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Übersicht Microchip GaN-on-Si RF Power Transistoren
-1400 MHz 1200 W high power KEY FEATURES Power Gain: 17 dB typ Drain Eff.: 60% typ Bias: 50 V, Idq 280 mA, 300 µs, 10% Package: 55-Q11A 1011GN-2200LXVG 1030/1090 MHz 2200 W high power KEY FEATURES Power Gain: 20.5 dB typ Drain Eff.: 68% typ Bias: 55 V, Idq 200 mA, 32 µs, 2% Package: 55-Q11A 2729GN-300V
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Microchip GNSS Disciplined Oscillators Präsentationstafel
us MD-015-0002-L1 | 2°C | 15 ns | 40 ns | 80 ns | 1.8 us MD-015-0002-L1 | 10°C | 150 ns | 310 ns | 280 ns | 950 ns MD-015-0003-L1 | 2°C | 10 ns | 30 ns | 50 ns | 1.0 us MD-015-0003-L1 | 10°C | 30 ns | 100 ns | 220 ns | 600 ns
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Blockschaltbild eines Morse-Decoders mit ESP32
Audio-Eingang Morse-Decoder + Geber SPI: SCK 14, MOSI 13, CS 26, DC 2, RST 4 ST7789 1,69 Zoll 240x280 Text, Pegelbalken, Frequenz-Graph
