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UND Schaltung einer 5V Spule
Sensoren in Serie zu schalten hat im Probeaufbau funktioniert Nein nein. Deine Spulen per MOSFET zu schalten ist schon ok, Spulen haben keinen relevant erhöhten Anlaufstrom. Du kannst nicht die Sensoren in Reihe schalten, aber die MOSFETs. [pre] +5V --+------+-----+-----+ | |
Falls man für die Schaltung nur einen einzigen N-MOSFET einsetzen möchte, dann könnte man aus zwei Dioden eine UND-Verknüpfung realisieren.
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Irfd9120 Alternative
Ben B. schrieb im Beitrag #7946089: > Hm, wieso nimmt man einen 100V Power-MOSFET in der Eingangsstufe, wo er > nur maximal 18V und 10mA sieht? Vielleicht einfach mal spaßenshalber mit > einem anderen Kleinsignal-FET probieren Weil der Power-MOSFET beim gleichen Strom eine sehr viel größere Steilheit als ein kleiner Mosfet wie z.B. BS250 hat. Die Steilheit des MOSFET-Diff ergibt dann an R7 die Spannungsverstärkung des Diff. Dazu kommt noch die Spannungsverstärkung des T5, die ungefähr 10 bei 4Ohm Last ist. Wenn man BS250
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DENON DN-508MX Netzteil defekt
MOSFET scheint in beide Richtungen nichts durchzulassen. (siehe Fotos anbei)
zwischen PIN 3 & 2 = 0,427V an > Zwischen PIN 1 & 3 Durchgang 0,0 Ohm Das ist eine DIODE! KEIN MOSFET!
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High Side Strommessung
Interessantes Teil, aber für deine Anwendung ungeeignet. Du brauchst mindestens +-9V für die Mosfet Ansteuerung.
Martin schrieb im Beitrag #8040805: > Welche Mosfets? Die Mosfets des Ausgangsverstärkers. Bei 1kV gibt es keine Logik-Level Fets. Da ist 9 Volt das Minimum. Andere Rechnung: 2 Volt für den Stromshunt + 2 Volt für die Sense Leitung + 3 Volt
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KiCAD: Erstellung von Bauteil-Bibliotheken
Nummern angegeben sind und jeweils zum generischen Footprint passen. Die Bibliotheks-Bauteile für Mosfets könnten da als Beispiel dienen.
> Gate bei MOSFETs mittig nach außen geführt ist, muss ich sehr viele > Symbole anpassen. Naja, eigentlich musst du es nur einmal so zeichnen wie es dir passt, dann für die MOSFETs die du auf der Platine hast
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ATtiny85, energiesparende Schaltung mit PIR und LED FadeIn/FadeOut (Newbie)
man konstante 5V aus einer Powerbank nutzt. R5, C2 und R7 sind überflüssig. Der AVR kann den MOSFET direkt treiben. Der Pin Change Interrupt kann das Signal direkt erfassen und reagieren. Fertig.
Funktioniert auch ohne MOSFET, aber eben ab 3.7V.
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LED Tester nach Arno - Vorlage
. schrieb im Beitrag #8007246: > 19,52V bestehen, auch wenn R2 vom G des 9510 abgetötet ist. Mosfet mit offenem Gate führt zu undefiniertem Zustand.
Arno R. schrieb im Beitrag #8007292: > Auf die Schnelle: die Last muss an Drain des Mosfet und Rx an Source, > bei deinem letzten Bild sind Drain <-> Source vertauscht. Beim Mosfet Source und Drain tatsächlich vertauscht im Plan angedeutet. Jetzt funktioniert alles vom Feinsten!
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Darlington Transistoren mit internen Widerständen
Rechts sind die 6 Dioden zur Gleichrichtung des Drehstromes aufgebracht und links die 6 N-Channal Mosfets zur Generierung des neuen Drehstromes mit je einer Leistungsdiode im Anhang. Mittig ist der verbrannte Mosfet zur Abbremsung des Motors und unten links ein 1KOhm Thermistor zur Temperaturmessung.
Widerstandswerte bei Leistungstransistoren verringern bis die nötigen Ströme erreicht werden). Bei einem Mosfet das Poti als Spannungsteiler zwischen + und - schalten um den Schwellwert des Transistors zu ermitteln + die Spannung am Gate messen. Da die meisten Mosfets am Gate +,- 20V verkraften ist bei 12V kein
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Einfache Idealo Diode P-Mosfet
> Controller“ Bei kleinen Leistungen braucht man keinen Ideal Diode Controller mit externem MOSFET, sondern kann Controller+Transistor in einem Gehäuse integriert verwenden.
sinnvoller als ein Limit für die Spannung wäre eine Angabe des erlaubten maximalen Stroms. Beim MOSFET verträgt die Body-Diode typisch genauso viel Strom wie der MOSFET selber.
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Spannungsfesterer MOSFET gesucht
mit JY01). Das funktioniert auch soweit aber sobald man den Lüfter abbremst sind sofort zwei MOSFETS einer Phase durch (Kurzschluß zwischen allen Anschlüssen) Vermutlich heftige Überspannung aus dem BLDC (ausgeschlachtetes Teil ohne Unterlagen). Ich weiß nur daß der Motor aus einem Akkurasenmäher
Einschalten festgehalten. GANZ BLÖDE IDEE Dabei gab es ziemlich schnell magischen Rauch von den MOSFETs, der Werkzeugakku hat munter weiter geliefert bis ich die Verbindung getrennt hatte. Dabei ist ein Stück Platine unter den MOSFETs weggebrannt, nicht mehr zu retten (einer ist aufgeplatzt und sein
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PWM Shifter 24V auf 5V
Vor der Transistortreiberstufe sollte man noch einen Spannungsteiler schalten. Somit wird der N-MOSFET am Gate mit soliden 12V angesteuert. Das ist nicht zu viel, aber auch nicht zu wenig, so dass man keinen Logik Level N-MOSFET einsetzen muss. Der Spannungsteiler belastet die SPS-Steuerung gerade mal mit nur 2,5mA. Dennoch wird der N-MOSFET schön niederohmig angesteuert, was bei einer höheren PWM-Frequenz auch wünschenswert ist.
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DAC-Pumpensteuerung: 5V PWM --> 12 V analog
? Ich würde dem ersten Schaltplan auf im ersten Link eine Chance geben, einen einen Logic-Level-Mosfet nehmen und für den "Mosfet Treiber" einfach den µC-PWM-Ausgangspin verwenden. Sinnvoll wäre dann noch ein 10k-Pulldown zwischen G und S, damit der Mosfet im Reset definiert abgeschaltet ist. Das wars
Weshalb für Q1 einen 100V MOSFET? Weshalb für Q2 keinen MOSFET? Freilaufdiode für M2 vergessen. Weshalb Q3 als Emitterfolger? C3 eher einen Kerko nahe am µC. D1 ist in dem Fall überflüssig.
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[S] LiIo-Akku
bei Ali gibt. Der 6-pin Baustein könnte z.B. ein HY2120 sein, und dann benötigt man nur noch den MOSFET und etwas Hühnerfutter. Sollte vor Überladung, Tiefentladung und Kurzschluss schützen.
www.ebay.de/itm/265490374199 > https://www.aliexpress.com/s/wiki-ssr/article/hw-391 Mit gefälschten MOSFETs...
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IC-Identifikation: Q5A + KK9
aber nicht der Fall ist. Anhand der Spannungen ist auch klar, warum: Zum einen muss der High-Side MOSFET Q102 von der Controller-PCB aktiviert werden. Zusätzlich müssen die beiden N-Kanal MOSFETs Q100 und Q101 im GND-Zweig eingeschaltet sein. Es wird jedoch nur Q101 angesteuert, Q100 hat 0 V am Gate.
nach könnte dies ein Unterspannungsschutz sein. Ich verstehe jedoch nicht, warum das IC nur einen MOSFET ansteuert und nicht beide. Meiner Ansicht nach sollten entweder beide oder kein MOSFET angesteuert werden. Die Spannungen liegen meines Erachtens im Rahmen, sodass das IC einschalten sollte. Hat
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BLDC Rasenmäher Controller gestorben
Schottkydioden parallel zu den Widerständen, Anode zum Gate. Edit: Die IRF3205 sind ja keine LL-MOSFET, da tuns auch 1N4148 o.ä.
Du könntest die bedrahteten Widerstände auch direkt von den MOSFETS zu den ICs löten, lang genug sind die ja.
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Netzteil ESO1AP aus Medion Nähmaschine
ich bis jetzt gemacht habe: - Alle Halbleiter durchgemessen, Dioden auch auf Sperrspannung. - MOSFET manuell angesteuert, Strom fließt bis zur Strombegrenzung. - TL431 samt Optokoppler auf Funktion geprüft. Schaltet sauber bei Anstieg auf 24V bis zur Primärseite durch. Optokoppler auch testhalber
zerbrochen. Das Oszillogramm zeigt in Blau die Gate-Ansteuerung des MOSFETs, Gelb der Verlauf der Betriebsspannung des R7731. Was mich wundert ist die Tatsache, dass die Spannung nicht höher wird wenn die Ansteuerung losgeht. Das Schaltbild aus der AppNote anbei, entspricht
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Netzteil von Philips TV reparieren möglich?
kann man die Ursache ergründen bzw Es wäre möglich zu prüfen, ob die Drain-Source-Strecke des Mosfet durch ist.
Dieter D. schrieb im Beitrag #8084802: > Mosfet Das wären alle dreibeinigen Teile, ich zähle vier Stück. Die kann man erst mal mit einen Digitalmultimeter durchpiepsen.
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Drei Spannungen effektiv zusammenschalten
Chris schrieb im Beitrag #7945331: > Zweite Variante: ein Hack mit drei MOSFETs. Problem: bei MOSFETs bin ich > absolut blank, ich habe also keine Ahnung, wie so eine Schaltung > aussehen müsste. Wenn du dich mit Mosfets nicht auskennst, dann nimm 3 Relais.
3x MAX40203 oder 3x TPS2411 + MOSFETs
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Suche IC SN74141 in Dil 10 Stk.
Habe in der "Tiefe der Vogesen" noch ein Nixie-Röhren-Uhr-Schaltbild gefunden. Die Idee mit den Mosfets wäre eine Überlegung wert. Man könnte jeden beliebigen BCD-zu-1-aus-10-Decoder verwenden (z.B. SN7445) und Mosfets dahinterschalten. ciao gustav P.S.: Die Sache mit dem direkten Anschluss
Ich habe momentan keinen passenden Mosfet in der Bastelkiste. Wir bitten um etwas Geduld. Ich favorisiere die oben bereits gepostete Schaltungsvariante. https://www.mikrocontroller.net/topic/586594#8084349 Dann hat man sich nicht auf
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Bauteilsuche Mosfet
Hallo Schwarmintelligenz, ich suche ein Datenblatt oder die Daten von diesem Mosfet. Kann jemand helfen? Torsten
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2 usb ports zusammen als stromquelle
nichts. Die hat halt 100mV merh Spannungsabfall, aber zum Test reichts allemal. > Die Idee mit den Mosfets kam daher, dass ich die Vf heruntersetzen > wollte, denn die Anschlüsse geben ja nur 5V. Der Witz daran: wenn beide Mosfets eingeschaltet sind, dann hast du quasi eine Brücke mit nur wenigem mOhm
wissen, wie ich am besten die 2 Ports nutzen kann, um mehr Strom zur Verfügung zu stellen. Mit nem Mosfet soll weniger Spannung abfallen as mit Schottky, aber wie das genau geht weiss ich leider nicht.
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Schaltnetzteil wird heiß
Netzteilen eine ganz schlechte Idee. Tatsächlich sieht man in den Oszillogrammen zwischen beiden MOSFETs keinen in meinen Augen wesentlichen Unterschied. Auch das Verhalten (wird im Teillastbereich zu heiß) war mit beiden MOSFETs gleich. Aber ich verstehe schon, dass die parasitären Effekte in so einer Konstruktion wesentlich beitragen und diese zwischen den beiden MOSFETs recht unterschiedlich sein können -- das meinst Du doch, oder?
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Regelbare Konstantstromquelle
hatte ich ja mit "Problem gelöst" auch so gemeint. Noch eins zuvor: In diesem Fall schaltet der MOSFET immer voll durch, nur eben früher! Am Anfang werden die beiden 1000 µF geladen. Der MOSFET Q1 ist noch gesperrt. Über die Leiterschleife wird über den Optokoppler PC817 ein Signal zum Prozessor
wurde und schaltet den MOSFET wieder ab. Es soll ja nicht unnötig Strom fließen. Und die Kondensatoren werden wieder geladen. Das war das Vorspiel. Der Prozessor bekommt erneut über den Optokoppler recht früh das Signal,
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bldc-controller
Hall-Anschlüssen. mach ich morgen. Verständnisfrage: Wie ist der Stromlauf? AT + VCC => Mosfet1 => Spule MA => Sternpunkt und dann? Wenn Mosfet(AT) an VCC durchschaltet, sind dann Mosfet(BB)+(CB) an Gnd? braucht es eine Totzeit?
Der Strom fließt den Weg zurück über einen der Low-Side MOSFETs und einen Shunt zu GND. Die Totzeit macht der Treiber automatisch. Wenn Du den nicht verwendest musst Du natürlich eine Totzeit selbst einbauen. Es sind sechs MOSFETs im Schaltplan, nicht drei. Es
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10-100Mbit/s Ethernet Verbindung gezielt stören
dachte ich, ich stelle die Frage mal hier. Ich ging davon aus, ich könne die Leitungen mit einem MOSFET über einen Koppelkondensator auf Masse ziehen, um eine Störung hineinzubringen. Ich habe mit einem Raspberry PI Pico und einem selbst designten MOSFET-Treiber und einer Assembler-Funktion einen einstellbaren
Ethernet ist differentiell und erdfrei. Auch wenn Du jewels beide Mosfets ansteuerst sperrt immer ein Deiner Dioden
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Relais durch Halbleiter ersetzen
eine Branche, von der ich gar keine Ahnung habe. Du hast 12V, da hast du eine große Auswahl an Mosfets..IRLZ44 usw. Die Gabellichtschranken würfe ich ggf. durch digitale Hallsensoren ersetzen.
ansteuern]]. Alles langweiliger Routinekram ohne Besonderheiten, der mit einem passenden billigen N-MOSFET erschlagen ist.
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Tauchlampe Hartenberger mini compact LCD?
funktionieren.Auf der Akku Platine hatte ich die anderen Bauteile schon nachgeschaut, ich meine das waren MOSFETs.
: > Miss mal das PWM Signal und den Schalttransistor. Das dürfte der Si4425B sein (P-Channel MOSFET) oder des FDS6975 (Dual P-Channel logic level MOSFET), wenn die Leuchte nach dem Einschalten kurz aufleutet, müsste sich am Gate der MOSFETs etwas tun. Also diese Signale zugleich mit dem 1-wire des
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[V] uC, Digtal, Analog, Transistoren, Evalboards
, 12A -> 0,15€/Stk. 12x IPB65R110CFD, Infineon: MOSFET N-Ch, 650V -> 0,75€/Stk. 12x BSC059N04LS, Infineon: MOSFET N-Ch, 40V, 73A -> 0,15€/Stk. 80x IRF7341PbF, Infineon: MOSFET Dual N-Ch, 55V, 4,7A -> 0,15€/Stk. 10X WMB040N08HGS, Wayon: MOSFET N-Ch, 80V, 130A -> 0,50€/Stk. 20X JMSL1040AV-7, JieJie: MOSFET N-Ch, 100V, 4,7A -> 0,50€/Stk. 6x VNB20N07TR, STM: MOSFET N-Ch, 70V, 20A -> 0,50€/Stk. 580x SQJQ480E-T1
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Wasserstandsmessung mit RaspberryPico und Drucksensor MPX2050DP
. *MOSFET-Auslegung:* Der IRLML2502 (SOT-23) schaltet Pumpe und Ventil mit einem MOSFET gleichzeitig. Der zweite IRLML2502 schaltet ein zweites Ventil zur Entlüftung der Druckleitung vor der eigentlichen Messung
die Ansteuerung der 12V Ventile eignen sich übrigens die TPIC6C595 Shift Register mit 50V/350mA MOSFET O.D. Ausgängen. Den verwende ich bei mir, um die drei Magnetventile zu betreiben. Gruß, Gerhard
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BSS138 vs 2N7002
. Da der Trend ja scheinbar auf 400kHz und höher geht, so um die 2MHz, bleibt die Frage ob diese Mosfet auch das mitmachen oder lieber in Zukunft nur noch die ICs nehmen?
max. > 400kHz gehen und der 2N7002 bis max 1MHz gehen. Wieviel da geht, hängt nicht nur an den MOSFETs, sondern Bus-Kapazität und Größe vom Pull-Up spielen auch mit rein. Falls es schnell werden soll, ist ein simpler MOSFET nicht die passende Wahl. Da greift man besser zu integrierten Pegelwandlern
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Flyback hat extreme Schwingungen während des Einschaltens
Strommessungen weg zu lassen und eine 2 Kanal-Messung zu zeigen: 1. Kanal gate-Ansteuerung des PowerMOSFET 2. Kanal drain des PowerMOSFET = Vprimär. Falls Dich das aperiodisch abklingende Geklingle irritiert: Das ist die Sperrphase und prinzipiell bei flyback-Wandlern nahezu unvermeidbar. Und ob die
der Sekundärstrom wieder auf 0 sinkt. Seltsamerweise hören sie dann aber auch nicht auf wenn der MOSFET einschaltet, also wenn der MOSFET "zu früh" einschaltet dann sieht man den eigentlichen Flyback-Strom vor lauter Schwingungen nicht.
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Mosfet Verstärker
Mal angenommen ich möchte slew rate und übernahmeverzerrung optimieren wie würde man die Mosfets besser ansteuern?
: > Mal angenommen ich möchte slew rate und übernahmeverzerrung optimieren > wie würde man die Mosfets besser ansteuern? Also, solch eine Schaltung würde ich immer zunächst mit LTspice testen. Alles andere wäre Herumraterei. mfg Klaus
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H-Brücke 48V, PWM 50kHz, Möglichkeit 100% Duty Cycle on
geeigneten H-Brückentreiber für diese Anforderungen? Am besten wäre eine Lösung ohne integrierte MOSFETs, um möglichst flexibel zu bleiben. Die MOSFETs habe ich noch nicht final ausgewählt, vermutlich N-MOSFETs mit VDS ~200V und möglichst kleiner Gate-Ladung (Qg). Aktuell habe ich den MP6528 im
vielen Dank für die Hilfe und die Erklärungen. Dann mache ich mich auf die Suche nach einem passenden MOSFET.
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Wechselrichter 24V 600W defekt
30 Volt am Gate. Meint ihr es lohnt sich noch auf Fehlersuche zu gehen, oder wurden die anderen MOSFETs und andere Teile mitgebraten? Und wo sollte ich zuerst nachmessen? P.S. Dass die Eingangselkos dicke Backen machen habe ich schon gesehen und ich weiss 230 Volt ...
Beitrag #8057523: > Meint ihr es lohnt sich noch auf Fehlersuche zu gehen, oder wurden die > anderen MOSFETs und andere Teile mitgebraten? Ohne Schaltplan stocherst Du nur im Nebel. Obwohl ich gerne repariere, würde ich mir ein neues Teil besorgen.
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Suchstrategie Isolierter NPN Leistungstransistor
Ich habe für sowas den ST W13NK60z_600V_13A-NchMOSFET als "Arbeitspferd" verwendet. Ist TO247, kann 150W abführen, hat aber eine metallische "HeatSink" Platte auf der Rückseite. Ansonsten Kunststoffgehäuse. Große SOA.
https://www.tme.eu/de/katalog/diskrete-halbleitermodule_113440/ Schau dir mal dort die Kategorien MOSFET- und IGBT Module an. Was in SOT 227B z.B. Die Dinger haben eine isolierte Grundplatte, können richtig fett Leistung - und bei deiner Anwendung darfs auch n Euro mehr kosten :-)))
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Ultraschall-Gerät reparieren
sind. Im Prinzip gibt es einen ca 37 kHz Oszillator der entweder per Trafo oder Optokoppler eine MosFet Endstufe betreibt, die dann die Piezos ansteuert. Offensichtlich ist wohl der kaputte MosFet nicht die Ursache. Hat irgendwer Erfahrung mit der Reparatur von solchen Geräten und könnte mir helfen
Gerät zunächst normal funktioniert und erst nach einigen 10...60 Minuten Betriebszeit wieder die MosFets durchschiesst. Eine ansteigende Erwärmung => Hitzetod der MosFets konnte ich nämlich nicht feststellen.
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Technik der HF SPST-Schalter
wie ein Gate-Vorwiderstand mit der Gatekapazität eine Zeitkonstante bildet. Bei integrierten MOSFETs legt man daher die Steuerspannung zwischen Gate und Bulk an. Es gab mal eine homöopathiche Menge an diskreten MOSFETs mit herausgeführtem Bulk, z.B. BSS83, 3N170/171, 3N128, 3N143, 3N163, 3N164.
Preise z.B. bei Mouser ansieht. Die CMOS-RF-Schalter sind dagegen günstiger als ein einfacher MOSFET vor ein paar Jahren. Von PIN-Dioden oder gar Relais ganz zu schweigen. Und brauchen dabei kaum Strom, < 0,1mA.
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Bauteil identifizieren
Impact hat leider einige Komponenten auf der Platine beschädigt). Wir konnten bereits erfolgreich Mosfets identifizieren und ersetzen. Dadurch konnten wir auf dem Ring den Ausfall von 1/4 des Rings auf 1/8 reduzieren. Beim Tausch der Mosfets haben wir einen weiteren Bauteilschaden entdeckt: Vermutlich
das kein MOSFETs. Damit wird das defekte Bauteil wohl auch kein MOSFET-Treiber sein. Link zu dem ersten Thread: https://www.mikrocontroller.net/topic/585010#8044634
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Ersatz für BSP125 und GP10Y
Im Prinzip ist das eine einfache Schaltung. Es wird über die Spule und den Mosfet ein Aufwärtswandler betrieben. Im Prinzip kannst Du jeden Mosfet nehmen, dessen Spannungsfestigkeit, Gate-Kapazitäten und U_gth vergleichbar wären. Wenn sich keine finden lässt, dann wäre es notwendig
BSP125H6327XTSA1 nun auf Lager. Aber wie schon angemerkt, ist die Schaltung und die Auswahl dieses Mosfets nicht gut. Die Gate plateau voltage von 3.44V des BSP125 wird durch den Microcontroller nie erreicht. Selbst wenn es iregendwie funktioniert, wird der Mosfet bald sterben.
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Unbekannte Bauteile in Gys Ladegerät abgebrannt, Hilfe bei Ursache und Identifikation
gekennzeichnet und hat jemand eine Idee, warum die weggebrannt sind (evtl. einer der neuen N-Channel Mosfets)? Vielen Dank für eure Hilfe im Voraus, Michael
Falls Du es noch weiter versuchen willst, mich würde mal interessieren, ob die sekundärseitigen MOSFETs am Trafo (für die Sychrongleichrichtung) noch intakt sind. Oder weißt Du eigentlich, wie der Defekt entstanden ist?
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Liegt das an den China Transistoren?
des NPN mal mit 10k gegen Masse gezogen und plötzlich sperrt der PNP. Als ob man das Gate eines MOSFETs entladen muss. Also Danke schonmal. Gehe jetzt mal Sicherungen für Multimeter kaufen ;-)
NPN mal mit 10k gegen Masse gezogen und plötzlich > sperrt der PNP. Als ob man das Gate eines MOSFETs entladen muss. Alternativ kann man (eben genau so wie der R2 beim Q2) einen hochohmigen Widerstand auch zwischen BE vom Q1 schalten.
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umschaltbarer Levelshifter?
Ja, geht: https://www.penguintutor.com/electronics/mosfet-levelshift
Peter N. schrieb im Beitrag #7926572: > diese klassischen Levelshifter aus 2 Mosfets Du meinst den klassischen bidirektionalen Levelshifter aus nur einem Mosfet, wie Philips ihn damals für I2C in AN97055 beschrieben hat? https://cdn-shop.adafruit.com/datasheets/an97055.pdf
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Logic Level (3,3V) MOSFET (bedrahtet oder großes SMD)
betreiben möchte. Ob ich am Ende dann 12 oder 24V Lüfter nehme, hängt im Grunde nur davon ab, welchen MOSFET ich wähle. Ich suche jetzt schon einige Zeit hier im Forum herum und finde nichts passendes. Das Thema mit Logic Level MOSFETs, die bei 3.3V sicher durchschalten (in den Datenblättern ist das dann
ja schon gesagt) du nimmst einen Treiber (oder baust ihn selber) und einen beliebigen n- oder p-MOSFET.
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[Leistungselektronik]: sicheres Schalten von Gleichspannung/Gleichstrom
im einstelligem KW Bereich loswerden.Ein Freund hat vor einiger Zeit seine PV-Module über einen MOSFET (weiss nicht, welcher Typ/Marke) als Schalter direkt mit einem Heizstab verbunden. Der MOSFET sollte bei einer bestimmten Temperatur die Module abschalten. Das tat das Bauteil lange auch. Dann ist
die Dinger als Schalter bei kleinen Leistungen allerdings selber schon verwendet). Durchgebrannter MOSFET --> Kurzschluss statt Unterbrechung :-( Sind in diesem Falle MOSFETs überhaupt das Mittel der Wahl oder wie schaltet ihr solche Leistungen, um auf der sicheren Seite zu sein? (Gleichstromsicherungen
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Trafo reparieren.
Original-Primärwicklungen durchgeschmort, bis > zum Windungsschluß. Wenn es die Ansteuerung und die MOSFETs nicht sind... - die Kondensatoren im Snubber, parallel zu den MOSFET haben keinen Schluss? Dann würde der Trafo ebenfalls Dauerspannung sehen - Der C des sekundären Reihenschwingkreises und der
erwärmt sich nichts. Gerald B. schrieb im Beitrag #8056932: > Wenn es die Ansteuerung und die MOSFETs nicht sind... > - die Kondensatoren im Snubber, parallel zu den MOSFET haben keinen > Schluss? Dann würde der Trafo ebenfalls Dauerspannung sehen > - Der C des sekundären Reihenschwingkreises und
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Sanftanlauf / Überspannungsbegrenzung großer 24VDC Motor 2kw
Bislang habe ich zwei Ideen, die beide noch nicht ausgereift sind: 1. Spannungsrampe mittels Power MOSFET Ich würde versuchen ein geeignetes Mosfet (z.B. mehrere IXTH90P10P oder IXFN520N075T2?) mit aktiver Kühlung und je nach P oder N an Plus oder GND zu montieren und möglichst direkt mit einem Arduino und PWM zu steuern. Also: Victron schließt, Arduino bekommt Strom, fährt über das Mosfet eine steile Rampe (1-2s) und lässt das Mosfet anschließend geschlossen. Mit den 0.5-1V die über das Mosfet abfallen könnte ich wohl leben, ideal wäre das aber nicht. Ich kann den im Datenblatt genannten
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Relaisersatz mit IRFR5505PBF
einen digitalen DC-Ausgang (elektronischer Schalter / Relaisersatz) aufzubauen? Ich möchte den MOSFET als schaltenden Ausgang verwenden (kein mechanisches Relais), basierend auf folgenden Eckdaten: Typ: IRFR5505PBF (P-MOSFET) Max. Schaltspannung: 48 V DC Min. Schaltspannung: 2,8 V DC Max. Schaltstrom
100V Mosfet in der selben Bauform. > Ich möchte den MOSFET als schaltenden Ausgang verwenden (kein > mechanisches Relais) Sind die Massepotentiale des GPIO und der 48V verbunden oder kannst du sie verbinden