Schaltung verpolungssicher machen

#699378
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Jaein, praktisch sind die Durchlassspannung über den paralellen Dioden 
unterschiedlich , so daß auch die Lastverteilung unterschiedlich ist. 
Deshlab kannst du nicht davon ausgehen, daß die doppelte Diodenzahl auch 
die doppelte Leistung abkann.

Besser ist es, gleich eine passende Diode nehmen.
#699380
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@ Maxim (Gast)

>Stromanschluss an der Platine einbauen. Kann ich auch mehrere Dioden
>parallel nutzen, um die Belastbarkeit zu erhöhen?

Nicht wirklich, da sich der Strom auf grund der Toleranzen der 
Flussspannung nicht gleichmässig aufteilt. Nimm ne grosse Diode und gut.

MFG
Falk
#699392
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Wenn du die Diode(n) unbedingt aus dem Bestand nehmen willst und keine 
passende hast, kannst du notfalls auch mit parallel geschalteten 
kleineren identischen Dioden arbeiten, vorausgesetzt jede davon kriegt 
einen eigenen Serienwiderstand verpasst, an dem im Betrieb mindestens 
300mV drauf gehen.

Und du solltest genug davon verwenden, dass die bei gleichmässiger 
Lastaufteilung nicht in die Nähe ihrer Leistungsgrenze kommen.
Gast #699404
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Mir stehen hier irgendwie die Haare zu Berge, wenn ich was von parallel 
geschalteten Dioden lese...

Hat das schon mal einer der befürwortenden Spezialisten mal 
ausprobiert????

Wäre mal anzuraten...
#699406
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um den Eingang verpolungssicher zu machen, würde ich einen 
Brückengleirichter
verwenden. Dann ist es wurscht, wie die Spannung angelegt wird.

Wenn du den Spannungsabfall ausgleichen willst, kannst du zb. bei deinem
Spannungsregler ( 7805, LM317...... ) in die GND bzw ADJ leitung eine
1N4148 einbauen. die hebt dir die Spannung dann um die 0,7V an.

oder du leistest dir den Luxus und baust Germanium Dioden ein.
Dann sind das nur 0,3V

lg
Peter
#699411
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stefan wrote:

> Mir stehen hier irgendwie die Haare zu Berge, wenn ich was von parallel
> geschalteten Dioden lese...

Wenn du mit Ausgleichswiderständen dafür sorgst, dass sich die 
Asymmetrie in Grenzen hält, dann geht das. Das gilt gleichermassen für 
Dioden wie für Leistungstransistoren. Wenn du mal einen Blick auf 
Schaltungen von Labornetzteilen der 5-10A Klasse wirfst, wirst du diese 
Variante bei den Längstransistoren recht oft finden.
#699414
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@ Peter S* (sandmannnn)

>um den Eingang verpolungssicher zu machen, würde ich einen
>Brückengleirichter
>verwenden. Dann ist es wurscht, wie die Spannung angelegt wird.

Schön, dann hast du aber immer eine Masse, die 1,4V über einer aussen 
angeschlossenen Masse liegt. Nicht wirklich doll. Ne einfach Diode tuts.

>Wenn du den Spannungsabfall ausgleichen willst, kannst du zb. bei deinem
>Spannungsregler ( 7805, LM317...... ) in die GND bzw ADJ leitung eine
>1N4148 einbauen. die hebt dir die Spannung dann um die 0,7V an.

AUA!

>oder du leistest dir den Luxus und baust Germanium Dioden ein.
>Dann sind das nur 0,3V

Aus welcher staubigen Bastelkiste soll er die denn zaubern? Schottky ist 
das Mittel der Wahl und Zeit.

MFG
Falk
Gast #699421
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>>Wenn du den Spannungsabfall ausgleichen willst, kannst du zb. bei deinem
>>Spannungsregler ( 7805, LM317...... ) in die GND bzw ADJ leitung eine
>>1N4148 einbauen. die hebt dir die Spannung dann um die 0,7V an.

>AUA!

Wieso aua?
#699422
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Falk Brunner wrote:
>
>>oder du leistest dir den Luxus und baust Germanium Dioden ein.
>>Dann sind das nur 0,3V
>
> Aus welcher staubigen Bastelkiste soll er die denn zaubern? Schottky ist
> das Mittel der Wahl und Zeit.
>
> MFG
> Falk

:-) g

da hab isch wohl ein Smiley vergessen ;-)

ich versteh das Thema sowieso nit.

es gibt ja auch verpolungssichere Steckverbindungen oder sonnst was.
( für mich is das krampf )
Gast #699614
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Hehe, solange ihr euch hier rumgestritten habt, bin ich schon längst auf 
die FET-Methode aufmerksam geworden (danke an Hein für den Link: 
Beitrag "Re: Verpolungsschutz mit kleinem Spannungsabfahl").

Ich habe auch schon so einen MOSFET aus einem alten Drucker ausgelötet. 
Mal sehen, was sich da tut. Nebenbei muss ich mich mit den Details beim 
Aufbau eines FET beschäftigen ...

@Avr Nix: Warum ist in der Schaltung ein Widerstand am Gate? Der zieht 
doch eh keinen Strom im Betrieb?!
Gast #699658
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Folgendes: Bei einer Spannung von 5V zwischen Gate und Source lässt der 
FET zwischen Drain und Source nur ca. 0.6A durch, was zu wenig für meine 
Schaltung wäre. Außerdem wird er heiß. Laut dem Datenblatt (Grafik auf 
Seite 3) müssten es das doch ca. 1,2A sein, oder? Dann würde der FET für 
meine Anwendung nämlich ausreichen.

Datenblatt: http://www.ortodoxism.ro/datasheets/toshiba/3014.pdf
Gast #699737
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Interessant ist u.a. der Wert RDSon im Datenblatt. Der beträgt stolze 
5,6 Ohm bei 1,5A, was eindeutig zu viel ist. Such am besten einen Fet 
mit besseren Werten.

Habe ansonsten nur gute Erfahrungen mit dieser Schaltung gemacht.
Gast #721336
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> Warum schaltet der FET (N-Kanal) so früher durch:

Macht er nicht.

Ein N-Kanal-Mosfet schaltet bei positiver Gate-Source-Spannung den 
Drain-Source-Kanal durch.

Bei Deiner ersten Schaltung ist das Gate mit dem Widerstand auf 
Source-Potential gelegt, der Mosfet sperrt erst einmal.

Allerdings kommt nun eine "fiese" Eigenschaft Deiner (falschen) 
Schaltung:

Da der Mosfet verkehrt herum geschaltet ist, fliest ein Strom über R1 in 
den Source des Mosfets rein, durch die Substratdiode im Mosfet und 
wieder aus dem Drain des Mosfets nach Masse weg.

Und nun die zweite, fiese Eigenschaft der ersten Schaltung:

Der Strom der durch R1 fließt, erzeugt an diesem einen Spannungsabfall. 
Dieser Spannungabfall "drückt" den Source des Mosfets nach Masse plus 
ein Dioden-Spannungsabfall. Dadurch wird das Gate positiver als das 
Source und der Drain-Source-Kanal fängt an zu leiten, der Mosfet 
schaltet also voll durch. Einmal eingeschaltet, bleibt er es, da die 
Schaltung einen Selbsthaltungseffekt hat: Solange Strom durch R1 fliesst 
ist das Gate positiver als Source und der Mosfet leitet.


> Woran liegt es?

Falsche Schaltung!

Was willst Du überhaupt machen?

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