Hallo,
ich tüftel hier gerade etwas mit einem Pi herum und stehe da nun vor
einem kleinen Problem.
Meine Kenntnisse sind sehr gering was Schaltungen angeht.
Ich möchte über einen GPIO ein Schloss öffnen.
Ich gehe dabei über einen MCP23017 mit 3,3V raus.
Das Schloss benötigt aber 5V, weshalb ich mir das folgendermaßen gedacht
habe...
3,3V aus dem MCP an einen Transistor, welcher dann den 5V Schaltkreis
schließt.
Dann hört es bei mir aber leider schon auf.
Welchen Transistor benötige ich?
Wie muss die Schaltung aussehen (Widerstände etc. notwendig?)?
Ich habe hier einige Bauteile liegen. Unter anderem einen BC 337-40.
Da in dem Datenblatt zu dem Transistor nur bei einem anderen dort
aufgeführten 5V bei Emitter Base Voltage steht, nehme ich mal an das
gilt dort für alle anderen gelisteten auch.
Verstehe ich das richtig dass ich dort als Schaltspannung 5V benötige?
Ich lese nun schon eine Weile und irgendwie komme ich an diesem Punkt
nicht weiter.
Ich hoffe mir kann hier jemand weiterhelfen.
Gruß
Mario
Mario schrieb:> Da in dem Datenblatt zu dem Transistor nur bei einem anderen dort> aufgeführten 5V bei Emitter Base Voltage steht, nehme ich mal an das> gilt dort für alle anderen gelisteten auch.
Die Base-Emitter-Spannung eines BJT liegt nie bei 5V. Wie kommst du
darauf. Beim BC337 ist bei 300mA Kollektorstrom im Datenblatt ein
Maximalwert für VBE(on) von 1.2V angegeben.
Wolfgang schrieb:> Die Base-Emitter-Spannung eines BJT liegt nie bei 5V
Das ist die maximale Spannung bei falscher Polung. Ist für diesen
Anwendungsfall sicher total irrelevant.
Mario schrieb:> Arbeitsstrom ist 0,83A bei 5V
Dann brauchst du schon einen stärkeren Transistor. In dieser Liga würde
dann doch einen MOSFET empfehlen. Findest du auch im Buch. Gerald hat
dir weiter oben auch einen passenden empfohlen, falls du den Minus-Pol
schalten willst.
Wolfgang schrieb:> Die Base-Emitter-Spannung eines BJT liegt nie bei 5V. Wie kommst du> darauf. Beim BC337 ist bei 300mA Kollektorstrom im Datenblatt ein> Maximalwert für VBE(on) von 1.2V angegeben.
Wie ich darauf komme, habe ich bereits geschrieben.
Schau mal in das Datenblatt:
https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/BC327_28_BC337_38-CDIL.pdf
Da steht halt nix unter meinem Transistor und da bin ich erstmal davon
ausgegangen dass das in der Mitte wohl für alle zählt.
Mario schrieb:> Gerald K. schrieb:>> Ich verwende dafür den 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET>> ZXM61N02F>> Danke dir. Den suche ich mir mal als nit SMD raus.
Ich nehme als n-Kanal den IRLML6344 und als p-Kanal den IRLML2244. Die
sind sicher leichter erhältlich.
Es gibt noch weitere, welchen du nimmst, ist egal, solange sein R_DS_on
bei <3V überhaupt spezifiziert ist und er deinen Strom verträgt.
Beachte aber bei jeder Variante: die beiden GNDs müssen miteinander
verbunden sein. Ist das nicht möglich/zulässig, dann wird man einen
Optokoppler benötigen.
Stefan ⛄ F. schrieb:> Findest du auch im Buch
Der von Stefan vorgeschlagene IRLML6344 ist die bessere Wahl.
(stärker und preiswerter bei gleichem Gehäuse => am besten Datenbätter
vergleichen)
Man sieht es gibt ein Menge, auch vom Layout her, passender N-FETs.
Noch was:
Mario schrieb:> Verstehe ich das richtig dass ich dort als Schaltspannung 5V benötige?
Das ist die Angabe für die maximal zulässige (Sperr-)Spannung zwischen
Emitter und Basis. Beachte die Reihenfolge der Worte:
Emitter-Basis-Spannung! Das heißt: der Emitter ist positiver als die
Basis. In der angedachten Schaltung ist das aber umgekehrt: zum
Einschalten muss das Basispotential positiver als das Emitterpotential
sein. Deshalb ist diese Angabe in deinem Anwendungsfall völlig
bedeutungslos.
Um den Transistor zum Leiten zu bringen, braucht man eine positive
Basis-Emitter-Spannung, also gerade umgekehrt gepolt. Um genau zu sein,
man braucht einen positiven Strom in die Basis und deshalb auch einen
Basisvorwiderstand, wenn man mit eine Spannung schalten will. Als
Basis-Emitter-Spannung stellen sich dann etwa 0.7V ein. Solange die
Ansteuerung mehr als diese 0.7V ausgeben kann, kann man damit den
Transistor einschalten, bei deinen 3.3V als kein Problem.
FETs sind in deinem Beispiel aber wesentlich geeigneter. Kleine bipolare
Transistoren können üblicherweise deinen Strom nicht, für MOSFETs ist
das auch im SMD-Gehäuse kein Problem, auch nicht für einige Ampere. Und
die Ansteuerung ist bei der richtigen Wahl des FETs auch noch simpler:
das Gate einfach direkt an den Steuerausgang anschließen.
Gerald K. schrieb:> Der von Stefan vorgeschlagene IRLML6344 ist die bessere Wahl.
Finde ich auch, deshalb habe auch ich den vorgeschlagen ?.
Mario schrieb:> Wie ich darauf komme, habe ich bereits geschrieben.> Schau mal in das Datenblatt:> https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/BC327_28_BC337_38-CDIL.pdf
Auf Grund der Bezeichnungsreihenfolge V_EBO und dem angegebenen
Emitterstrom bei Ic=0 von 10uA kann man schließen, dass die 5V die
maximale Sperrspannung und IE den auftretenden Sperrstrom der BE-Diode
bezeichnen.
Das Datenblatt ist ziemlicher Murks.
Besser: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BC337-D.PDF
Da ist unter "Emitter−Base Breakdown Voltage(IE = 10 A, IC = 0) klar ein
Wert von mindestens 5V angegeben.
Junge Junge, ich sehe schon, hier bin ich richtig.
Danke für die ganzen Infos. Das muss ich erstmal verarbeiten :)
Ich schau mich dann mal ein wenig um nach dem richtigen Nicht-SMD
Mosfet.
Mario schrieb:> richtigen Nicht-SMD Mosfet
Was spricht gegen einen SMD FET ?
Ich bin von THT auf SMD umgestiegen und bereue den Schritt nicht.
Das Durchstecken und Abzwicken, kostet mehr Zeit und ist mir richtig auf
den Nerv gegangen.
SMD Bauteile sind kleiner und preiswerter. Weniger Platzbedarf bedeuten
weniger Lagerplatz (nervt mein Partnerin wenig) und kleiner
Leiterplatten sind preiswerter. Weniger Lötzinn, wenige Qualm beim
Einlöten der Bauteile. Nicht zu vergessen, ein Bauteiletausch ist
leichter.
In der Zwischenzeit löte ich mit Heißluft, Eine Schablone zum Auftragen
der Lötpaste ist der nächste Schritt.
PS.: jedes SMD Bauteil kann man durch Anlöten von Drähtchen zu THT
machen, umgekehrt ist es schwierig!
Wolfgang schrieb:> Da ist unter "Emitter−Base Breakdown Voltage(IE = 10 A, IC = 0) klar ein> Wert von mindestens 5V angegeben.
In meinem Datenblatt stehen 10 µA.
Gerald K. schrieb:> Mario schrieb:>> richtigen Nicht-SMD Mosfet>> Was spricht gegen einen SMD FET ?>> Ich bin von THT auf SMD umgestiegen und bereue den Schritt nicht.> Das Durchstecken und Abzwicken, kostet mehr Zeit und ist mir richtig auf> den Nerv gegangen.>> SMD Bauteile sind kleiner und preiswerter. Weniger Platzbedarf bedeuten> weniger Lagerplatz (nervt mein Partnerin wenig) und kleiner> Leiterplatten sind preiswerter. Weniger Lötzinn, wenige Qualm beim> Einlöten der Bauteile. Nicht zu vergessen, ein Bauteiletausch ist> leichter.>> In der Zwischenzeit löte ich mit Heißluft, Eine Schablone zum Auftragen> der Lötpaste ist der nächste Schritt.>> PS.: jedes SMD Bauteil kann man durch Anlöten von Drähtchen zu THT> machen, umgekehrt ist es schwierig!
Ich habe noch nie SMD gelötet und alle anderen Bauteile sind auch kein
SMD. Ich habe auch nix hier was ich an den Baustein löten könnte um ihn
wie die anderen Bauteile durch meine Lochrasterplatine zu stecken und
auf der Rückseite anzulöten.
Gibt es drähte die man für sowas nutzt? Sowas wie das von Widerständen?
Auf der Rückseite verbinde ich vieles mit Kabeln die ich anlöte.
Sorry für die dummen Fragen, aber das ist alles Neuland für mich.
Gerald K. schrieb:> PS.: jedes SMD Bauteil kann man durch Anlöten von Drähtchen zu THT> machen, umgekehrt ist es schwierig!
Isses nicht: Beine kürzen und umbiegen, so dass sie auf den Pads zu
liegen kommen. Siehe SMD-Elkos und andere.
Mario schrieb:> Ich schau mich dann mal ein wenig um nach dem richtigen Nicht-SMD> Mosfet.
Da dürfte es dünn werden, MOSFETs und SMD haben sich quasi gleichzeitig
verbreitet. Ich wüsste jetzt keinen LL-MOSFET bedrahtet ...
Aber so ein SOT23-Gehäuse lässt sich prima auf eine Lochrasterplatine
mit 2.54mm löten: ganz einfach in 45° drauf setzten.
HildeK schrieb:> Finde ich auch, deshalb habe auch ich den vorgeschlagen ?.
Wichtig ist, dass die Schaltschwelle in der Mitte der Ansteuerspannung
(3,3V / 2) liegt. So ist der Störabstand optimal.
Meine Gründe für die Wahl des ZXM61N02F (gegenüber IRLML6344 ) :
Der XM61N02F unterstützt zwar weniger Strom als der IRLML6344, dafür
ist die Eingangskapazität mit 160pf wesentlich kleiner als die des
IRLML6344 mit 650pf.
Daher kann man das Gate direkt mit dem MC-Ausgang verbinden. Größere
Kapazitäten bedeuten auch größere Schaltzeiten. Die verkraftbare
Verlustleistung ist auf Grund des gleichen Gehäuses S0T23 etwa gleich.
(konkrete Werte siehe Datenblätter)
Sollte einmal mehr Strom erforderlich sein, wobei 1,2A schon viele
Einsatzfälle abdecken, kann man die FETs, aufgrund des negativen TK,
problemlos parallel schalten.
Mario schrieb:> Ich habe auch nix hier was ich an den Baustein löten könnte um ihn> wie die anderen Bauteile durch meine Lochrasterplatine zu stecken und> auf der Rückseite anzulöten.
Dann löte ihn doch auf die Lötseite der Lochrasterplatine.
Deshalb heißt die so ;-)
Wolfgang schrieb:> Mario schrieb:>> Ich habe auch nix hier was ich an den Baustein löten könnte um ihn>> wie die anderen Bauteile durch meine Lochrasterplatine zu stecken und>> auf der Rückseite anzulöten.>> Dann löte ihn doch auf die Lötseite der Lochrasterplatine.> Deshalb heißt die so ;-)
Da ist jetzt leider wenig Platz durch die ganzen querlaufenden Kabel.
Mario schrieb:> Da ist jetzt leider wenig Platz durch die ganzen querlaufenden Kabel.
So wie HildeK und Wolfgang beschriebenhabe :
SMD aber auch THT Bauteile an der Lochrasterseite mit dem Kupferringen,
Verdrahtung auf der anderen Seite. So kommen sich beide nicht in die
Quere.
Vorteil ist, dass man SMD Bauteile, ohne die Verdrahtung zu
beeinträchtige tauschen kann.
SMD Widerstände und Kondensatoren kann man übereinander löten, wenn man
verschiede oder genauere Werte ausprobieren will.
HildeK schrieb:> Aber so ein SOT23-Gehäuse lässt sich prima auf eine Lochrasterplatine> mit 2.54mm löten: ganz einfach in 45° drauf setzten.Wolfgang schrieb:> Dann löte ihn doch auf die Lötseite der Lochrasterplatine.> Deshalb heißt die so ;-)
PS: es gibt auch Lochrasterplatinen mit durchkontaktierte Bohrungen.
Na, da hab ich mich auf was eingelassen. Jetzt sind die Transistoren
gekommen. Ein Reiskorn ist ein Hochhaus dagegen. Keine Ahnung wie ich da
etwas dran löten soll. Einer davon ist mir schon runter gefallen und
wird wohl auf dem Boden bleiben. Nicht zu finden das Teil.
Ich glaube da muss eine andere Lösung her.
Mario schrieb:> Ein Reiskorn ist ein Hochhaus dagegen. Keine Ahnung wie ich da> etwas dran löten soll.
Nun übertreibe mal nicht!
Säge dir ein kleines Stück aus einer Lochrasterplatine aus (3X3 oder 4x4
Augen - mir reichen 2x2) und setze den diagonal auf 3 Augen drauf. Dann
kannst du für dein Breadboard auch leicht Drähtchen anlöten.
An einem Bein anheften und dann die anderen löten.
Glaub mir, ich übertreibe nicht. Die beiden Beine auf einer Seite kommen
nicht an 2 Lötaugen. Liegt ein Bein auf dem Auge, liegt das andere
zwischen dem und dem nächsten Auge.
Stefan ⛄ F. schrieb:> Mario schrieb:>> Ein Reiskorn ist ein Hochhaus dagegen> :-)> Willkommen im Club der "ewig gestrigen", die nicht mehr mit kommen.
Das sehe ich auch für mich als Problem, der Fummelkram bereitet auf
Lochraster wenig Freude.
Als jemand aus dem Club der "ewig gestrigen" hast Du bestimmt eine
Lösungsidee?
Mario schrieb:> Ich glaube da muss eine andere Lösung her.
Dann muss man gucken, geeignete Bauteile mit Beinchen zu bekommen, z.B.
als TO-92. Es wird leider immer schwieriger, viele moderne Bauelemente
werden nur noch als SMD hergestellt.
Ich scheue mich auch nicht, für ein paar Milliampere einen FET im TO-220
einzusetzen - der passt ins Lochraster und rutscht mir nicht durch die
Finger. SOT-23 bekomme ich nur noch unter dem Stereomikroskop gelötet,
man wird nicht jünger.
Manfred schrieb:> Als jemand aus dem Club der "ewig gestrigen" hast Du bestimmt eine> Lösungsidee?
Ja, größere Transistoren :-) Vorzugsweise ab TO-92 aufwärts (also
bedrahtet). Wenn SMD unvermeidbar ist, dann suche ich nach größeren
Varianten. SOT23 ist das kleinste Format, was ich verwenden mag.
An SMD Kondensatoren zwischen zwei Löchern/Pins habe mich inzwischen
gewöhnt, das ist oft super praktisch. Das sind die Formate 0805 und
0603.
> SOT-23 bekomme ich nur noch unter dem> Stereomikroskop gelötet, man wird nicht jünger.
Na dann geht's mir ja noch gut. Ich dachte schon ich wäre bald zu blind
für dieses Hobby. Mit sehr viel Licht kann ich das noch ohne Lupe.
Wenn man sich mal die Bauteile in einem Smartphone anschaue, oder auf
einem ESP8266 Modul - das sind fast alle Bauteile so klein wie
Salzkörner.
Man man man.
Jetzt bin ich echt das erste mal ins schwitzen gekommen beim löten.
Hab 3 Transistoren jetzt Beine angelötet. Die 5€ für die dritte Hand mit
Lupe waren jedenfalls gut investiert. Ohne hätte ich das nicht
hinbekommen.
Ob du Dinger die Hitze überlebt haben, werde ich wohl erst sehen wenn
ich alles fertig habe.
Sieht total blöd aus wie ich das hinbekommen habe.
Kann ich das irgendwie vorher testen ob die Dinger überlebt haben?
Hab hier nen Multimeter und das war es dann an Technik.
Mario schrieb:> Die beiden Beine auf einer Seite kommen> nicht an 2 Lötaugen. Liegt ein Bein auf dem Auge, liegt das andere> zwischen dem und dem nächsten Auge.
Dann schau dir mal das angehängte Bild an. Das ist zwar nicht dein
Transistor, sondern eine BAT54, aber das Gehäuse ist das selbe.
HildeK schrieb:> Dann schau dir mal das angehängte Bild an. Das ist zwar nicht dein> Transistor, sondern eine BAT54, aber das Gehäuse ist das selbe.
Und das bekommst du gelötet ohne das der verrutscht?
Das probiere ich morgen mal aus.
Mario schrieb:> Und das bekommst du gelötet ohne das der verrutscht?
Ein Lötauge leicht verzinnen, mit einer feinen Pinzette das Teil auf die
Platine drücken und dann kurz mal den Lötkolben dran: angeheftet. Dann
die anderen Beine festlöten und zuletzt den gehefteten noch nachlöten.
Eine ruhige Hand braucht man schon, gute Augen oder eine Aldi-Lesebrille
schaden auch nicht.
Mein Hauptproblem sind die schon älteren Augen, ein Stereomikroskop wäre
perfekt.
Mario schrieb:> Und das bekommst du gelötet ohne das der verrutscht?
Ja sicher doch, das ist auch für mich kein Problem. Ich verzinne die
Lötstellen zuerst, drücke dann das Bauteil drauf und mache dann nochmal
kurz heiß. Das geht auch ganz prima mit Lötpaste (statte Zinn) in einem
Schritt.
Stefan ⛄ F. schrieb:> Ich verzinne die> Lötstellen zuerst,
Besser so wie HildeK das macht: Eine Lötstelle zuerst verzinnen. Sonst
stehen die anderen Beinchen zu hoch.
Was noch nicht erwähnt wurde: Freilaufdiode!
Wenn das Schloss eine Spule ist, hat es auch Induktivität. Dann wird
eine Freilaufdiode parallel zum Schloss benötigt. Sie verhindert, dass
der Transistor beim Abschalten zu viel Spannung bekommt und verreckt.
Ich habe hier mal einen kleinen Test mit meinem bc337-40 gemacht und
verstehe irgendwie nicht wieso ich anstatt der 5V nur 2V messen kann.
Am Emitter habe ich - angeschlossen. An der Basis 3,3V mit einem 1k
Widerstand. Am Collector ist eine Sperrdiode und ein Kabel vom Schloss.
Am anderen Kabel vom Schloss kommen 5V und das andere Ende der Diode.
Kann mir jemand erklären warum ich am Schloss nur 2V anliegen habe?
Mario schrieb:> Kann mir jemand erklären warum ich am Schloss nur 2V anliegen habe?
Kannst du mal den ohmschen Widerstand deines Schlosses messen?
Habe ich die 830mA für das Schloss richtig in Erinnerung? Das wäre eh zu
viel für den BC337. Bleibt der denn kalt bei dem Experiment? Würde mich
wundern.
Sind während des Schaltens die 5V noch stabil vorhanden?
Es sieht zumindest auf dem Steckbrett richtig aus.
HildeK schrieb:> Kannst du mal den ohmschen Widerstand deines Schlosses messen?
6,3 Ohm
> Habe ich die 830mA für das Schloss richtig in Erinnerung? Das wäre eh zu> viel für den BC337. Bleibt der denn kalt bei dem Experiment? Würde mich> wundern.> Sind während des Schaltens die 5V noch stabil vorhanden?
Ui, wohl zu viel für den Transistor.
5V am Anfang da, geht dann auf 2V runter und ich verbrenn mir die Finger
an dem Transistor.
Datenblatt: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BC337-D.PDF
Sehe ich da einen 1kΩ Widerstand vor der Basis? An der Basis fallen 0,7V
ab, und der Mikrocontroller wird unter Last auch etwas weniger als die
vollen 3,3V liefern, daher fließt folgender Strom in die Basis:
(3,1V - 0,7V) / 1kΩ = 2,4mA
Der Verstärkungsfaktor des Transistors liegt zwischen 250 und 630. Wir
müssen immer mit dem schlechtesten Fall rechnen, also 250. Ich habe mal
eine 100er Tüte bei Aliexpress gekauft, die liegen nach meiner Kontrolle
alle im unteren Bereich 250 bis 350.
250 * 2,4mA = 600mA also zu wenig!
Dazu kommen noch zwei Sachen:
Erstens bezieht sich die Angabe des Verstärkungsfaktor auf analoge
Betriebsart als Verstärker, wobei erheblich Spannung an der C-E Strecke
abfällt. Die willst du aber minimieren, du willst digital schalten.
Deswegen steuern man den Transistor 3x bis 10x stärker an, als
berechnet. Ich komme da Pi mal Daumen auf einen Widerstand von 220 Ohm.
Zweitens sinkt der Verstärkungsfaktor, je höher der Laststrom ist. Gucke
dir mal Figure 3 an. Oberhab von 100mA fällt der Verstärkungsfaktor
steil ab.
Figure 4 gibt einen groben Anhaltspunkt, wie viel Basis Strom für
unterschiedliche Lastströme nötig ist um auf eine Verlustspannung unter
1V zu kommen. Für 500mA Last soll demnach der Basis-Strom 10mA betragen.
Für 800mA bräuchtest du wohl mehr als 20mA, die kann der Raspi gar nicht
liefern.
Langer Rede kurzer Sinn: Dieser Transistor ist für deinen Anwendungsfall
ungeeignet. Bei Strömen über 500mA empfehle ich nicht umsonst in dem
oben genannten Büchlein MOSFET Transistoren.
Ok ok :(
Ich hab jetzt mal den IRLML6344 eingesetzt.
Da qualmt nix, aber ich komme trotzdem nur auf die 2V.
Was muss ich denn für diesen Transistor wohl für einen Widerstand
nehmen?
Auch einen 220er?
HildeK schrieb:> Sind während des Schaltens die 5V noch stabil vorhanden?
Ich meine die von deiner Versorgungsspannung.
Probiere das ganze doch mal mit einer kleineren Last, einem 5V-Relais
z.B.
> Was muss ich denn für diesen Transistor wohl für einen Widerstand> nehmen? Auch einen 220er?
Du hast mein Buch nicht gelesen. Selber Schuld. Da steht nämlich auch
das drin. Ich habe das Buch extra für Leute wie dich geschrieben. Wenn
man Dir schon Infos auf dem Silbertablett reicht, dann nimm sie bitte
auch an.
Völlig egal, welchen Widerstand du verwendest, am Transistor dürften nur
wenige Millivolt abfallen. Kann es sein, dass du dein Netzteil
überforderst oder dass an den Kabeln und Steckbrett einiges verloren
geht? Messe das mal nach! Wo genau gehen die 3V verloren?
Danke für deine Mühe.
Es ist richtig, ich habe dein Buch nicht gelesen. Hatte dafür noch nicht
die Zeit/Ruhe. Bin eher der Praktiker und probiere oft mal eben was aus
anstatt erst ein Buch zu lesen.
Dafür hab ich deine 1. und 2. Version deines Posts gelesen.
Dann lese ich jetzt mal dein Buch ;)
Schönen Abend und schönes Wochenende.
So, nun habe ich alles soweit zusammen wie ich meine dass es richtig
ist.
Leider geht das Schloss noch nicht auf.
Hier mal eine kurze Erklärung zu der Belegung auf dem Bild...
1: ist 1 (G) am IRLML6344
2: ist 2 (S) am IRLML6344 - GND vom Pi
3: ist 3 (D) am IRLML6344
4: 5V vom Pi
5: GND vom IRLML6344 (3/D)
6: + Schloss
7: - Schloss
8: 3,3V vom Pi (GPIO)
Meine Messungen...
Ruhezustand:
6 - 2 = 4,95V
GPIO geschaltet:
6 - 7 = 4V
Knapp 1V Verlust. Das reicht nicht aus um das Schloss zu betätigen.
Das Schloss kann 5V und 6V.
Ideen?
Ich habe gerade keinen Schimmer wo das verloren geht.
Direkter Anschluss am Pi (5V - GND) und das Schloss zieht an. Das
funktioniert also.
Mario schrieb:> Knapp 1V Verlust. Das reicht nicht aus um das Schloss zu betätigen.
Ich habe Dir geschrieben, dass eventuell das Netzteil überlastet ist.
Also messe nach, wie viel Spannung es unter Last liefert.
Ich habe Dir ebenfalls geschrieben, dass an den Steck-Kabeln und im
Steckbrett Spannung verloren geht. Also messe diese Teilstücke aus.
Die Spannung an der Spule + Spannung am Transistor + Alle
Verlustspannungen an den Verbindungen muss zusammen die Spannung vom
Netzteil ergeben. Wenn du das soweit nachvollziehen kannst, hast du alle
nötigen Strecken durch gemessen und hast damit auch die Antwort auf die
Frage.
HildeK schrieb:> Mario schrieb:>> Ich schau mich dann mal ein wenig um nach dem richtigen Nicht-SMD>> Mosfet.>> Da dürfte es dünn werden, MOSFETs und SMD haben sich quasi gleichzeitig> verbreitet. Ich wüsste jetzt keinen LL-MOSFET bedrahtet ...
Wer einen Ersatz im TO220-Gehäuse sucht mit ähnlichen Daten wie der
IRLML6344, könnte vielleicht mit diesem Transistor PSMN2R0-30PL zum Ziel
kommmen.
Die Eingangskapazität ist hier jedoch deutlich größer als beim
IRLML6344. Mit Widerstand am Gate (gegen kurzzeitige Portüberlastung
beim Pegelwechsel am µC) und wenn man keine zu hohen
Geschwindigkeitsansprüche stellt (auch keine schnelle PWM machen will ->
Verluste im Transistor wegen langsamem Umschalten) sollte es auch mit
einem gewöhnlichen GPIO funktionieren.
