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MOSFET Dimensionierung für Signalwandlung
Sebastian schrieb: >> die Impulse zu zählen (max. Frequenz ca. 250 Hz) Du Weltmeister - ein MOSFET zieht den Strom nicht über die Signalperiode, sondern während der Schaltflanke. "Schnelligkeit" bedeutet im Zusammenhang mit dem Schaltverhalten eines MOSFETs folglich Flankensteilheit.
(völlig anderes Thema) wollte jemand einen PC-Lüfter mit PWM steuern. Die K„I“ hat ihm zu einem MOSFET und 100kΩ zwischen μC und Gate geraten, und bei der Frequenz und dem ihm von der K„I“ vorgeschlagenen MOSFET wurde aus den Pulsen am Microcontroller eine flache Linie über Source/Drain.
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Netzteil von Philips TV reparieren möglich?
kann man die Ursache ergründen bzw Es wäre möglich zu prüfen, ob die Drain-Source-Strecke des Mosfet durch ist.
Dieter D. schrieb im Beitrag #8084802: > Mosfet Das wären alle dreibeinigen Teile, ich zähle vier Stück. Die kann man erst mal mit einen Digitalmultimeter durchpiepsen.
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Leiterplatte eines Schaltnetzteils mit markierten Bauteilen
RoHS, 380VA 24V 14V, 380VA 24V 14V, 380VA 24V 14V, ATTENTION: LIVE PARTS, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C
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Suche IC SN74141 in Dil 10 Stk.
Habe in der "Tiefe der Vogesen" noch ein Nixie-Röhren-Uhr-Schaltbild gefunden. Die Idee mit den Mosfets wäre eine Überlegung wert. Man könnte jeden beliebigen BCD-zu-1-aus-10-Decoder verwenden (z.B. SN7445) und Mosfets dahinterschalten. ciao gustav P.S.: Die Sache mit dem direkten Anschluss
Ich habe momentan keinen passenden Mosfet in der Bastelkiste. Wir bitten um etwas Geduld. Ich favorisiere die oben bereits gepostete Schaltungsvariante. https://www.mikrocontroller.net/topic/586594#8084349 Dann hat man sich nicht auf
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Thermisches Management für MOSFETs
ausgelegt, ich möchte den IC aber bis 18 A und 18 V nutzen. Ich habe ausgerechnet, dass einer der Mosfets im Worst-Case ca. 2 W an Verlustleistung verbrät. ### Das eigentliche Problem / die philosophische Frage: Ich habe ein Board entworfen mit ISZ0702NLSATMA1 als (High- und Low-Side-)MOSFET. Der
Design habe ich bemerkt, dass die Wärme wohl nicht so gut in die Kupferfläche fließt. Während der MOSFET glühend heiß ist, fühlt sich die angrenzende Kupferfläche gerade mal handwarm an. Beim letzten Test ist mir der MOSFET kaputt gegangen. Jetzt wäre meine erste Idee, einfach einen größeren MOSFET
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Wofür verwendet man 1 nF Kerkos?
Zum Beispiel um kritische Signale an MOSFET-Gates, Controllereingängen, usw. robuster gegen Störungen zu machen oder als Gleichtaktfilter (zwei Stück gegen GND) vor einem Instrumentierungsverstärker damit das Gegentakt-Nutzsignal nicht zu stark
www.infineon.com/assets/row/public/documents/10/49/infineon-bts4140n-datasheet-en.pdf gestolpter ist ein MOSFET welcher aber einen dauerhaften Strom am Eingang benötigt also nicht nur zum umladen der Gatekapazität, soll warscheinlich genau das verhindern was du beschreibst.
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Verständnisfrage zu MOSFET mit aktiver Klemmung für induktive Last
Solenoid mit ca. 4.5 mH, 3 Ohm, der an 24V und bis ca. 2A betrieben wird. Bei diversen "smarten" MOSFETs (z.B. Infineon BTT3018EJ https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/10/49/infineon-btt3018ej-datasheet-en.pdf) gibt es eine Aktive Klemmung, siehe screenshots und DaBla. Im Grunde könnte
will, dann muss man den Gatetreiber passend gestalten. Einfacher ist eine TVS-Diode parallel zum MOSFET oder der Spule. Im letzteren Fall eine bidirektionale oder unidirektional plus normale Diode.
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Ansteuerung? Trafo mit 6 N_KANAL_LSG_MOSFETs.
Hallo, ist das eine H-Brücke? Nach welcher Topologie werden die FETs angesteuert? Was meint ihr? VG Fritz
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UHF-Modulator ALPS MDLP3W104A
siehe unten). Beim Autor funktioniert aktuell ein Wert von 2k2 noch an einem ESP8266 über einen "2-MOSFET-Levelshifter", ist aber mit einem ACK-Pegel von 825 mV hart an der Grenze des ESP. Hier muss weiter optimiert werden! <- FIXME Besonderheiten bei 3,3 V-Systemen. Wenn die Ansteuerung von einem Mikrocontroler
erfolgen soll, ist ggf. ein bidirektionaler Pegelwandler ("Levelshifter") erforderlich z.B. mit zwei MOSFETS nach AN97055 von Philips, "Bi-directional level shifter for I2C-bus and other systems". Es sollte überprüft und sichergestellt werden, dass der Low-Pegel auf der 3,3 V-Seite im zulässigen Bereich
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WordClock mit WS2812
vorzunehmen. Dazu wurden die entsprechenden Bauteile auf das Board gepackt. Außer dem Leistungs MOSFET IRF9310 wurde alles in bedrahteter Technik ausgeführt. Wer die Bauteile für die Abschaltung (T1, T2, D1, R7, R8 und R9) NICHT einbaut, muss, wie in nebenstehendem Bild gezeigt, vier Lötbrücken einbauen
