eingangsspannung positiv ist. Der Spannungsabfall am Widerstand wird dann nahezu 0 sein, da die Diode sehr hochohmig ist und die meiste Spannung an ihr abfällt. Ist das richtig? Also Eingangsspannung positiv, Spannung U_GS fast 0. Bei negativer Eingangsspannung sperrt der Transistor, U_GS sollte kleiner als die Pinch-Off-Spannung sein, ist das auch korrekt? So jetzt kommt mein eigentliches Problem: Was wird passieren, wenn der FET durch einen npn-Bipolartransistor ersetzt wird? Fakt ist doch, dass entweder ein relativ kleiner Basisstrom die Potentialschwelle der Basis-Emitter-Diode herabsetzt oder eine kleine Spannung von 0,7 Volt. Wenn der Spannungsabfall am Widerstand sehr gering ist, dann könnte doch vllt der Sperrstrom die Schwelle der Basis-Emitter-Diode herabsetzen und der Transistor würde leiten, oder? Bei negativem Spannungseingang wird sich die Sperrschicht in der Basis-Emitter-Diode verbreitern, sodass der Bipolartransistor sperren würde. Dies wäre meine Antwort gewesen. Zu Teilaufgabe 3: Der Widerstand erfüllt natürlich erstmal die Aufgabe, dass ein Spannungsabfall an ihm auch an der Strecke U_GS wirksam wird und somit entscheidend zum Sperren oder Leiten beiträgt. Aber soll er auch den Gatestrom ableiten? Ein Merkmal von FETs ist ja die leistungslose Steuerung, die einen stromlosen Eingang voraussetzt.

