Rainer W. schrieb:
Üblicherweise ist FET der Oberbegriff für Sperrschicht- und MOSFETs.
Beide werden durch das Feld gesteuert. Wie die Isolation zu Stande
kommt, ist dem Feld egal.
Der große Unterschied besteht darin, dass sich beim Sperrschicht-FET die Gate-Kanal-Strecke wie eine Diode verhält, d.h. in der "falschen Richtung" leitfähig ist. Damit zusammenhängend gibt es ausschließlich Verarmungstypen, wohingegen heutzutage(!) die allermeisten MOSFET/MISFETs als Anreichungstypen realisiert sind. Sperrschicht-FETs werden gerne als leckstromarme Dioden verwendet, was natürlich mit MOSFET/MISFET nicht geht.
Auf Grund der Verwechslungsgefahr findet man heutzutage manchmal die Bezeichnung JFET, aber diese ist historisch nicht korrekt. Genauso gab es früher(tm) auch keinen Pentium 1, SATA-1 oder SCSI-1, sondern diese Zahlenzusätze wurden erst rückwirkend und somit fälschlicherweise hinzugefügt.